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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DMT3006LFV-7 Diodes Incorporated DMT3006LFV-7 0,2649
RFQ
 ECAD 5268 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT3006 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 60a (TC) 4,5 V, 10 V. 7mohm @ 9a, 10V 3v @ 250 ähm 8.4 NC @ 10 V ± 20 V 1155 PF @ 15 V - - - 2W (TA)
ZVN3320ASTZ Diodes Incorporated Zvn3320astz - - -
RFQ
 ECAD 9604 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Veraltet - - - K. Loch E-Line-3 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 200 v 100 mA (ta) 10V 25ohm @ 100 mA, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 45 PF @ 25 V. - - - 625 MW (TA)
DDTC123TCA-7-F Diodes Incorporated DDTC123TCA-7-F 0,2200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTC123 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 5 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms
DMN6075SQ-7 Diodes Incorporated DMN6075SQ-7 0,4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN6075 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 2a (ta) 4,5 V, 10 V. 85mohm @ 3.2a, 10 V. 3v @ 250 ähm 12.3 NC @ 10 V. ± 20 V 606 PF @ 20 V - - - 800 MW (TA)
ADTB113ZCQ-7 Diodes Incorporated ADTB113ZCQ-7 - - -
RFQ
 ECAD 5953 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ADTB113 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-attb113zcq-7tr Veraltet 3.000
DMT6017LFDF-7 Diodes Incorporated DMT6017LFDF-7 0,1814
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 ECAD 7295 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMT6017 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DMT6017LFDF-7TR Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 65 V 8.1a (ta) 4,5 V, 10 V. 18Mohm @ 6a, 10V 2,3 V @ 250 ähm 15.3 NC @ 10 V. ± 16 v 891 PF @ 30 V - - - 800 MW (TA)
FMMT717QTA Diodes Incorporated Fmmt717qta 0,1984
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 625 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-fmmt717qtatr Ear99 8541.21.0075 3.000 12 v 2,5 a 100na PNP 220 MV @ 50 Ma, 2,5a 300 @ 100 mA, 2 V 110 MHz
BC847BFZ-7B Diodes Incorporated BC847BFZ-7B 0,4100
RFQ
 ECAD 1624 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn BC847 435 MW X2-DFN0606-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 45 V 100 ma 15na Npn 300 mV @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
ZVN0545A Diodes Incorporated ZVN0545A 1.6300
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 ECAD 2370 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) ZVN0545 MOSFET (Metalloxid) To-92 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ZVN0545A-NDR Ear99 8541.21.0095 4.000 N-Kanal 450 V 90 mA (TA) 10V 50 Ohm @ 100 Ma, 10 V 3V @ 1ma ± 20 V 70 PF @ 25 V. - - - 700 MW (TA)
ZXTN2010GTA Diodes Incorporated ZXTN2010GTA 0,8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXTN2010 3 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 6 a 50na (ICBO) Npn 260mv @ 300 mA, 6a 100 @ 2a, 1V 130 MHz
DMN3008SCP10-7 Diodes Incorporated DMN3008SCP10-7 0,4319
RFQ
 ECAD 7323 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - - - - - - DMN3008 MOSFET (Metalloxid) - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 14,6a (TA) 4,5 V, 10 V. 7,8 MOHM @ 7A, 10V 2,3 V @ 250 ähm 31.3 NC @ 10 V. ± 20 V 1476 PF @ 15 V - - - 2.7W (TA)
MMDTA42-7-F Diodes Incorporated Mmdta42-7-f 0,4000
RFQ
 ECAD 9267 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Mmdta42 300 MW SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 500 mv @ 2MA, 20 mA 40 @ 30 ma, 10V 50 MHz
DMTH15H017SPS-13 Diodes Incorporated DMTH15H017SPS-13 0,6125
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH15 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMTH15H017SPS-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 150 v 11A (TA), 61A (TC) 8 V, 10V 19Mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 2344 PF @ 75 V - - - 1,5 W (TA), 107W (TC)
DMP3120L-7 Diodes Incorporated DMP3120L-7 - - -
RFQ
 ECAD 9252 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMP3120 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 30 v 2.8a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 120 MOHM @ 2,8a, 4,5 V. 1,4 V @ 250 ähm 6.7 NC @ 10 V ± 12 V 285 PF @ 15 V - - - 1.4W (TA)
FMMT591AQTC Diodes Incorporated Fmmt591aqtc 0,1234
RFQ
 ECAD 7442 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 500 MW SOT-23-3 - - - UnberÜHrt Ereichen 31-FMMT591AQTCTR Ear99 8541.21.0075 10.000 40 v 1 a 100na PNP 500mv @ 100 mA, 1a 300 @ 100 mA, 5V 150 MHz
ZTX788ASTOB Diodes Incorporated Ztx788astob - - -
RFQ
 ECAD 4167 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads Ztx788a 1 w E-line (bis 92 kompatibel) - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 15 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 330mv @ 200ma, 3a 300 @ 10 mA, 1V 150 MHz
DMN10H220L-7 Diodes Incorporated DMN10H220L-7 0,4200
RFQ
 ECAD 175 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN10 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 100 v 1,4a (ta) 4,5 V, 10 V. 220MOHM @ 1,6a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 8.3 NC @ 10 V ± 16 v 401 PF @ 25 V. - - - 1,3W (TA)
FZT751QTC Diodes Incorporated FZT751QTC 0,2102
RFQ
 ECAD 9930 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 2 w SOT-223-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-FZT751qtctr Ear99 8541.29.0075 4.000 60 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 300 mA, 3a 100 @ 500 mA, 2V 140 MHz
2DB1132R-13 Diodes Incorporated 2DB1132R-13 0,4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2DB1132 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 32 v 1 a 500NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 180 @ 100 Ma, 3V 190 MHz
MMBTA42-7 Diodes Incorporated MMBTA42-7 - - -
RFQ
 ECAD 6227 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBTA42 300 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 2MA, 20 mA 40 @ 30 ma, 10V 50 MHz
DDTA114YUA-7-F Diodes Incorporated DDTA114YUA-7-F 0,0435
RFQ
 ECAD 1870 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTA114 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 68 @ 10ma, 5V 250 MHz 10 Kohms 47 Kohms
DN0150BLP4-7B Diodes Incorporated DN0150BLP4-7B - - -
RFQ
 ECAD 3257 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn DN0150 450 MW X2-DFN1006-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 200 @ 2ma, 6v 60 MHz
ZVN0545GTC Diodes Incorporated ZVN0545GTC - - -
RFQ
 ECAD 3980 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N-Kanal 450 V 140 mA (TA) 10V 50 Ohm @ 100 Ma, 10 V 3V @ 1ma ± 20 V 70 PF @ 25 V. - - - 2W (TA)
ZXTD6717E6TC Diodes Incorporated ZXTD6717E6TC - - -
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 ECAD 1680 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 ZXTD6717 1.1W SOT-26 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 10.000 15 V, 12V 1,5a, 1,25a 10na NPN, PNP 245mv @ 20 mA, 1,5a / 240mv @ 100 mA, 1,25a 250 @ 500 mA, 2V / 200 @ 500 mA, 2V 180 MHz, 220 MHz
DMTH10H1M7STLWQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H1M7STLWQ-13 5.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerfn DMTH10 MOSFET (Metalloxid) PowerDI1012-8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 100 v 250a (TC) 10V 2mohm @ 30a, 10V 4v @ 250 ähm 147 NC @ 10 V ± 20 V 9871 PF @ 50 V - - - 6W (TA), 250W (TC)
FMMT549ATA Diodes Incorporated Fmmt549ata 0,4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt549 500 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300 mv @ 1ma, 100 mA 150 @ 500 mA, 2V 100 MHz
ZTX653STOA Diodes Incorporated Ztx653stoa - - -
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX653 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 100 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 200 Ma, 2a - - - 175MHz
DSS4160FDBQ-7 Diodes Incorporated DSS4160FDBQ-7 0,5900
RFQ
 ECAD 8964 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DSS4160 405 MW U-DFN2020-6 (Typ B) - - - 31-DSS4160FDBQ-7 Ear99 8541.29.0075 3.000 60 v 1a 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 240mv @ 50 Ma, 1a 290 @ 100 mA, 2V 175MHz
DDTC143XCA-7-F Diodes Incorporated DDTC143XCA-7-F 0,2200
RFQ
 ECAD 379 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTC143 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
ZXT11N15DFTA Diodes Incorporated ZXT11N15DFTA 0,6300
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXT11N15 625 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 15 v 3 a 100na Npn 150 MV @ 150 Ma, 3a 300 @ 200 Ma, 2V 145 MHz
  • Daily average RFQ Volume

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    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

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    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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