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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN67D8LT-7 | 0,0644 | ![]() | 1607 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMN67 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 210 mA (TA) | 5v, 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 821 NC @ 10 V | ± 20 V | 22 PF @ 25 V. | - - - | 260 MW (TA) | |||||||||||||
Fmmt591qta | 0,3900 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt591 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 100na | PNP | 350 mV @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | ADC114YUQ-7 | 0,3200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ADC114 | 270 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | - - - | - - - | 250 MHz | 10kohms, 47kohms | 10kohms, 47kohms | ||||||||||||||||
![]() | DMHC4035LSD-13 | 0,8700 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMHC4035 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n und 2 p-kanal (Halbe Brücke) | 40V | 4,5a, 3,7a | 45mohm @ 3,9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 12.5nc @ 10v | 574PF @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
MMBT3904-7-F-52 | 0,0253 | ![]() | 5850 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-MMBT3904-7-F-52 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | 50na | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||
BC847BVCQ-7 | 0,1203 | ![]() | 8295 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | BC847 | 150 MW | SOT-563 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 31-BC847BVCQ-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||
MMST4401-7 | - - - | ![]() | 4397 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMST4401 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | - - - | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMTH10H032LFVWQ-13 | 0,2533 | ![]() | 7722 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | DMTH10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | - - - | 31-DMTH10H032LFVWQ-13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 26a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 11.9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 683 PF @ 50 V | - - - | 1.7W (TA) | |||||||||||||||
Fmmt718ta | 0,4000 | ![]() | 1151 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt718 | 625 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 1,5 a | 100na | PNP | 220 MV @ 50 Ma, 1,5a | 300 @ 100 mA, 2 V | 180 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMNH45M7SCT | 1.5352 | ![]() | 8287 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | DMNH45 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 220a (TC) | 10V | 6mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 64.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4043 PF @ 20 V | - - - | 240W (TC) | |||||||||||||
![]() | MMBT3906T-7-F | 0,2500 | ![]() | 266 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | MMBT3906 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | 50na | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DMN6068LK3Q-13-52 | 0,3003 | ![]() | 7290 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMN6068 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | 31-DMN6068LK3Q-13-52 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 68mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 502 PF @ 30 V | - - - | 2.12W (TA) | |||||||||||||||
![]() | DDTA144GE-7-F | 0,0605 | ![]() | 2522 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Ddta (r2-sery) e | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTA144 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DDTA144GE-FDITR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||
DMG2302UK-7 | 0,3400 | ![]() | 287 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMG2302 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2.8a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 90 MOHM @ 3,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 2,8 nc @ 10 v | ± 12 V | 130 PF @ 10 V. | - - - | 660 MW (TA) | ||||||||||||||
BCP5416QTA | 0,1198 | ![]() | 8375 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP5416 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BCP5416qtatr | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | DMP2005UFG-7 | 0,3236 | ![]() | 4450 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP2005 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 20 v | 89a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 4mohm @ 15a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 125 NC @ 10 V | ± 10 V | 4670 PF @ 10 V. | - - - | 2.2W (TA) | |||||||||||||
DMG1013UWQ-13 | 0,3500 | ![]() | 8525 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMG1013 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 820 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 750 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,62 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | 59.76 PF @ 16 V | - - - | 310 MW (TA) | ||||||||||||||
DMN32D0LVQ-13 | 0,0682 | ![]() | 2141 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DMN32 | MOSFET (Metalloxid) | 480 MW (TA) | SOT-563 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DMN32D0LVQ-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 N-Kanal | 30V | 680 Ma (TA) | 1,2OHM @ 100 mA, 4V | 1,2 V @ 250 ähm | 0,62NC @ 4,5 V. | 44.8PF @ 15V | Standard | ||||||||||||||||
MMSTA64-7 | 0,4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||
ZXMN2F34FHTA | 0,4600 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXMN2 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3.4a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 60 MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 2,8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 277 PF @ 10 V | - - - | 950 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | Zvn4210a | 0,8300 | ![]() | 9853 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | ZVN4210 | MOSFET (Metalloxid) | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | N-Kanal | 100 v | 450 Ma (TA) | 5v, 10V | 1,5OHM @ 1,5A, 10 V. | 2,4 V @ 1ma | ± 20 V | 100 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | DDTC124XKA-7-F | - - - | ![]() | 7480 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC124 | 200 MW | SC-59-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
BC857AW-7-F | 0,2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 200 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2DD2661-13 | - - - | ![]() | 6042 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2DD2661 | 900 MW | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.500 | 12 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 180mv @ 50 Ma, 1a | 270 @ 200 Ma, 2V | 170 MHz | |||||||||||||||||
ZVP4525GTC | - - - | ![]() | 1041 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | P-Kanal | 250 V | 265 Ma (TA) | 3,5 V, 10 V. | 14ohm @ 200 mA, 10V | 2V @ 1ma | 3,45 NC @ 10 V. | ± 40 V | 73 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||
MMSTA92-7 | - - - | ![]() | 6487 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMSTA92 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 100 ma | 250na (ICBO) | PNP | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 25 @ 30 Ma, 10V | 50 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | Ztx651Stob | - - - | ![]() | 4013 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX651 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 60 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | - - - | 175MHz | ||||||||||||||||||
![]() | ZTX451STZ | 0,2320 | ![]() | 7578 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX451 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 15ma, 150 mA | 50 @ 150 mA, 10V | 150 MHz | |||||||||||||||||
DDTB142TC-7-F | - - - | ![]() | 8356 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTB142 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 470 Ohm | ||||||||||||||||||
![]() | DMC3400SDW-7 | 0,4100 | ![]() | 186 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMC3400 | MOSFET (Metalloxid) | 310 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 650 mA, 450 mA | 400mohm @ 590 mA, 10V | 1,6 V @ 250 ähm | 1,4nc @ 10v | 55PF @ 15V | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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