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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DMN6013LFG-7 Diodes Incorporated DMN6013LFG-7 0,7300
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN6013 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 60 v 10.3a (TA), 45A (TC) 4,5 V, 10 V. 13mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 55,4 NC @ 10 V. ± 20 V 2577 PF @ 30 V - - - 1W (TA)
DMP1055USW-7 Diodes Incorporated DMP1055USW-7 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP1055 MOSFET (Metalloxid) SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 12 v 3.8a (TA) 1,5 V, 4,5 V. 48mohm @ 3a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 13 NC @ 4,5 V. ± 8 v 1028 PF @ 6 V - - - 660 MW
ZXTN4006ZTA Diodes Incorporated ZXTN4006ZTA 0,4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa ZXTN4006 1,5 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 200 v 1 a 50na (ICBO) Npn - - - 100 @ 150 mA, 320 MV - - -
DDTA144TKA-7-F Diodes Incorporated DDTA144TKA-7-F - - -
RFQ
 ECAD 1543 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA144 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 47 Kohms
BC856AS-7 Diodes Incorporated BC856AS-7 0,2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 ma 15na 2 PNP (Dual) 650 mv @ 5ma, 100 mA 125 @ 2MA, 5V 100 MHz
DMN6070SFCL-7 Diodes Incorporated DMN6070SFCL-7 0,4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-Powerufdfn DMN6070 MOSFET (Metalloxid) X1-DFN1616-6 (Typ E) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 3a (ta) 4 V, 10V 85mohm @ 1,5a, 10V 3v @ 250 ähm 12.3 NC @ 10 V. ± 20 V 606 PF @ 20 V - - - 600 MW (TA)
ZVN0545ASTZ Diodes Incorporated ZVN0545ASTZ 0,7471
RFQ
 ECAD 2153 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 ZVN0545 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 450 V 90 mA (TA) 10V 50 Ohm @ 100 Ma, 10 V 3V @ 1ma ± 20 V 70 PF @ 25 V. - - - 700 MW (TA)
DMT3009UFVW-7 Diodes Incorporated DMT3009UFVW-7 0,1719
RFQ
 ECAD 7313 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMT3009 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DMT3009UFVW-7TR Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 10.6a (ta), 30a 4,5 V, 10 V. 11Mohm @ 11a, 10V 1,8 V @ 250 ähm 7.4 NC @ 10 V ± 12 V 894 PF @ 15 V - - - 1,2W (TA), 2,6W (TC)
ZTX755 Diodes Incorporated ZTX755 - - -
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 ZTX755 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ZTX755-NDR Ear99 8541.29.0075 4.000 150 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200 Ma, 1a 50 @ 500 mA, 5V 30 MHz
MMST3906-7 Diodes Incorporated MMST3906-7 - - -
RFQ
 ECAD 4257 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MMST3906 200 MW SOT-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 ma - - - PNP 300mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
DMP6018LPSQ-13 Diodes Incorporated DMP6018LPSQ-13 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 60 v 60a (TC) 4,5 V, 10 V. 18mohm @ 17a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 13.7 NC @ 10 V. ± 20 V 3505 PF @ 30 V - - - 2,6 W (TA), 113W (TC)
DMN3066LQ-13 Diodes Incorporated DMN3066LQ-13 0,0648
RFQ
 ECAD 1044 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN3066 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN3066LQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 30 v 3.6a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 67mohm @ 2,5a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 4.1 NC @ 4.5 V. ± 12 V 353 PF @ 10 V. - - - 810 MW (TA)
DMP3017SFV-13 Diodes Incorporated DMP3017SFV-13 - - -
RFQ
 ECAD 7515 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP3017 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 30 v 40a (TC) 4,5 V, 10 V. 10Mohm @ 11.5a, 10V 3v @ 250 ähm 41 nc @ 10 v ± 25 V 2246 PF @ 15 V - - - 31W (TA)
DMN2028UFDF-7 Diodes Incorporated DMN2028UFDF-7 0,4900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMN2028 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 7.9a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 25mohm @ 4a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 18 NC @ 8 V ± 8 v 907 PF @ 10 V - - - 660 MW (TA)
FMMT495QTA Diodes Incorporated Fmmt495qta 0,1814
RFQ
 ECAD 9757 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 500 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-FMMT495QTATR Ear99 8541.21.0075 3.000 150 v 1 a 100na Npn 300 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 250 mA, 10 V 100 MHz
DMN3032LFDB-7 Diodes Incorporated DMN3032LFDB-7 0,4000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMN3032 MOSFET (Metalloxid) 1W U-DFN2020-6 (Typ B) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 6.2a 30mohm @ 5.8a, 10V 2v @ 250 ähm 10.6nc @ 10v 500PF @ 15V - - -
DSS30101L-7 Diodes Incorporated DSS30101L-7 0,4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DSS30101 600 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 200mv @ 100ma, 1a 300 @ 500 mA, 5V 250 MHz
DMT6016LFDF-7 Diodes Incorporated DMT6016LFDF-7 0,6000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMT6016 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 8.9a (TA) 4,5 V, 10 V. 16mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 17 NC @ 10 V ± 20 V 864 PF @ 30 V - - - 820 MW (TA)
DMP3008SFG-7 Diodes Incorporated DMP3008SFG-7 0,4900
RFQ
 ECAD 917 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP3008 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 P-Kanal 30 v 8.6a (ta) 4,5 V, 10 V. 17mohm @ 10a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 47 NC @ 10 V ± 20 V 2230 PF @ 15 V - - - 900 MW (TA)
DMP57D5UV-7 Diodes Incorporated DMP57D5UV-7 - - -
RFQ
 ECAD 3576 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMP57D5UV MOSFET (Metalloxid) 400 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 50V 160 ma 6OHM @ 100 mA, 4V 1V @ 250 ähm - - - 29pf @ 25v Logikpegel -tor
DMT6005LCT Diodes Incorporated DMT6005LCT 1.4438
RFQ
 ECAD 7940 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 DMT6005 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 60 v 100a (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 47.1 NC @ 10 V. ± 20 V 2962 PF @ 30 V - - - 2,3 W (TA), 104W (TC)
DMPH4015SK3-13 Diodes Incorporated DMPH4015SK3-13 0,4263
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMPH4015 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 40 v 45a (TC) 4,5 V, 10 V. 11mohm @ 9.8a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 91 nc @ 10 v ± 25 V 4234 PF @ 20 V - - - 3.3W (TA)
DMMT3906-7-F Diodes Incorporated DMMT3906-7-F 0,4000
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 DMMT3906 225 MW SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40V 200 ma - - - 2 PNP (Dual) Matchieres Paar 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 250 MHz
DMP31D7LQ-13 Diodes Incorporated DMP31D7LQ-13 0,0480
RFQ
 ECAD 3784 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMP31 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 31-DMP31D7LQ-13 Ear99 8541.21.0095 10.000 P-Kanal 30 v 580 mA (TA) 4,5 V, 10 V. 900mohm @ 420 mA, 10V 2,6 V @ 250 ähm 0,36 NC @ 4,5 V. ± 20 V 19 PF @ 15 V - - - 430 MW (TA)
DMG3406L-7 Diodes Incorporated DMG3406L-7 0,4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMG3406 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 3.6a (TA) 4,5 V, 10 V. 50mohm @ 3,6a, 10 V 2v @ 250 ähm 11.2 NC @ 10 V ± 20 V 495 PF @ 15 V - - - 770 MW (TA)
DSS3515MQ-7 Diodes Incorporated DSS3515MQ-7 0,3300
RFQ
 ECAD 8553 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-Ufdfn 400 MW X1-DFN1006-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 15 v 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 50 mA, 500 mA 200 @ 10ma, 2v 340 MHz
DDTC144TCA-7 Diodes Incorporated DDTC144TCA-7 - - -
RFQ
 ECAD 2715 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTC144 200 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 47 Kohms
DDTB143EU-7-F Diodes Incorporated DDTB143EU-7-F 0,3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTB143 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 500 mA 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 47 @ 50 Ma, 5V 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DMP3007SPS-13 Diodes Incorporated DMP3007SPS-13 0,9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMP3007 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 90a (TC) 4,5 V, 10 V. 7mohm @ 15a, 10V 3v @ 250 ähm 64.2 NC @ 10 V. ± 25 V 2826 PF @ 15 V - - - 2.7W (TA)
DCP51-16-13 Diodes Incorporated DCP51-16-13 - - -
RFQ
 ECAD 9530 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa DCP51 1 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 45 V 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 200 MHz
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