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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMNH6035SPDWQ-13 | 0,6174 | ![]() | 7825 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powertdfn | DMNH6035 | MOSFET (Metalloxid) | 2,4 W (TA), 68W (TC) | PowerDI5060-8 (Typ R) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMNH6035SPDWQ-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 33a (TC) | 35mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 16nc @ 10v | 879PF @ 25v | - - - | ||||||||||||||||
![]() | ZTX1049A | 0,7800 | ![]() | 6771 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX1049 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 25 v | 4 a | 10na | Npn | 220 MV @ 50 Ma, 4a | 300 @ 1a, 2v | 180 MHz | |||||||||||||||||||
BC857A-7-F | 0,2000 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC857 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15na | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | DDA123JU-7-F | 0,3800 | ![]() | 6631 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDA123 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2ko | 47kohm | ||||||||||||||||||
DMN3067LW-7 | 0,4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN3067 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 67mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 4,6 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 447 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||||
Fmmt620qta | 0,2131 | ![]() | 7078 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 625 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-FMMT620QTATR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 1,5 a | 100na | Npn | 200mv @ 20 mA, 1,5a | 300 @ 200 Ma, 2V | 160 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | BCX5616ta | 0,4000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX5616 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | DMT4008LFDF-7 | 0,2284 | ![]() | 8346 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT4008LFDF-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 11.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1179 PF @ 20 V | - - - | 800 MW (TA) | |||||||||||||||||
FZT560ta | 0,7100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT560 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 500 V | 150 Ma | 100na | PNP | 500mv @ 10 mA, 50 mA | 80 @ 50 Ma, 10 V | 60 MHz | ||||||||||||||||||||
DMN2055UW-13 | 0,0602 | ![]() | 5407 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN2055 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN2055UW-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 3.1a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 46mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4,3 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 400 PF @ 10 V. | - - - | 520 MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | ZDT6757TC | - - - | ![]() | 7621 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT6757 | 2.75W | Sm8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 5V | 30 MHz | ||||||||||||||||||||
BSS138-7-F | 0,2100 | ![]() | 1687 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 10V | 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 10 V | - - - | 300 MW (TA) | |||||||||||||||||
BCP5616ta | 0,4300 | ![]() | 9949 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP5616 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | DMTH8012LPS-13 | 0,3045 | ![]() | 8919 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH8012 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 80 v | 10a (ta), 72a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1949 PF @ 40 V. | - - - | 2,6 W (TA), 136 W (TC) | |||||||||||||||
![]() | DXTN07100BP5-13 | 0,6400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | DXTN07100 | 740 MW | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 175MHz | |||||||||||||||||||
BC847BWQ-13-F | 0,0252 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC847 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BC847BWQ-13-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 20na (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | DMTH10H010SPSQ-13 | 0,7371 | ![]() | 3121 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 11,8a (TA), 100A (TC) | 6 V, 10V | 8,8 MOHM @ 13A, 10V | 4v @ 250 ähm | 56,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4468 PF @ 50 V | - - - | 1,5W (TA), 166W (TC) | |||||||||||||||
![]() | DDTC124XE-7 | 0,3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DDTC124 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS8402DW-7-G | - - - | ![]() | 3359 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BSS8402 | MOSFET (Metalloxid) | 200 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | 31-BSS8402DW-7-GTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-und p-kanal-krementär | 60 V, 50 V | 115 Ma (TA), 130 Ma (TA) | 13,5 Ohm @ 500 mA, 10 V, 10OHM @ 100 mA, 5 V | 2,5 V @ 250 um, 2 V @ 1ma | - - - | 50pf @ 25v, 45pf @ 25v | - - - | |||||||||||||||||||
BSS138-7-F-79 | - - - | ![]() | 1013 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | - - - | 31-BSS138-7-F-79 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 10V | 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 10 V | - - - | 300 MW (TA) | |||||||||||||||||||
![]() | DMT6012LFDF-7 | 0,2542 | ![]() | 9789 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMT6012 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 9,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 8.5a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 13.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 785 PF @ 30 V | - - - | 900 MW (TA), 11W (TC) | |||||||||||||||
![]() | ZVN3306ASTOB | - - - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 270 Ma (TA) | 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 2,4 V @ 1ma | ± 20 V | 35 PF @ 18 V. | - - - | 625 MW (TA) | ||||||||||||||||||
ADTC114ecaq-13 | 0,0376 | ![]() | 7882 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTC114 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-attc114ecaq-13tr | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | DCX143EU-7-F | 0,3500 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DCX143 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10 mA, 5 V / 40 @ 10 mA, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | 4.7kohm | ||||||||||||||||||
MMBTH10Q-7-F | 0,4000 | ![]() | 9188 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MmbTH10 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-mmbTH10Q-7-Ftr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 25 v | 50 ma | Npn | 60 @ 4ma, 10V | 650 MHz | - - - | |||||||||||||||||||
![]() | ZXTD617MCTA | 0,3190 | ![]() | 6736 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | ZXTD617 | 1.7W | W-DFN3020-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 v | 5a | 100na | 2 NPN (Dual) | 310 MV @ 50 Ma, 4,5a | 300 @ 200 Ma, 2V | 80MHz | |||||||||||||||||||
DDTC123YCA-7-F | 0,2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC123 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | MMDT5451-7 | - - - | ![]() | 9923 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mmdt5451 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 160 V, 150 V | 200 ma | 50na (ICBO) | NPN, PNP | 200mv @ 5ma, 50 mA / 500mv @ 5 mA, 50 mA | 80 @ 10 mA, 5 V / 60 @ 10 mA, 5 V. | 300 MHz | |||||||||||||||||||
DMN2055U-13 | 0,3700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN2055 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 4.8a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 38mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4,3 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 400 PF @ 10 V. | - - - | 800 MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | ZTX455Stob | - - - | ![]() | 7251 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX455 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 140 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 700mv @ 15ma, 150 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 100 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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