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Transistoren (6028)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DVR1V8W-7 | 0,3000 |  | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Dvr1v8wditr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | DMP210DUFB4-7 | 0,2700 | | 49 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMP210 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN1006-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 200 Ma (TA) | 1,2 V, 4,5 V. | 5ohm @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 10 V | 175 PF @ 15 V | - - - | 350 MW (TA) | ||||||||||||||
 | ZTX696BSTOB | - - - | | 2525 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX696B | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 180 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 5ma, 200 mA | 150 @ 200 Ma, 5V | 70 MHz | ||||||||||||||||||
 | BCP6825TC | - - - | | 6585 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP6825 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 160 @ 500 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
 | DMP2077UCA3-7 | 0,4100 | | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMP2077 | MOSFET (Metalloxid) | X4-dsn1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 4a (ta) | 1,5 V, 8 V. | 78mohm @ 500 mA, 8v | 1V @ 250 ähm | 1,34 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 143 PF @ 10 V. | - - - | 660 MW | |||||||||||||
 | DMT10H9M9SSS-13 | 0,4606 | | 1677 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DMT10 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT10H9M9SSS-13TR | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMP2035UTS-13 | 0,6000 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | DMP2035 | MOSFET (Metalloxid) | 890 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 P-Kanal (Dual) Gemeinsamer Abfluss | 20V | 6.04a | 35mohm @ 4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 15.4nc @ 4,5 V | 1610pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
 | DMTH6009LK3Q-13 | 1.2600 | | 8971 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMTH6009 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 14,2a (TA), 59a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10MOHM @ 13.5a, 10V | 2v @ 250 ähm | 33,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1925 PF @ 30 V | - - - | 3,2 W (TA), 60 W (TC) | |||||||||||||
| MJD2873Q-13 | 0,4500 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD2873 | 1,45 w | To-252, (d-pak) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 2 a | 100na | Npn | 300 mV @ 50 Ma, 1a | 120 @ 500 mA, 2V | 65 MHz | ||||||||||||||||||
 | DMN32D0LVQ-7 | 0,4600 | | 4321 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DMN32 | MOSFET (Metalloxid) | 480 MW (TA) | SOT-563 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 680 Ma (TA) | 1,2OHM @ 100 mA, 4V | 1,2 V @ 250 ähm | 0,62NC @ 4,5 V. | 44.8PF @ 15V | Standard | ||||||||||||||||
 | DDTA144VE-7 | 0,3500 | | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTA144 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
| DDTC115GE-7 | - - - | | 9727 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC115 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | |||||||||||||||||
 | BC807-16-7-F | 0,2100 | | 220 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC807 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| ZTX688BSTOA | - - - | | 6206 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | Ztx688b | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 12 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 20 Ma, 3a | 500 @ 100 mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||||
| FZT789AQTA | 0,3917 | | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT789A | 1,2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-FZT789AQTATR | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 35 V | 3 a | 100na | PNP | 500mv @ 100 mA, 3a | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz | ||||||||||||||||
 | DDTA114EUA-7-F | 0,2500 | | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA114 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
| DDTA114YUA-7 | - - - | | 1898 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA114 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
 | DMNH6065SSDQ-13 | 0,4410 | | 9009 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMNH6065 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5 W (TA) | 8-so | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMNH6065SSDQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 3.8a (TA) | 65mohm @ 3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11.3nc @ 10v | 446PF @ 30V | - - - | ||||||||||||||||
 | Fcx1047ata | 0,7100 | | 57 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FCX1047 | 2 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 10 v | 4 a | 10na | Npn | 350 MV @ 25ma, 5a | 300 @ 1a, 2v | 150 MHz | |||||||||||||||||
| ZTX855 | 1.0200 | | 7432 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | 1,2 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 150 v | 4 a | 50na (ICBO) | Npn | 260mv @ 400 mA, 4a | 100 @ 1a, 5V | 90 MHz | ||||||||||||||||||
| ZXTP5401ZTA | 0,4600 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | ZXTP5401 | 1,2 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 150 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| 2N7002VAC-7 | 0,1127 | | 12 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 280 Ma | 7.5OHM @ 50 Ma, 5V | 2,5 V @ 250 ähm | - - - | 50pf @ 25v | - - - | |||||||||||||||
| Ztx690b | 0,8900 | | 7 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX690 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 45 V | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 1a | 400 @ 1a, 2v | 150 MHz | |||||||||||||||||
 | ZXMD63N02XTC | - - - | | 4311 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | ZXMD63 | MOSFET (Metalloxid) | 1.04W | 8-msop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 2.5a | 130 MOHM @ 1,7A, 4,5 V. | 3v @ 250 ähm | 6nc @ 4,5 V | 700PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
| DMP2004DWK-7 | 0,4900 | | 2167 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMP2004 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 430 Ma | 900MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | - - - | 175PF @ 16V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
 | DST3906DJ-7 | 0,0589 | | 6008 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-963 | DST3906 | 300 MW | SOT-963 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40V | 200 ma | 50na (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||||
| DCX143TU-7-F | 0,3000 | | 94 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DCX143 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | - - - | ||||||||||||||||
| DDA143TU-7 | 0,4200 | | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDA143 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | - - - | ||||||||||||||||
 | DDTC143EUA-7 | 0,1000 | | 12 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTC143 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2DB1132P-13 | - - - | | 2273 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2DB1132 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 32 v | 1 a | 500NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 82 @ 100 mA, 3V | 190 MHz |
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