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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMC4040SSD-13 | 0,8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMC4040 | MOSFET (Metalloxid) | 1,8W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 6.8a | 25mohm @ 3a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 37.6nc @ 10v | 1790pf @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
BC847B-13-F | 0,2000 | ![]() | 82 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC847 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 450 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DDA113TU-7-F | 0,4900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDA113 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 1kohm | - - - | ||||||||||||||||
![]() | DMP26M7UFG-13 | 0,3197 | ![]() | 1613 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP26 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMP26M7UFG-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 18A (TA), 40A (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 6,7 MOHM @ 15a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 156 NC @ 10 V | ± 10 V | 5940 PF @ 10 V. | - - - | 2,3 W (TA) | ||||||||||||
![]() | DDTC143EE-7 | 0,3500 | ![]() | 691 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTC143 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-ddtc143ee-7dkr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907AT-7-F | 0,3500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | MMBT2907 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||||
DDTC114TCA-7 | - - - | ![]() | 1192 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | DMTH8008SFGQ-13 | 0,5557 | ![]() | 3773 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMTH8008SFGQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 17a (Ta), 68a (TC) | 6 V, 10V | 7mohm @ 14a, 10V | 4v @ 1ma | 31.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1945 PF @ 40 V. | - - - | 1,2 W (TA), 50 W (TC) | |||||||||||||||
![]() | ZXMN2A01E6TA | 0,5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXMN2 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 120 MOHM @ 4A, 4,5 V. | 700 MV @ 250 um (min) | 3 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 303 PF @ 15 V | - - - | 1.1W (TA) | |||||||||||||
BCP5616TTC | 0,0750 | ![]() | 3713 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP5616 | 2,5 w | SOT-223-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BCP5616TTCTR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||||||
ZXMP6A13FQTA | 0,5800 | ![]() | 1142 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXMP6A13 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 900 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 400mohm @ 900 mA, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 2,9 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 219 PF @ 30 V | - - - | 625 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | DMTH4001STLWQ-13 | 2.3520 | ![]() | 2876 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerfn | DMTH4001 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI1012-8 | Herunterladen | 31-DMTH4001STLWQ-13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 300A (TC) | 10V | 0,85 MOHM @ 30a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | ± 20 V | 13185 PF @ 20 V | - - - | 6W (TA), 300 W (TC) | |||||||||||||||
FZT458ta | 0,6400 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT458 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 400 V | 300 ma | 100na | Npn | 500mv @ 6ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | 50 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MMBT3906LP-7 | 0,3800 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | MMBT3906 | 250 MW | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | 50na (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||||
![]() | ZXMN2A05N8TA | - - - | ![]() | 7600 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Digi-reel® | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 20 v | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | DMN3401LDWQ-13 | 0,0613 | ![]() | 9863 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN3401 | MOSFET (Metalloxid) | 290 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN3401LDWQ-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 800 mA (TA) | 400mohm @ 590 mA, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 1,2nc @ 10v | 50pf @ 15V | - - - | ||||||||||||||||
![]() | ZDT694QTA | 0,7088 | ![]() | 2825 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT694 | 2.25W | Sm8 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-zdt694qtatr | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 120 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 500mv @ 5ma, 400 mA | 500 @ 150 mA, 2V | 130 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMP2021UFDE-7 | 0,5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerudfn | DMP2021 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (Typ E) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 11.1a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 16mohm @ 7a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 59 NC @ 8 V. | ± 10 V | 2760 PF @ 15 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||||||||||
DDTC114WCA-7-F | 0,2200 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 24 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
FZT857XDW | - - - | ![]() | 5233 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,6 w | SOT-223-3 | - - - | 31-FZT857XDW | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 3.5 a | 50na | Npn | 345mv @ 600 mA, 3,5a | 100 @ 500 mA, 10V | 80MHz | |||||||||||||||||||||
ZXMN2F34MATA | - - - | ![]() | 1685 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | DFN322 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 60 MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 2,8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 277 PF @ 10 V | - - - | 1,35W (TA) | |||||||||||||||
![]() | Di9430t | 1.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Di9430 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 981-di9430t | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH6012LPSWQ-13 | 0,2741 | ![]() | 9543 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH6012 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 (Typ q) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 31-DMTH6012LPSWQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 11,5a (TA), 50,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 20a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 13.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 785 PF @ 30 V | Standard | 2,8 W (TA), 53,6W (TC) | ||||||||||||
![]() | Ztx789a | 0,4494 | ![]() | 5577 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX789 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX789A-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 25 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 3a | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | BCM857BS-7-F | 0,3100 | ![]() | 114 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BCM857 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
ZXM64N02XTA | - - - | ![]() | 7509 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-msop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 20 v | 5.4a (TA) | 2,7 V, 4,5 V. | 40mohm @ 3,8a, 4,5 V. | 700 MV @ 250 um (min) | 16 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 1100 PF @ 15 V | - - - | 1.1W (TA) | |||||||||||||||
![]() | DSS3515M-7b | 0,0873 | ![]() | 2554 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DSS3515 | 250 MW | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 15 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 50 mA, 500 mA | 150 @ 100 mA, 2V | 340 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DMG6968UDM-7 | 0,4600 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | DMG6968 | MOSFET (Metalloxid) | 850 MW | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 6.5a | 24MOHM @ 6,5A, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 8,8nc @ 4,5V | 143pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
![]() | ZVP2120ASTOB | - - - | ![]() | 8830 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZVP2120 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 200 v | 120 Ma (TA) | 10V | 25ohm @ 150 mA, 10V | 3,5 V @ 1ma | ± 20 V | 100 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | DMP2066LDM-7 | 0,4200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | DMP2066 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 40mohm @ 4,6a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 10.1 NC @ 4.5 V. | ± 12 V | 820 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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