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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Fcx790ata | 0,5700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FCX790 | 2 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 40 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 450 MV @ 50 Ma, 2a | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | Ztx1147a | - - - | ![]() | 3013 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | Ztx1147a | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 12 v | 4 a | 100na | PNP | 235mv @ 70 mA, 4a | 250 @ 500 mA, 2V | 115 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | ZTX658QSTZ | 0,3920 | ![]() | 4766 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX658 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 400 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 5V | 50 MHz | |||||||||||||||||||
FZT968ta | 0,9900 | ![]() | 93 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT968 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 12 v | 6 a | 10NA (ICBO) | PNP | 450 MV @ 250 mA, 6a | 300 @ 500 mA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | DDTC144GKA-7-F | - - - | ![]() | 5586 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC144 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | |||||||||||||||||||
MMST4401-7-F | 0,2500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMST4401 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | - - - | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | ZVP3310ASTOB | - - - | ![]() | 1943 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 100 v | 140 mA (TA) | 10V | 20ohm @ 150 mA, 10V | 3,5 V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 625 MW (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | DMN2215UDM-7 | 0,5600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | DMN2215 | MOSFET (Metalloxid) | 650 MW | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 2a | 100MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | - - - | 188pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||
![]() | DMP4047SSDQ-13 | 0,8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMP4047 | MOSFET (Metalloxid) | 1,3W (TA) | 8-so | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 40V | 5.1a (ta) | 45mohm @ 4.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21.5nc @ 10v | 1154PF @ 20V | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | Ddta144ee-7 | 0,3500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTA144 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||
Ddta144eca-7-f | 0,2200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA144 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||
DMN2029uvt-7 | 0,1127 | ![]() | 9171 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMN2029 | MOSFET (Metalloxid) | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN2029uvt-7di | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6.8a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 6.2a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 7.1 NC @ 4.5 V. | ± 10 V | 646 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||
Fmmt5179ta | - - - | ![]() | 4991 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt5179 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 15 dB | 12V | 50 ma | Npn | 25 @ 3ma, 1V | 2GHz | 4,5 dB bei 200 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | DMP1055USW-13 | 0,0977 | ![]() | 6788 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMP1055 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 12 v | 3.8a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 48mohm @ 3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1028 PF @ 6 V | - - - | 660 MW | |||||||||||||||
DMN61D8LQ-7 | 0,4600 | ![]() | 5162 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN61 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 470 mA (TA) | 3V, 5V | 1,8OHM @ 150 mA, 5V | 2V @ 1ma | 0,74 NC @ 5 V | ± 12 V | 12.9 PF @ 12 V. | - - - | 390 MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | ACX114EUQ-13R | 0,0481 | ![]() | 3339 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ACX114 | 270 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10kohm | 10kohm | ||||||||||||||||||
![]() | ZXTN4002ZTA | 0,4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | ZXTN4002 | 1,5 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 100 v | 1 a | 50na (ICBO) | Npn | - - - | 100 @ 150 mA, 200mV | - - - | |||||||||||||||||||
DJT4031N-13 | 0,4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | DJT4031 | 1,2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 40 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 300 mA, 3a | 200 @ 1a, 1V | 105 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | ZVP2120astoa | - - - | ![]() | 5514 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZVP2120 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 200 v | 120 Ma (TA) | 10V | 25ohm @ 150 mA, 10V | 3,5 V @ 1ma | ± 20 V | 100 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||
Fmmt591aqta | 0,4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt591 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 1 a | 100na | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 300 @ 100 mA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||
DDTC114YUA-7-F-50 | 0,0306 | ![]() | 3801 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automotive, AEC-Q101, DDTA (R1 ≠ R2-Serie) UA | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTC114 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | 31-DDTC114YUA-7-F-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||
MMBT5401-7 | - - - | ![]() | 8572 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT5401 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 150 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | DDA114EK-7-F | - - - | ![]() | 6007 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | DDA114 | 300 MW | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10kohm | 10kohm | ||||||||||||||||||
![]() | DMP2006UFGQ-7 | 0,3819 | ![]() | 8536 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP2006 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 20 v | 17,5a (TA), 40a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 5,5 MOHM @ 15a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 200 nc @ 10 v | ± 10 V | 7500 PF @ 10 V. | - - - | 2,3 W (TA), 41W (TC) | |||||||||||||||
ZVN4306GVTA | 1.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZVN4306 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 2.1a (ta) | 5v, 10V | 330mohm @ 3a, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 3W (TA) | |||||||||||||||||
![]() | DMTH4014LPDQ-13 | 0,4208 | ![]() | 9330 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH4014 | MOSFET (Metalloxid) | 2,41W (TA), 42,8W (TC) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 10.6a (TA), 43,6a (TC) | 15mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10.2nc @ 10v | 733PF @ 20V | - - - | |||||||||||||||||
DDTC114YCAQ-7-F | 0,0524 | ![]() | 3474 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Ddtc (r1 ≠ r2 -serie) ca. | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDTC114YCAQ-7-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | FMMT411FDBWQ-7 | 3.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 820 MW | W-DFN2020-3 (Typ A) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 15 v | 5 a | 100NA (ICBO) | Npn - avalanche -modus | 100 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 10 mA, 10 V. | 110 MHz | |||||||||||||||||||||
DDTB114GC-7-F | - - - | ![]() | 2896 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTB114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 5ma, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | Fcx1149ata | 0,7400 | ![]() | 466 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FCX1149 | 2 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 25 v | 3 a | 100na | PNP | 350 mv @ 140 mA, 4a | 250 @ 500 mA, 2V | 135 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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