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Transistoren (6028)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DMTH6016LFVWQ-7	0,6400	RFQ	2	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke	8-Powervdfn	DMTH6016	MOSFET (Metalloxid)		PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.000		N-Kanal	60 v	41a (TC)	4,5 V, 10 V.	16mohm @ 20a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	15.1 NC @ 10 V.	± 20 V	939 PF @ 30 V	- - -	1.17W (TA)
Fmmta13tc	- - -	RFQ	8840	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	Fmmta13		330 MW	SOT-23-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	10.000													40 v	300 ma	100na	NPN - Darlington	900 mV @ 100 µA, 100 mA	10000 @ 100 mA, 5V	- - -
Fcx1151ata	0,7100	RFQ	6	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa	FCX1151		2 w	SOT-89-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0075	1.000													40 v	3 a	100na	PNP	300mV @ 250 mA, 3a	250 @ 500 mA, 2V	145 MHz
DDTD122LC-7-F	- - -	RFQ	7958	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DDTD122		200 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000													50 v	500 mA	500NA	NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 2,5 mA, 50 mA	56 @ 50 Ma, 5V	200 MHz	220 Ohm	10 Kohms
DMT8008LPS-13	0,3910	RFQ	1264	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	DMT8008	MOSFET (Metalloxid)		PowerDI5060-8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	DMT8008LPS-13DI	Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	80 v	83a (TC)	4,5 V, 10 V.	7,8 MOHM @ 14A, 10V	2,8 V @ 1ma	41,2 NC @ 10 V.	± 20 V	2345 PF @ 40 V	- - -	1,3W (TA), 83W (TC)
Fmmt618qta	0,1634	RFQ	3	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	Fmmt618		625 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	31-fmmt618qtatr	Ear99	8541.21.0075	3.000													20 v	2,5 a	100na	Npn	200mv @ 50 Ma, 2,5a	300 @ 200 Ma, 2V	140 MHz
DMP3105LVT-7	0,4500	RFQ	42	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6	DMP3105	MOSFET (Metalloxid)		TSOT-26	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	30 v	3.1a (ta)	2,5 V, 10 V.	75mohm @ 4.2a, 10V	1,5 V @ 250 ähm	19,8 NC @ 10 V.	± 12 V	839 PF @ 15 V	- - -	1.15W (TA)
DMTH6009LPSQ-13	0,3716	RFQ	8197	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	DMTH6009	MOSFET (Metalloxid)		PowerDI5060-8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	60 v	11.76a (TA), 89,5a (TC)	4,5 V, 10 V.	10Mohm @ 20a, 10V	2v @ 250 ähm	33,5 NC @ 10 V.	± 16 v	1925 PF @ 30 V	- - -	2,8 W (TA), 136 W (TC)
DDTD114EU-7-F	- - -	RFQ	9312	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	DDTD114		200 MW	SOT-323	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000													50 v	500 mA	500NA	NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 2,5 mA, 50 mA	56 @ 50 Ma, 5V	200 MHz	10 Kohms	10 Kohms
APT13003EZTR-G1	- - -	RFQ	5959	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Box (TB)	Veraltet	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads	APT13003		1,1 w	To-92	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	APT13003EZTR-G1DI	Ear99	8541.29.0095	2.000													465 v	1,5 a	- - -	Npn	400 mV @ 250 mA, 1a	13 @ 500 mA, 2V	4MHz
DDTC114EUA-7-F	0,2500	RFQ	29	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	DDTC114		200 MW	SOT-323	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000													50 v	100 ma	500NA	NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5ma, 5v	250 MHz	10 Kohms	10 Kohms
DDC114YUQ-13-F	0,0528	RFQ	9992	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101, DDC (XXXX) U.	Band & Rollen (TR)	Aktiv		Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDC114		200 MW	SOT-363	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-DDC114YUQ-13-FTR	Ear99	8541.21.0075	10.000													50V	100 ma	500NA (ICBO)	2 NPN - Voresingenben (Dual)	300 mV @ 250 ua, 5 mA	80 @ 5ma, 5V	250 MHz	10kohm	47kohm
DMN3016LDV-7	0,6300	RFQ	2274	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	DMN3016	MOSFET (Metalloxid)		PowerDI3333-8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.000	2 n-kanal (dual)			21a (TC)		12mohm @ 7a, 10V	2v @ 250 ähm	9,5nc @ 4,5 V		1184PF @ 15V	- - -
DMN3033LSD-13	0,6800	RFQ	9271	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	DMN3033	MOSFET (Metalloxid)	2W	8-so	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500	2 n-kanal (dual)		30V	6.9a		20mohm @ 6.9a, 10V	2,1 V @ 250 ähm	13nc @ 10v		725PF @ 15V	Logikpegel -tor
DXTP5840CFDB-7	0,4200	RFQ	7552	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	3-udfn exponiert pad	DXTP5840		690 MW	U-DFN2020-3 (Typ B)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000													40 v	4.8 a	100na	PNP	370mv @ 30ma, 3a	250 @ 10 mA, 2V	135 MHz
ZXTD2M832TA	- - -	RFQ	4949	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-VDFN Exposed Pad	ZXTD2M832		1.7W	8-mlp (3x2)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	3.000													20V	3.5a	25na	2 PNP (Dual)	300 MV @ 350 Ma, 3,5a	150 @ 2a, 2v	180 MHz
DMP3098LDM-7	- - -	RFQ	8212	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6	DMP3098	MOSFET (Metalloxid)		SOT-26	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	30 v	4a (ta)	4,5 V, 10 V.	65mohm @ 4a, 10V	2,1 V @ 250 ähm	7,8 NC @ 10 V	± 20 V	336 PF @ 25 V.	- - -	1,25W (TA)
DMP610DLQ-13	0,0406	RFQ	3257	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-DMP610DLQ-13TR	Ear99	8541.21.0095	10.000		P-Kanal	60 v	186 ma (ta)	5v	10ohm @ 100 mA, 5V	2V @ 1ma	0,5 NC @ 5 V.	± 30 v	40 PF @ 25 V.	- - -	520 MW (TA)
DCX114EUQ-13R-F	0,0528	RFQ	7412	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101, DCX (XXXX) U.	Band & Rollen (TR)	Aktiv		Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DCX114		200 MW	SOT-363	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-DCX114EUQ-13R-FTR	Ear99	8541.21.0075	10.000													50V	100 ma	500NA (ICBO)	1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual)	300 mV @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5ma, 5v	250 MHz	10kohm	10kohm
DDC144EU-7	- - -	RFQ	9658	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic		Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDC144		200 MW	SOT-363	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000													50V	100 ma	500NA	2 NPN - Voresingenben (Dual)	300 mV @ 500 µA, 10 mA	68 @ 5ma, 5v	250 MHz	47kohm	47kohm
DMP3036SFVQ-7	0,2223	RFQ	8272	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	DMP3036	MOSFET (Metalloxid)		PowerDI3333-8 (Typ UX)	Herunterladen				31-DMP3036SFVQ-7	Ear99	8541.21.0095	2.000		P-Kanal	30 v	8.7a (TA), 30a (TC)	5v, 10V	20mohm @ 8a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	16,5 NC @ 10 V.	± 25 V	1931 PF @ 15 V	- - -	900 MW (TA)
Ddtc114ecaq-7-f	0,0375	RFQ	2483	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DDTC114		200 MW	SOT-23-3	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-DDTC114ecaq-7-Ftr	Ear99	8541.21.0075	3.000													50 v	100 ma	500NA	NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 500 µA, 10 mA	35 @ 5ma, 5V	250 MHz	10 Kohms	10 Kohms
DMC2710UV-13	0,0839	RFQ	6160	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-563, SOT-666	DMC2710	MOSFET (Metalloxid)	460 MW (TA)	SOT-563	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	DMC2710UV-13DI	Ear99	8541.21.0095	10.000	N-und p-kanal-krementär		20V	1,1a (TA), 800 mA (TA)		400 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V, 700 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V.	1V @ 250 ähm	0,6nc @ 4,5 V, 0,7nc @ 4,5 V.		42pf @ 16V, 49PF @ 16V	- - -
FZT1048ATC	- - -	RFQ	6434	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	FZT1048A		2,5 w	SOT-223-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0075	4.000													17,5 v	5 a	10na	Npn	350 MV @ 25ma, 5a	300 @ 1a, 2v	150 MHz
DDTC113ZCA-7	- - -	RFQ	2158	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic		Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DDTC113		200 MW	SOT-23-3	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000													50 v	100 ma	500NA	NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 500 µA, 10 mA	33 @ 5ma, 5v	250 MHz	1 Kohms	10 Kohms
DMN26D0UFB4-7	- - -	RFQ	2494	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	3-xfdfn	DMN26	MOSFET (Metalloxid)		X2-DFN1006-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000		N-Kanal	20 v	230 Ma (TA)	1,5 V, 4,5 V.	3OHM @ 100 mA, 4,5 V.	1,1 V @ 250 ähm		± 10 V	14.1 PF @ 15 V	- - -	350 MW (TA)
BC848A-7-F	0,2000	RFQ	28	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BC848		300 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000													30 v	100 ma	15na	Npn	600mv @ 5ma, 100 mA	110 @ 2MA, 5V	300 MHz
DMG3402LQ-13	0,1083	RFQ	8712	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DMG3402	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	DMG3402LQ-13DI	Ear99	8541.29.0095	10.000		N-Kanal	30 v	4a (ta)	2,5 V, 10 V.	52mohm @ 4a, 10V	1,4 V @ 250 ähm	11.7 NC @ 10 V	± 12 V	464 PF @ 15 V	- - -	1.4W
DMT3006LDK-7	0,4700	RFQ	5871	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powervdfn	DMT3006	MOSFET (Metalloxid)		V-DFN3030-8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	30 v	17,1a (TA), 46,2a (TC)	4,5 V, 10 V.	6,5 MOHM @ 12A, 10V	3v @ 250 ähm	22.6 NC @ 10 V.	± 20 V	1320 PF @ 15 V	- - -	1.1W (TA)
FZT690BTC	- - -	RFQ	9398	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	FZT690		2 w	SOT-223-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0075	4.000													45 V	3 a	100NA (ICBO)	Npn	500mv @ 5ma, 1a	150 @ 2a, 2v	150 MHz

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (6028)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²