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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | Ztx657stz | 0,3682 | ![]() | 8748 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX657 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 5V | 30 MHz | ||||||||||||||||
![]() | MJD32CQ-13 | 0,6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD32 | 15 w | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 v | 3 a | 1 µA | PNP | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||
![]() | DMTH4014LPD-13 | 0,8800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH4014 | MOSFET (Metalloxid) | 2,41W (TA), 42,8W (TC) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 10.6a (TA), 43,6a (TC) | 15mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10.2nc @ 10v | 733PF @ 20V | - - - | ||||||||||||||
![]() | DXTN22040CFGQ-7 | 0,5700 | ![]() | 6643 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | 1,1 w | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 40 v | 2 a | 50na | Npn | 600mv @ 300 mA, 3a | 200 @ 500 Ma, 2V | 200 MHz | |||||||||||||||||||
Ddta115gua-7-f | 0,0435 | ![]() | 4596 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA115 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | ZXMN3G32DN8TA | 0,8700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ZXMN3 | MOSFET (Metalloxid) | 1,8W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5.5a | 28mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10.5nc @ 10v | 472pf @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||
DMN67D8LW-7 | 0,0386 | ![]() | 4214 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN67 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 240 mA (TA) | 5v, 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,82 NC @ 10 V. | ± 30 v | 22 PF @ 25 V. | - - - | 320 MW (TA) | |||||||||||||
![]() | DXTA42-13 | 0,3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DXTA42 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | ||||||||||||||||
FZT696BTC | 0,3190 | ![]() | 5102 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT696 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 180 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 5ma, 200 mA | 150 @ 200 Ma, 5V | 70 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DDTA115GKA-7-F | - - - | ![]() | 7088 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA115 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DSS3540M-7b | 0,3900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DSS3540 | 250 MW | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 500 mA | 100na | PNP | 350 MV @ 50 Ma, 500 mA | 150 @ 100 mA, 2V | 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | ZTX457 | 0,6100 | ![]() | 5221 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX457 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX457-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 50 Ma, 10 V | 75 MHz | |||||||||||||||
![]() | FMMT411FDBW-7 | 1.3965 | ![]() | 2134 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 1,7 w | W-DFN2020-3 (Typ A) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-FMMT411FDBW-7TR | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 v | 5 a | 100NA (ICBO) | Npn - avalanche -modus | 100 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 10 mA, 10 V. | 110 MHz | ||||||||||||||||||
ZXTN2038fta | 0,3800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTN2038 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 100na | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DMT4008LFDF-7 | 0,2284 | ![]() | 8346 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT4008LFDF-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 11.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1179 PF @ 20 V | - - - | 800 MW (TA) | ||||||||||||||
ZX5T849GTA | 0,4800 | ![]() | 6912 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZX5T849 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 7 a | 20na (ICBO) | Npn | 220 MV @ 300 Ma, 6,5a | 100 @ 1a, 1V | 140 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DMTH46M7SFVW-13 | 0,6800 | ![]() | 1487 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | DMTH46 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 16,3a (TA), 67,2a (TC) | 10V | 7.4mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14.8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1315 PF @ 20 V | - - - | 3,2 W (TA), 54,5W (TC) | |||||||||||||
![]() | ZVN0124ASTZ | - - - | ![]() | 3725 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 240 V | 160 mA (ta) | 10V | 16ohm @ 250 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 85 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | DMTH48M3SFVWQ-13 | 0,2266 | ![]() | 8384 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMTH48M3SFVWQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 14,6a (TA), 52,4a (TC) | 10V | 8,9 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 12.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 897 PF @ 20 V | - - - | 2,82W (TA), 36,6 W (TC) | ||||||||||||||
![]() | ZTX1053ASTOA | - - - | ![]() | 5346 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX1053A | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 75 V | 3 a | 10na | Npn | 350 MV @ 100 mA, 3a | 300 @ 1a, 2v | 140 MHz | |||||||||||||||||
BSS138-7-F | 0,2100 | ![]() | 1687 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 10V | 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 10 V | - - - | 300 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | DMTH10H010SPSQ-13 | 0,7371 | ![]() | 3121 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 11,8a (TA), 100A (TC) | 6 V, 10V | 8,8 MOHM @ 13A, 10V | 4v @ 250 ähm | 56,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4468 PF @ 50 V | - - - | 1,5W (TA), 166W (TC) | ||||||||||||
![]() | BSS8402DW-7-G | - - - | ![]() | 3359 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BSS8402 | MOSFET (Metalloxid) | 200 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | 31-BSS8402DW-7-GTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-und p-kanal-krementär | 60 V, 50 V | 115 Ma (TA), 130 Ma (TA) | 13,5 Ohm @ 500 mA, 10 V, 10OHM @ 100 mA, 5 V | 2,5 V @ 250 um, 2 V @ 1ma | - - - | 50pf @ 25v, 45pf @ 25v | - - - | ||||||||||||||||
ZXTP25012EFHTA | 0,5700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTP25012 | 1,25 w | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 v | 4 a | 50na (ICBO) | PNP | 210mv @ 400 mA, 4a | 500 @ 10 mA, 2V | 310 MHz | |||||||||||||||||
DMG6602SVT-7 | 0,3800 | ![]() | 193 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMG6602 | MOSFET (Metalloxid) | 840 MW | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 3,4a, 2,8a | 60MOHM @ 3.1a, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 13nc @ 10v | 400PF @ 15V | Logikpegel -Tor, 4,5 V Auftwerk | |||||||||||||||
DMN2055UW-13 | 0,0602 | ![]() | 5407 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN2055 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN2055UW-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 3.1a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 46mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4,3 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 400 PF @ 10 V. | - - - | 520 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | Ztx757stz | 0,2987 | ![]() | 5216 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX757 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 5V | 30 MHz | ||||||||||||||||
![]() | DMN63D8LDW-7-52 | 0,0538 | ![]() | 3894 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN63 | MOSFET (Metalloxid) | 300 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | 31-DMN63D8LDW-7-52 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal | 30V | 220 Ma (TA) | 2,8OHM @ 250 mA, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 0,87NC @ 10V | 22pf @ 25v | Standard | ||||||||||||||||
BCP5616ta | 0,4300 | ![]() | 9949 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP5616 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||||
Fmmt619qta | 0,2172 | ![]() | 7421 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 625 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-fmmt619qtatr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 2 a | 100na | Npn | 220 MV @ 50 Ma, 2a | 300 @ 200 Ma, 2V | 165 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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