Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP2066LDMQ-7 | 0,1465 | ![]() | 6922 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | DMP2066 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 40mohm @ 4,6a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 10.1 NC @ 4.5 V. | ± 12 V | 820 PF @ 15 V | - - - | 1,25W (TA) | |||||||||||||||
![]() | DMP2900Udw-7 | 0,3500 | ![]() | 3120 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMP2900 | MOSFET (Metalloxid) | 370 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 630 Ma (TA) | 750 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,7nc @ 4,5 v | 49pf @ 16v | - - - | |||||||||||||||||||
DSS60600MZ4Q-13 | 0,5700 | ![]() | 5871 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 v | 6 a | 100NA (ICBO) | PNP | 350 MV @ 600 Ma, 6a | 150 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | ZXTP2096FQTA | 0,1444 | ![]() | 6271 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | 31-ZXTP2096FQTA | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2029USD-13 | 0,4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMN2029 | MOSFET (Metalloxid) | 1.2W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 5.8a | 25mo @ 6,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 18.6nc @ 8v | 1171pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||
![]() | BSS84DW-7 | - - - | ![]() | 1390 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BSS84 | MOSFET (Metalloxid) | 300 MW | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 50V | 130 ma | 10ohm @ 100 mA, 5V | 2V @ 1ma | - - - | 45PF @ 25v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||
DMP2037U-7 | 0,1078 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP2037 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMP2037U-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6.1a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 28mohm @ 2a, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 14,5 NC @ 8 V. | ± 10 V | 803 PF @ 10 V | - - - | 800 MW | |||||||||||||||
![]() | DXTN5860DFDB-7 | 0,5300 | ![]() | 6306 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 690 MW | U-DFN2020-3 (Typ B) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 6 a | 100na | Npn | 315mv @ 300 mA, 6a | 280 @ 500 mA, 2V | 115 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH8012LK3-13 | 0,9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMTH8012 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 80 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1949 PF @ 40 V. | - - - | 2.6W (TA) | |||||||||||||||
![]() | DMP6023LFG-7 | 0,9100 | ![]() | 8330 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP6023 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 60 v | 7.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 25mohm @ 5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 53.1 NC @ 10 V | ± 20 V | 2569 PF @ 30 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||||
![]() | DMT31M6LPS-13 | 0,5593 | ![]() | 2359 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMT31 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 35.8a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 1,35 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 123 NC @ 10 V | ± 20 V | 7019 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA) | |||||||||||||||
![]() | DMN62D0UT-13 | 0,0500 | ![]() | 2966 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMN62 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN62D0UT-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 320 Ma (TA) | 1,8 V, 2,5 V, 4,5 V. | 2OHM @ 50 Ma, 4,5 V. | 1v @ 250a | 0,5 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 32 PF @ 30 V | - - - | 230 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | DMN62D1LFD-7 | 0,4300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn | DMN62 | MOSFET (Metalloxid) | X1-DFN1212-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 400 mA (TA) | 1,8 V, 4V | 2OHM @ 100 mA, 4V | 1V @ 250 ähm | 0,55 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 36 PF @ 25 V. | - - - | 500 MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | DMP2200UdW-7 | 0,4100 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMP2200 | MOSFET (Metalloxid) | 450 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 900 Ma | 260 MOHM @ 880 mA, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 2.1nc @ 4.5V | 184pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||||
![]() | DMT3006LFG-7 | 0,7900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT3006 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 16A (TA), 55,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 22.6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1320 PF @ 15 V | - - - | 27,8W (TC) | |||||||||||||||
DMB53D0UV-13 | - - - | ![]() | 6204 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | 45 V NPN, 50 V N-Kanal | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DMB53 | SOT-563 | Herunterladen | 31-DMB53D0UV-13 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 100 Ma npn, 160 Ma n-kanal | NPN, N-Kanal | |||||||||||||||||||||||||||
ADTC143TUAQ-13 | 0,0320 | ![]() | 4328 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | ADTC143 | 330 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | DMN2011UFX-7 | 0,8200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-vfdfn exponiert pad | DMN2011 | MOSFET (Metalloxid) | 2.1W | V-DFN2050-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 12.2a (ta) | 9,5 MOHM @ 10a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 56nc @ 10v | 2248PF @ 10V | - - - | |||||||||||||||||
DCP52-13 | - - - | ![]() | 2288 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | DCP52 | 1 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | DMC1030UFDBQ-13 | 0,1866 | ![]() | 3414 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMC1030 | MOSFET (Metalloxid) | 1.36W | U-DFN2020-6 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-und p-kanal-krementär | 12V | 5.1a | 34mohm @ 4,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 23.1nc @ 10v | 1003PF @ 6v | - - - | |||||||||||||||||
BC846AQ-7-F | 0,0340 | ![]() | 9756 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC846 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BC846AQ-7-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | ZVP2110ASTZ | 0,3675 | ![]() | 1067 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZVP2110 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 100 v | 230 Ma (TA) | 10V | 8ohm @ 375 mA, 10V | 3,5 V @ 1ma | ± 20 V | 100 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DMHT6016LFJ-13 | 1.5800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 12-VDFN Exposed Pad | DMHT6016 | MOSFET (Metalloxid) | V-DFN5045-12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 4 N-Kanal (Halbe Brücke) | 60 v | 14,8a (ta) | 22mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 8,4nc @ 4,5V | 864PF @ 30V | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | DMN2250UFB-7B | 0,4200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DMN2250 | MOSFET (Metalloxid) | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 1,35a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 170 MOHM @ 1A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 3.1 NC @ 10 V. | ± 8 v | 94 PF @ 16 V | - - - | 500 MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | DMG6898LSDQ-13 | 0,8900 | ![]() | 2285 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMG6898 | MOSFET (Metalloxid) | 1.28W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 9,5a | 16mohm @ 9.4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 1149PF @ 10V | - - - | |||||||||||||||||
DMN61D8LVTQ-7 | 0,4900 | ![]() | 4035 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMN61 | MOSFET (Metalloxid) | 820 MW | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 630 Ma | 1,8OHM @ 150 mA, 5V | 2V @ 1ma | 0,74nc @ 5v | 12.9pf @ 12v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||
![]() | DMC4050SSDQ-13 | 0,8300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMC4050 | MOSFET (Metalloxid) | 1,8W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-und p-kanal-krementär | 40V | 5.3a | 45mohm @ 3a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 37.56nc @ 10v | 1790.8PF @ 20V | - - - | |||||||||||||||||
DCP54-16-13 | - - - | ![]() | 7708 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | DCP54 | 1 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||
ZXMP10A17GTA | 0,3360 | ![]() | 1944 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZXMP10 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 100 v | 1.7a (ta) | 6 V, 10V | 350 MOHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 10.7 NC @ 10 V | ± 20 V | 424 PF @ 50 V | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DMT3009LEV-7 | 0,1846 | ![]() | 9675 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | DMT3009 | - - - | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT3009LEV-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus