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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMT6016LPS-13 | 0,5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMT6016 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 10.6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 864 PF @ 30 V | - - - | 1.23W (TA) | |||||||||||||
![]() | ZVN2106ASTOA | - - - | ![]() | 9505 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 450 Ma (TA) | 10V | 2OHM @ 1a, 10V | 2,4 V @ 1ma | ± 20 V | 75 PF @ 18 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DMT69M8LFV-13 | 0,7100 | ![]() | 5924 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT69 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (Typ UX) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 45a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 13,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 33,5 NC @ 10 V. | ± 16 v | 1925 PF @ 30 V | - - - | 42W (TC) | |||||||||||||
DMN3404L-7-50 | 0,0758 | ![]() | 5538 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN3404 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-DMN3404L-7-50 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4.2a (TA) | 3 V, 10V | 28mohm @ 5.8a, 10V | 2v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 498 PF @ 15 V | - - - | 720 MW | ||||||||||||||||
FZT755ta | 0,8300 | ![]() | 705 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT755 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 150 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 1a | 50 @ 500 mA, 5V | 30 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DSS3515M-7b | 0,0873 | ![]() | 2554 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DSS3515 | 250 MW | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 15 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 50 mA, 500 mA | 150 @ 100 mA, 2V | 340 MHz | |||||||||||||||||
![]() | ZVP4424astz | 0,4880 | ![]() | 8277 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZVP4424 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 240 V | 200 Ma (TA) | 3,5 V, 10 V. | 9OHM @ 200 Ma, 10V | 2V @ 1ma | ± 40 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 750 MW (TA) | ||||||||||||||
Ddtb114ec-7-f | 0,0435 | ![]() | 2842 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTB114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DMTH4008LFDFW-13 | 0,2226 | ![]() | 4680 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMTH4008 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (SWP) (Typ F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 40 v | 11.6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11,5 MOHM @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 14.2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1030 PF @ 20 V | - - - | 990 MW (TA) | |||||||||||||
![]() | MMDT4401-7 | - - - | ![]() | 5093 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mmdt4401 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 600 mA | - - - | 2 NPN (Dual) | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||
![]() | ZXMHC3A01T8TA | 1.7000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZXMHC3 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | Sm8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 2 n und 2 p-kanal (Halbe Brücke) | 30V | 2.7a, 2a | 120 MOHM @ 2,5A, 10 V | 3v @ 250 ähm | 3,9nc @ 10v | 190pf @ 25v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
MMBT4401-7-F | 0,1400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT4401 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 100na | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | ADC144EUQ-13 | 0,3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ADC144 | 270 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | - - - | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | ||||||||||||||||
DDTD123YC-7-F | 0,3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTD123 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DMT615MLFV-7 | 0,2258 | ![]() | 6836 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT615 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (Typ UX) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 8,5a (TA), 38a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1039 PF @ 30 V | - - - | 1.76W (TA) | |||||||||||||
![]() | DMP2090UFDB-13 | 0,0805 | ![]() | 6424 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMP2090 | MOSFET (Metalloxid) | 790 MW (TA) | U-DFN2020-6 (Typ B) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMP2090UFDB-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | 2 p-kanal (dual) Gemeinsame Quelle | 20V | 3.2a (ta) | 90 MOHM @ 4A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6,8nc @ 4,5V | 634PF @ 10V | - - - | ||||||||||||||||
![]() | ZTX857QSTZ | 0,5862 | ![]() | 7082 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | 1,2 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-CKTX857QSTZTB | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 300 V | 3 a | 50na | Npn | 250mv @ 600 mA, 3a | 100 @ 500 mA, 10V | 80MHz | |||||||||||||||||||
![]() | ADC144EUQ-7 | 0,0651 | ![]() | 3543 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ADC144 | 270 MW | SOT-363 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | ||||||||||||||||
![]() | ZXMC4559DN8TC | - - - | ![]() | 4136 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ZXMC4559 | MOSFET (Metalloxid) | 2.1W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 60 v | 3,6a, 2,6a | 55mohm @ 4,5a, 10V | 1 V @ 250 um (min) | 20.4nc @ 10v | 1063PF @ 30V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
![]() | DMP2088LCP3-7 | - - - | ![]() | 7748 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMP2088 | MOSFET (Metalloxid) | X2-dsn1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2,9a (ta) | 1,8 V, 8 V. | 88mohm @ 500 mA, 8v | 1,2 V @ 250 ähm | 1,5 NC @ 4,5 V. | -12V | 160 PF @ 10 V. | - - - | 1.13W | |||||||||||||
DMN2004VK-7 | 0,4300 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DMN2004 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 540 Ma | 550MOHM @ 540 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | - - - | 150pf @ 16v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||
![]() | DMG6302UDW-7 | 0,0606 | ![]() | 9711 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMG6302 | MOSFET (Metalloxid) | 310 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMG6302Udw-7tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 25 v | 150 mA (TA) | 10OHM @ 140 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 0,34nc @ 4,5 V | 30.7pf @ 10v | - - - | ||||||||||||||||
![]() | DMP21D0UFD-7 | 0,4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn | DMP21 | MOSFET (Metalloxid) | X1-DFN1212-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 820 Ma (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 495mohm @ 800 mA, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 3 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 80 PF @ 10 V | - - - | 490 MW (TA) | |||||||||||||
DMN2029uvt-13 | 0,0990 | ![]() | 4474 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMN2029 | MOSFET (Metalloxid) | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN2029UVT-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 6.8a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 6.2a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 7.1 NC @ 4.5 V. | ± 10 V | 646 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||
![]() | DMC4040SSD-13 | 0,8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMC4040 | MOSFET (Metalloxid) | 1,8W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 6.8a | 25mohm @ 3a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 37.6nc @ 10v | 1790pf @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
![]() | Ddta123ye-7-f | 0,0605 | ![]() | 1677 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTA123 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DDTC143EE-7 | 0,3500 | ![]() | 691 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTC143 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-ddtc143ee-7dkr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907AT-7-F | 0,3500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | MMBT2907 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||||
BC847B-13-F | 0,2000 | ![]() | 82 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC847 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 450 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DDA113TU-7-F | 0,4900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDA113 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 1kohm | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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