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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMTH6005LFG-7 | 0,5078 | ![]() | 2590 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMTH6005 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 31-DMTH6005LFG-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 19,7a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.1MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 48,7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3150 PF @ 30 V | - - - | 2,38W (TA), 75W (TC) | ||||||||||||
![]() | ZVN2120A | - - - | ![]() | 5373 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | MOSFET (Metalloxid) | To-92 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 180 ma (ta) | 10V | 10ohm @ 250 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 85 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DMN2022UNS-7 | 0,5900 | ![]() | 5044 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN2022 | MOSFET (Metalloxid) | 1.2W | PowerDI3333-8 (Typ UXB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 10.7a (ta) | 10,8 MOHM @ 4A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 20,3nc @ 4,5 V | 1870pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||
![]() | DMP2200UDW-13 | 0,4100 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMP2200 | MOSFET (Metalloxid) | 450 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 900 Ma | 260 MOHM @ 880 mA, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 2.1nc @ 4.5V | 184pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||
BC847AW-7-F | 0,0349 | ![]() | 4039 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC847 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 20na (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||
BCV47TC | 0,3500 | ![]() | 1930 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCV47 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 60 v | 500 mA | - - - | NPN - Darlington | 1 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 170 MHz | ||||||||||||||||||
FZT591ta | 0,6400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT591 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 100na | PNP | 600mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | ZXT10N15DE6TC | - - - | ![]() | 3620 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXT10N15D | 1,1 w | SOT-23-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 10.000 | 15 v | 4 a | 100na | Npn | 260mv @ 50 Ma, 4a | 200 @ 3a, 2v | 120 MHz | ||||||||||||||||||
AC817-40q-7 | 0,0483 | ![]() | 3417 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AC817 | 310 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMT10H052LFDF-13 | 0,1469 | ![]() | 4117 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMT10 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT10H052LFDF-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 100 v | 5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 52mohm @ 4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 5.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 258 PF @ 50 V | - - - | 800 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | ZDT6702QTA | 0,8667 | ![]() | 4945 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT6702 | 2.75W | SM-8 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-zdt6702qtatr | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1.75a | 500NA | NPN, PNP Kopplementär Darlington | 1,28 V @ 2MA, 1,75a | 5000 @ 500 mA, 5V / 2000 @ 500 mA, 5V | 140 MHz | ||||||||||||||||||
DMP510DLQ-13 | 0,0406 | ![]() | 8994 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP510 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMP510dlq-13tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 50 v | 196ma (TA) | 5v | 9,5 Ohm @ 100 Ma, 5V | 2V @ 1ma | 0,5 NC @ 10 V | ± 30 v | 40 PF @ 25 V. | - - - | 520 MW (TA) | |||||||||||||||
FZT795ATC | - - - | ![]() | 9347 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT795 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 140 v | 500 mA | 100na | PNP | 250mv @ 50 mA, 500 mA | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz | |||||||||||||||||||
ZXMP10A17GQTC | 0,4410 | ![]() | 9022 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZXMP10 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | P-Kanal | 100 v | 1.7a (ta) | 6 V, 10V | 450MOHM @ 1,2A, 6V | 4v @ 250 ähm | 10.7 NC @ 10 V | ± 20 V | 424 PF @ 50 V | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||
![]() | DCX144EUQ-7R-F | 0,0788 | ![]() | 8245 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101, DCX (XXXX) U. | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DCX144 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DCX144EUQ-7R-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||||||||||||
![]() | ZXTN25020DZTA | 0,5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | ZXTN25020 | 2,4 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 6 a | 50na (ICBO) | Npn | 270 MV @ 300 Ma, 6a | 300 @ 10ma, 2v | 215 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DMTH4004SPSQ-13 | 1.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH4004 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 31a (TA), 100A (TC) | 10V | 2,7 MOHM @ 90A, 10V | 4v @ 250 ähm | 68,6 NC @ 10 V | ± 20 V | 4305 PF @ 25 V. | - - - | 3.6W (TA), 167W (TC) | |||||||||||||
![]() | DMN5L06DW-7 | - - - | ![]() | 6093 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN5L06 | MOSFET (Metalloxid) | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 50V | 280 Ma | 3OHM @ 200 Ma, 2,7 V. | 1,2 V @ 250 ähm | - - - | 50pf @ 25v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||
![]() | DMT2004UFG-7 | 0,6100 | ![]() | 3407 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT2004 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 24 v | 70a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 5mohm @ 12a, 10V | 1,45 V @ 250 ähm | 53.7 NC @ 10 V. | ± 12 V | 1683 PF @ 15 V | - - - | 2,3 W (TA) | |||||||||||||
![]() | DXT13003EK-13 | - - - | ![]() | 7398 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DXT13003 | 1,6 w | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 460 V | 1,5 a | - - - | Npn | 400 mV @ 250 mA, 1a | 15 @ 300 mA, 2V | 4MHz | |||||||||||||||||
![]() | DDC113TU-7-F | 0,0756 | ![]() | 1209 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDC113 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 1kohm | - - - | ||||||||||||||||
![]() | DDC114TU-7-F | 0,4100 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDC114 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | - - - | ||||||||||||||||
![]() | DMC4050SSD-13 | 0,6500 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMC4050 | MOSFET (Metalloxid) | 1,8W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 40V | 5.3a | 45mohm @ 3a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 37.56nc @ 10v | 1790.8PF @ 20V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
2N7002-7 | - - - | ![]() | 3190 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 115 Ma (TA) | 5v, 10V | 7.5OHM @ 50 Ma, 5V | 2,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 370 MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | DDTA123JKA-7-F | - - - | ![]() | 3620 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA123 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
DMN3053L-13 | 0,0974 | ![]() | 3520 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN3053 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN3053L-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 30 v | 4a (ta) | 2,5 V, 10 V. | 45mohm @ 4a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 17.2 NC @ 10 V. | ± 12 V | 676 PF @ 15 V | - - - | 760 MW (TA) | |||||||||||||
ZXT11N20DFTA | 0,6100 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXT11N20 | 625 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 2,5 a | 100na | Npn | 130mv @ 250 mA, 2,5a | 300 @ 100 mA, 2 V | 160 MHz | ||||||||||||||||||
MMST2222A-7 | - - - | ![]() | 5339 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMST2222A | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||||||||||||||||
DMN61D9U-7 | - - - | ![]() | 5313 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN61 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 380 Ma (TA) | 1,8 V, 5 V. | 2OHM @ 50 Ma, 5V | 1V @ 250 ähm | 0,4 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 28.5 PF @ 30 V | - - - | 370 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | ZTX10470ASTOB | - - - | ![]() | 8800 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 10 v | 4 a | 10na | Npn | 185mv @ 10ma, 3a | 300 @ 1a, 2v | 150 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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