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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMG1012TQ-7 | 0,3500 | ![]() | 985 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMG1012 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 630 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 400 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,74 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | 60.67 PF @ 16 V | - - - | 280 MW (TA) | ||||||||||||
DMN2065UW-7 | 0,3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN2065 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2.8a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 56mohm @ 2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 5.4 NC @ 4.5 V | ± 12 V | 400 PF @ 10 V. | - - - | 430 MW (TA) | |||||||||||||
DDTC144ECA-7-F | 0,2200 | ![]() | 2633 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC144 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DMTH10H009SPSQ-13 | 0,4648 | ![]() | 9686 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMTH10H009SPSQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 14A (TA), 86a (TC) | 10V | 8,9 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 2085 PF @ 50 V | - - - | 1,6W (TA), 100 W (TC) | |||||||||||||
![]() | DMTH3004LFGQ-13 | 0,2629 | ![]() | 8133 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMTH3004 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta), 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 16 v | 2370 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 50 W (TC) | ||||||||||||
![]() | ZX5T851astz | 1.0900 | ![]() | 7493 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZX5T851 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 60 v | 4.5 a | 20na (ICBO) | Npn | 210mv @ 200 Ma, 5a | 100 @ 2a, 1V | 130 MHz | ||||||||||||||||
![]() | DDTC114YKA-7-F | - - - | ![]() | 3643 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC114 | 200 MW | SC-59-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||
![]() | BC847PN-7-F | 0,3400 | ![]() | 1134 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | NPN, PNP | 600mv @ 5 mA, 100 mA / 650 mV @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V / 220 @ 2MA, 5V | 300 MHz, 200 MHz | ||||||||||||||||
![]() | DMN2022UFDF-7 | 0,4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMN2022 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 7.9a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 22mohm @ 4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 18 NC @ 8 V | ± 8 v | 907 PF @ 10 V | - - - | 660 MW (TA) | ||||||||||||
![]() | Ztx949stoa | - - - | ![]() | 6749 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX949 | 1,58 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 30 v | 4.5 a | 50na (ICBO) | PNP | 320 mv @ 300 mA, 5a | 100 @ 1a, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DDTC113TE-7 | 0,1100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTC113 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-DDTC113TE-7DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDC122LU-7-F | - - - | ![]() | 6451 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDC122 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 56 @ 10ma, 5V | 200 MHz | 220 Ohm | 10kohm | |||||||||||||||
DMP2165UW-7 | 0,3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMP2165 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 90 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 3,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 335 PF @ 15 V | - - - | 500 MW (TA) | |||||||||||||
![]() | DMTH12H007SK3-13 | 0,7541 | ![]() | 7659 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMTH12 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | 31-DMTH12H007SK3-13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 120 v | 86a (TC) | 10V | 8.9MOHM @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3142 PF @ 60 V | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||
![]() | DMTH45M5LFVW-7 | 0,2842 | ![]() | 5887 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DMTH45M5LFVW-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 18a (TA), 71a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5,5 MOHM @ 25a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 13.9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 978 PF @ 20 V | - - - | 3,5 W (TA), 51W (TC) | |||||||||||||
BC857B-7-F | 0,2000 | ![]() | 136 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC857 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15na | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 200 MHz | |||||||||||||||||
![]() | ZTX1047ASTOB | - - - | ![]() | 2476 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX1047A | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 10 v | 4 a | 10na | Npn | 190mv @ 20ma, 4a | 300 @ 1a, 2v | 150 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DXTP3C100PD-13 | 0,2411 | ![]() | 9012 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DXTP3C100 | 1.76W | PowerDI5060-8 (Typ UXD) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DXTP3C100PD-13TR | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 100V | 3a | 100na | 2 PNP (Dual) | 325mv @ 200 Ma, 2a | 170 @ 500 mA, 10V | 100 MHz | |||||||||||||||||
DDTA123YCA-7 | 0,3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA123 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DMP27M1UPSW-13 | 0,3271 | ![]() | 4488 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powertdfn | DMP27 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 (Typ UX) | Herunterladen | 31-DMP27M1UPSW-13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 84a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 5,5 MOHM @ 15a, 10V | 1,3 V @ 250 ähm | 123 NC @ 10 V | ± 12 V | 4777 PF @ 10 V. | - - - | 1,95W (TA), 3,57W (TC) | ||||||||||||||
DDTC114GCA-7 | - - - | ![]() | 7832 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | Ztx758stoa | - - - | ![]() | 6159 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX758 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 400 V | 500 mA | 100na | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 200 Ma, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DDTC143ZKA-7-F | - - - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC143 | 200 MW | SC-59-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||
ZXMN2A01FTA | 0,4900 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXMN2 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1,9a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 120 MOHM @ 4A, 4,5 V. | 700 MV @ 250 um (min) | 3 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 303 PF @ 15 V | - - - | 625 MW (TA) | |||||||||||||
![]() | Ztx851stoa | - - - | ![]() | 9349 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX851 | 1,2 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 60 v | 5 a | 50na (ICBO) | Npn | 250mv @ 200 Ma, 5a | 100 @ 2a, 1V | 130 MHz | |||||||||||||||||
DDTC143ZCAQ-7-F | 0,3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Ddtc (r1 ≠ r2 -serie) ca. | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC143 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||
FZT600TA | 0,6800 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT600 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 140 v | 2 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,2 V @ 10ma, 1a | 2000 @ 500 mA, 10V | 250 MHz | |||||||||||||||||
![]() | ZTX690BSTZ | 0,3780 | ![]() | 1808 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX690 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX690BSTZ-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 45 V | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 1a | 400 @ 1a, 2v | 150 MHz | |||||||||||||||
MMDT3906VC-7 | 0,4300 | ![]() | 4057 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Mmdt3906 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | - - - | 2 PNP (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||
DMN6140LQ-7 | 0,3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN6140 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 1,6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 140 MOHM @ 1,8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 8.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 315 PF @ 40 V | - - - | 700 MW (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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