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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | DMT4001LPS-13 | - - - | ![]() | 1181 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMT4001 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 (Typ K) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMT4001LPS-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 12121 PF @ 20 V | - - - | 2.6W | |||||||||||
![]() | DMPH4029LFGQ-13 | 0,2701 | ![]() | 9535 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMPH4029 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMPH4029LFGQ-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 8a (ta), 22a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1626 PF @ 20 V | - - - | 1.2W (TA) | |||||||||||
FZT489ta | 0,6400 | ![]() | 347 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT489 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 1 a | 100na | Npn | 600mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 1a, 2v | 150 MHz | |||||||||||||||||
![]() | APT13003LZTR-G1 | - - - | ![]() | 6804 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | APT13003 | 800 MW | To-92 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | APT13003LZTR-G1DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 450 V | 800 mA | - - - | Npn | 500mv @ 40 mA, 200 mA | 6 @ 300 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||
DMP2170U-7 | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP2170 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.1a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 90 MOHM @ 3,5A, 4,5 V. | 1,25 V @ 250 ähm | 7,8 NC @ 10 V | ± 12 V | 303 PF @ 10 V. | - - - | 780 MW (TA) | |||||||||||||
Fmmt458qta | 0,4900 | ![]() | 4429 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt458 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 400 V | 225 Ma | 100na | Npn | 500mv @ 6ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | 50 MHz | |||||||||||||||||
BC847C-13-F | 0,2000 | ![]() | 364 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC847 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||
![]() | Ztx651stoa | - - - | ![]() | 6243 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX651 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 60 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | - - - | 175MHz | |||||||||||||||||
![]() | ZTX753 | 0,8600 | ![]() | 1591 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX753 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX753-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | - - - | 140 MHz | |||||||||||||||
![]() | ZXTDAM832TA | - - - | ![]() | 7737 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | ZXTDAM832 | 1.7W | 8-mlp (3x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 v | 4,5a | 25na | 2 NPN (Dual) | 280 MV @ 50 Ma, 4,5a | 200 @ 3a, 2v | 120 MHz | ||||||||||||||||
![]() | ZXMP3F36N8TA | - - - | ![]() | 5464 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZXMP3F36N8TADI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7.2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 43,9 NC @ 15 V | ± 20 V | 2265 PF @ 15 V | - - - | 1,56W (TA) | ||||||||||||
![]() | DMN3030LFG-13 | - - - | ![]() | 6766 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN3030 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | 31-DMN3030LFG-13 | Veraltet | 1 | N-Kanal | 30 v | 5.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 18mohm @ 10a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 17.4 NC @ 10 V. | ± 25 V | 751 PF @ 10 V. | - - - | 900 MW (TA) | |||||||||||||||
DMP3050LVT-7 | 0,5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMP3050 | MOSFET (Metalloxid) | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 50mohm @ 4,5a, 10 V | 2v @ 250 ähm | 10.5 NC @ 10 V | ± 25 V | 620 PF @ 15 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||||||||||
![]() | 2dd1766q-13 | - - - | ![]() | 4863 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2dd1766 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 32 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 800mv @ 200 Ma, 2a | 120 @ 500 mA, 3V | 220 MHz | ||||||||||||||||
![]() | DDTA143TE-7-F | 0,0483 | ![]() | 5942 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTA143 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | ZXTP05120HFFTA | 0,5700 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-3 Flache Leitungen | ZXTP05120 | 1,5 w | SOT-23F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 120 v | 1 a | 10 µA | PNP - Darlington | 2v @ 2ma, 2a | 3000 @ 1a, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||
![]() | DMP3018SSS-13 | 0,6300 | ![]() | 3241 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMP3018 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 10.5a (TA), 25a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 11.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 57 NC @ 10 V | ± 25 V | 2714 PF @ 15 V | - - - | 1.2W (TA) | ||||||||||||
![]() | DMN6069SFGQ-13 | 0,7100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN6069 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 50mohm @ 4,5a, 10 V | 3v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1480 PF @ 30 V | - - - | 2.4W | ||||||||||||
![]() | DDTA123JKA-7-F | - - - | ![]() | 3620 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA123 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||
![]() | ZXT13N50DE6TA | 0,6800 | ![]() | 196 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXT13N50 | 1,1 w | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 50 v | 4 a | 100na | Npn | 180mv @ 400 mA, 4a | 300 @ 1a, 2v | 115 MHz | ||||||||||||||||
ADTA113ZCAQ-13 | - - - | ![]() | 3234 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTA113 | 310 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-atta113zcaq-13tr | Veraltet | 10.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | - - - | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
DNLS320E-13 | 0,5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | DNLS320 | 1 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 20 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 450 MV @ 20 Ma, 3a | 400 @ 2a, 2v | 150 MHz | |||||||||||||||||
![]() | ADA114EUQ-7 | 0,0654 | ![]() | 1099 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ADA114 | 270 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | - - - | - - - | 250 MHz | 10kohm | 10kohm | |||||||||||||||
![]() | DMN2011UFDE-13 | 0,2150 | ![]() | 7969 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerudfn | DMN2011 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (Typ E) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 11.7a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 9,5 MOHM @ 7A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 12 V | 3372 PF @ 10 V | - - - | 610 MW (TA) | ||||||||||||
![]() | DMNH45M7SCT | 1.5352 | ![]() | 8287 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | DMNH45 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 220a (TC) | 10V | 6mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 64.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4043 PF @ 20 V | - - - | 240W (TC) | ||||||||||||
![]() | DXT13003EK-13 | - - - | ![]() | 7398 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DXT13003 | 1,6 w | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 460 V | 1,5 a | - - - | Npn | 400 mV @ 250 mA, 1a | 15 @ 300 mA, 2V | 4MHz | ||||||||||||||||
2N7002-7 | - - - | ![]() | 3190 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 115 Ma (TA) | 5v, 10V | 7.5OHM @ 50 Ma, 5V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 370 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | DMT2004UFG-7 | 0,6100 | ![]() | 3407 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT2004 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 24 v | 70a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 5mohm @ 12a, 10V | 1,45 V @ 250 ähm | 53.7 NC @ 10 V. | ± 12 V | 1683 PF @ 15 V | - - - | 2,3 W (TA) | ||||||||||||
![]() | DMN5L06T-7 | - - - | ![]() | 1303 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMN5L06 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 280 Ma (TA) | 1,8 V, 2,7 V. | 3OHM @ 200 Ma, 2,7 V. | 1,2 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 150 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | Zumt918ta | 0,4500 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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