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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | DDTC144GCA-7 | 0,1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTC144 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
DCX114TH-7 | 0,0945 | ![]() | 9135 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DCX114 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | - - - | |||||||||||||||||
![]() | DMTH43M8LPSQ-13 | 1.2300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH43 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 22A (TA), 100A (TC) | 5v, 10V | 3,3 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 49 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3367 PF @ 20 V | - - - | 2.7W (TA) | |||||||||||||
![]() | Fcx718ta | 0,6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FCX718 | 2 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 2,5 a | 100na | PNP | 300mv @ 200 Ma, 2,5a | 150 @ 2a, 2v | 180 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DDTC113ZKA-7-F | - - - | ![]() | 3355 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC113 | 200 MW | SC-59-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DMC1029UFDB-7 | - - - | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMC1029 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | U-DFN2020-6 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 12V | 5,6a, 3,8a | 29mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 19.6nc @ 8v | 914PF @ 6v | - - - | |||||||||||||||
![]() | DMN53D0LDWQ-7 | 0,1069 | ![]() | 8230 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN53 | MOSFET (Metalloxid) | 400 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN53D0LDWQ-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 50V | 460 Ma (TA) | 1,6OHM @ 500 mA, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,4nc @ 10v | 49.5PF @ 25v | - - - | |||||||||||||||
![]() | DMHC4035LSDQ-13-52 | 0,4578 | ![]() | 8702 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMHC4035 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5 W (TA) | 8-so | Herunterladen | 31-DMHC4035LSDQ-13-52 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n und 2 p-kanal (Halbe Brücke) | 40V | 4,5a (TA), 3,7a (TA) | 45mohm @ 3,9a, 10 V, 65MOHM @ 4,2a, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 12.5nc @ 10v, 11.1nc @ 10v | 574PF @ 20V, 587PF @ 20V | Standard | |||||||||||||||||
![]() | ZTX549 | 0,6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX549 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX549-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 750 MV @ 200ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | ||||||||||||||||
DDTA123TCA-7-F | 0,2200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA123 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | ZTX694BSTZ | 0,8900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX694 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 120 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 400 mA | 400 @ 200 Ma, 2V | 130 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DMN10H220LFDF-7 | 0,1010 | ![]() | 1079 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMN10 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN10H220LFDF-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 2.2a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 225mohm @ 2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6.7 NC @ 10 V | ± 20 V | 384 PF @ 25 V. | - - - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||
![]() | DMN601TK-7 | 0,3700 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMN601 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 300 mA (TA) | 5v, 10V | 2OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 150 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | ADTB122LCQ-7 | - - - | ![]() | 5535 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ADTB122 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-ATTB122LCQ-7TR | Veraltet | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
Ddta114ecaq-13-f | 0,0291 | ![]() | 2532 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-ddta114ecaq-13-Ftr | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | DDTA123YCA-7-F | 0,0386 | ![]() | 7262 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-23-3 Flache Leitungen | DDTA123 | 200 MW | SOT-23F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DCX69-13 | - - - | ![]() | 9267 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DCX69 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 85 @ 500 mA, 1V | 200 MHz | |||||||||||||||||
ADTC114EUAQ-13 | 0,2100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | ADTC114 | 330 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | - - - | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DMN601DWKQ-7 | 0,3800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN601 | MOSFET (Metalloxid) | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 305 Ma (TA) | 2OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | 0,304 NC @ 4,5 V. | 50pf @ 25v | - - - | |||||||||||||||
BCP5616TTA | 0,4000 | ![]() | 950 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP5616 | 2,5 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | HBDM60V600W-7 | - - - | ![]() | 1303 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | HBDM60V600 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V, 60 V | 500 mA, 600 mA | 100na | NPN, PNP | 400mv @ 10 mA, 100 mA / 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V / 100 @ 150 mA, 10 V. | 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DDTC114WE-7 | 0,3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DDTC114 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP22D4UFO-7B | 0,4400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMP22 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN0604-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 530 Ma (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 1,9OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,4 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 28.7 PF @ 15 V | - - - | 820 MW (TA) | |||||||||||||
![]() | ZXMN6A09KTC | - - - | ![]() | 5613 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | ZXMN6 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 7.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 40mohm @ 7.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 1426 PF @ 30 V | - - - | 2.15W (TA) | |||||||||||||
ZXT12N50DXTC | 0,6300 | ![]() | 9586 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | ZXT12N50 | 1.04W | 8-msop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 50V | 3a | 100na | 2 NPN (Dual) | 250mv @ 50 Ma, 3a | 300 @ 1a, 2v | 132 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | ZVN0124ZSTOB | - - - | ![]() | 5680 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 240 V | 160 mA (ta) | 10V | 16ohm @ 250 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 85 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||||||||||||||
ZXTP2012GTA | 0,8200 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZXTP2012 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 5.5 a | 20na (ICBO) | PNP | 250mv @ 500 mA, 5a | 100 @ 2a, 1V | 120 MHz | ||||||||||||||||||
ZVP4424GTA | 1.0900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZVP4424 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 240 V | 480 mA (TA) | 3,5 V, 10 V. | 9OHM @ 200 Ma, 10V | 2V @ 1ma | ± 40 V | 200 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA) | |||||||||||||||
![]() | DMP31D7LFB-7B | 0,0396 | ![]() | 5956 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DMP31 | MOSFET (Metalloxid) | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMP31D7LFB-7BTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 30 v | 810 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 900mohm @ 420 mA, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 0,36 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 19 PF @ 15 V | - - - | 530 MW (TA) | ||||||||||||||
DMP2240UW-7 | 0,4900 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMP2240 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1,5a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 150 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 12 V | 320 PF @ 16 V | - - - | 250 MW (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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