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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DDTC143XUA-7 Diodes Incorporated DDTC143XUA-7 - - -
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 ECAD 7105 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTC143 200 MW SOT-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
FZT651TC Diodes Incorporated FZT651TC 0,6800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT651 2 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 60 v 3 a 100NA (ICBO) Npn 600mv @ 300 mA, 3a 100 @ 500 mA, 2V 175MHz
DMG1024UV-7 Diodes Incorporated DMG1024UV-7 0,4000
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMG1024 MOSFET (Metalloxid) 530 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 20V 1.38a 450MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,74nc @ 4,5 V 60.67PF @ 16V Logikpegel -tor
2N5551 Diodes Incorporated 2N5551 - - -
RFQ
 ECAD 9847 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 2N5551 625 MW To-92 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 160 v 200 ma - - - Npn 200mv @ 5ma, 50 mA 80 @ 10ma, 5V 300 MHz
DDTA115EUA-7-F Diodes Incorporated DDTA115EUA-7-F 0,0435
RFQ
 ECAD 7846 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTA115 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 Kohms 100 Kohms
MMBT3904-7-F Diodes Incorporated MMBT3904-7-F 0,1200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBT3904 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 ma 50na (ICBO) Npn 300mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
DMT15H053SK3-13 Diodes Incorporated DMT15H053SK3-13 0,3573
RFQ
 ECAD 6677 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMT15 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen 31-DMT15H053SK3-13 Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 150 v 21a (TC) 10V 60MOHM @ 20A, 10V 4v @ 250 ähm 11,5 NC @ 10 V. ± 20 V 814 PF @ 75 V - - - 1.7W (TA)
ZXTP25140BFHTA Diodes Incorporated ZXTP25140BFHTA 0,5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXTP25140 1,25 w SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 140 v 1 a 50na (ICBO) PNP 260mv @ 100 mA, 1a 100 @ 10ma, 2v 75 MHz
ZTX796ASTOA Diodes Incorporated Ztx796astoa - - -
RFQ
 ECAD 7923 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads Ztx796a 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 200 v 500 mA 100na PNP 300 mV @ 20 mA, 200 mA 300 @ 10 mA, 5V 100 MHz
DMN33D8LT-13 Diodes Incorporated DMN33D8LT-13 0,3600
RFQ
 ECAD 255 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 DMN33 MOSFET (Metalloxid) SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 30 v 115 Ma (TA) 2,5 V, 4 V. 5ohm @ 10ma, 4V 1,5 V @ 100 µA 0,55 NC @ 10 V ± 20 V 48 PF @ 5 V. - - - 240 MW (TA)
MMBTA05-7 Diodes Incorporated MMBTA05-7 - - -
RFQ
 ECAD 2537 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBTA05 300 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 500 mA 100na Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated DMG6601LVT-7 0,3800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMG6601 MOSFET (Metalloxid) 850 MW TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N und p-kanal 30V 3,8a, 2,5a 55mohm @ 3.4a, 10V 1,5 V @ 250 ähm 12.3nc @ 10v 422pf @ 15V Logikpegel -tor
DMJ70H1D3SH3 Diodes Incorporated DMJ70H1D3SH3 - - -
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-251-3 Stub Leads, ipak DMJ70 MOSFET (Metalloxid) To-251 (Typ Th3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 700 V 4.6a (TC) 10V 1,3OHM @ 2,5a, 10 V. 4v @ 250 ähm 13.9 NC @ 10 V. ± 30 v 351 PF @ 50 V - - - 41W (TC)
DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS-13 0,9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMT10 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 14A (TA), 80A (TC) 10V 8.5Mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 20 V 2085 PF @ 50 V - - - 1,3W (TA)
ZXT13P12DE6TA Diodes Incorporated ZXT13P12DE6TA 0,2610
RFQ
 ECAD 2806 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 ZXT13P12 1,1 w SOT-23-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 12 v 4 a 100na PNP 175mv @ 400 mA, 4a 300 @ 1a, 2v 55 MHz
BSS123TC Diodes Incorporated BSS123TC - - -
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 100 v 170 mA (ta) 4,5 V, 10 V. 6OHM @ 100 mA, 10V 2,8 V @ 1ma ± 20 V 20 PF @ 25 V. - - - 360 MW (TA)
DVRN6056-7-F Diodes Incorporated DVRN6056-7-F 0,1300
RFQ
 ECAD 1543 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 DVRN6056 300 MW SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 600 mA - - - NPN + Zener Diode (Isolier) 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 1V 250 MHz
BCP68TA Diodes Incorporated BCP68ta - - -
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Digi-reel® Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BCP68 2 w SOT-223-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 20 v 1 a - - - Npn 500mv @ 100 mA, 1a 63 @ 500 mA, 1V 100 MHz
DMN3026LVTQ-13 Diodes Incorporated DMN3026LVTQ-13 0,1418
RFQ
 ECAD 4875 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMN3026 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 30 v 6.6a (ta) 4,5 V, 10 V. 23mohm @ 6.5a, 10V 2v @ 250 ähm 12,5 NC @ 10 V. ± 20 V 643 PF @ 15 V - - - 1.2W (TA)
ZTX603 Diodes Incorporated ZTX603 0,8700
RFQ
 ECAD 8395 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 ZTX603 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4.000 80 v 1 a 10 µA NPN - Darlington 1v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150 MHz
DMN6022SSD-13 Diodes Incorporated DMN6022SSD-13 0,7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMN6022 MOSFET (Metalloxid) 1.2W (TA) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 60 v 6a (ta), 14a (TC) 29mohm @ 5a, 10V 3v @ 250 ähm 32nc @ 10v 2110pf @ 30v - - -
BCP5216TA Diodes Incorporated BCP5216ta 0,3700
RFQ
 ECAD 753 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BCP5216 2 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 150 MHz
ZVN3306FTC Diodes Incorporated Zvn3306ftc - - -
RFQ
 ECAD 8692 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 60 v 150 mA (TA) 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2,4 V @ 1ma ± 20 V 35 PF @ 18 V. - - - 330 MW (TA)
ZXTN5551GTA Diodes Incorporated ZXTN5551GTA 0,4400
RFQ
 ECAD 1508 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXTN5551 2 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 160 v 600 mA 50na (ICBO) Npn 200mv @ 5ma, 50 mA 80 @ 10ma, 5V 130 MHz
DMN4035L-13 Diodes Incorporated DMN4035L-13 0,0873
RFQ
 ECAD 5814 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN4035 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN4035L-13DI Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 40 v 4.6a (TA) 4,5 V, 10 V. 42mohm @ 4.3a, 10V 3v @ 250 ähm 12,5 NC @ 10 V. ± 20 V 574 PF @ 20 V - - - 720 MW
BSS84TA Diodes Incorporated BSS84ta - - -
RFQ
 ECAD 2692 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BSS84 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 50 v 130 mA (ta) 5v 10ohm @ 100 mA, 5V 2V @ 1ma ± 20 V 40 PF @ 25 V. - - - 360 MW (TA)
ZUMT491TA Diodes Incorporated Zumt491ta 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Zumt491 500 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 60 v 1 a 100na Npn 500mv @ 100 mA, 1a - - - - - -
BSR33QTA Diodes Incorporated BSR33QTA 0,4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa BSR33 2.1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 100 MHz
DMP3015LSS-13 Diodes Incorporated DMP3015LSS-13 0,8700
RFQ
 ECAD 1740 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMP3015 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 13a (ta) 4,5 V, 10 V. 11mohm @ 13a, 10V 2v @ 250 ähm 60.4 NC @ 10 V. ± 20 V 2748 PF @ 20 V - - - 2,5 W (TA)
DDA142TU-7-F Diodes Incorporated DDA142TU-7-F - - -
RFQ
 ECAD 6422 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDA142 200 MW SOT-363 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma - - - 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 100 @ 1ma, 5V 200 MHz 470ohm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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