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Transistoren (6028)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DDA124EK-7-F | - - - |  | 6653 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | DDA124 | 300 MW | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | ||||||||||||||||
 | FZT604TA | - - - | | 1713 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Digi-reel® | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT604 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 1,5 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 1ma, 1a | 2000 @ 1a, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||
 | DMP2039UFDE4-7 | 0,5700 | | 5893 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerxdfn | DMP2039 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN2020-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 25 v | 7.3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 26mohm @ 6,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 28,2 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 2530 PF @ 15 V | - - - | 690 MW (TA) | |||||||||||||
 | DMN3028LQ-7 | 0,4500 | | 60 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN3028 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6.2a (ta) | 2,5 V, 10 V. | 25mohm @ 4a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 10.9 NC @ 10 V | ± 20 V | 680 PF @ 15 V | - - - | 860 MW (TA) | |||||||||||||
| DMP2110U-13 | 0,0699 | | 2397 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP2110 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 3,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 80MOHM @ 2,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 443 PF @ 10 V. | - - - | 800 MW (TA) | |||||||||||||
 | DMP32D5LFA-7B | - - - | | 7062 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMP32 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN0806-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 30 v | 300 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,5OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 0,7 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 40.9 PF @ 15 V | - - - | 360 MW (TA) | |||||||||||||
| DDTB122LC-7 | - - - | | 5773 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTB122 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 220 Ohm | 10 Kohms | ||||||||||||||||
| BSS138-7-F-52 | 0,0377 | | 2817 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 31-BSS138-7-F-52 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 10V | 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 10 V | - - - | 300 MW (TA) | |||||||||||||||
 | DXTN22040CFGQ-7 | 0,5700 | | 6643 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | 1,1 w | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 40 v | 2 a | 50na | Npn | 600mv @ 300 mA, 3a | 200 @ 500 Ma, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||
 | ZTX776 | - - - | | 4606 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX776 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 200 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 1a | 50 @ 500 mA, 5V | 30 MHz | ||||||||||||||||||
| DMTH46M7SFVW-13 | 0,6800 | | 1487 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | DMTH46 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 16,3a (TA), 67,2a (TC) | 10V | 7.4mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14.8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1315 PF @ 20 V | - - - | 3,2 W (TA), 54,5W (TC) | ||||||||||||||
 | DDTA115GKA-7-F | - - - | | 7088 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA115 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | |||||||||||||||||
 | Ddta115gua-7-f | 0,0435 | | 4596 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA115 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | |||||||||||||||||
 | FMMT411FDBW-7 | 1.3965 | | 2134 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 1,7 w | W-DFN2020-3 (Typ A) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-FMMT411FDBW-7TR | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 v | 5 a | 100NA (ICBO) | Npn - avalanche -modus | 100 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 10 mA, 10 V. | 110 MHz | |||||||||||||||||||
| ZVN0124ASTZ | - - - | | 3725 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 240 V | 160 mA (ta) | 10V | 16ohm @ 250 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 85 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||
| ZXTN2038fta | 0,3800 | | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTN2038 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 100na | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||
 | DMJ70H1D5SV3 | - - - | | 3899 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | DMJ70 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 700 V | 5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 9.8 NC @ 10 V. | ± 30 v | 316 PF @ 50 V | - - - | 78W (TC) | |||||||||||||
| DMT32M5LPS-13 | 0,3373 | | 8186 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMT32 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 150a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2mohm @ 30a, 10V | 3V @ 1ma | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3944 PF @ 25 V. | - - - | 100 W (TC) | |||||||||||||
 | ZXMD65P03N8TA | - - - | | 7124 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ZXMD65P03 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | 8-so | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 3.8a | 55mohm @ 4,9a, 10V | 1V @ 250 ähm | 25.7nc @ 10v | 930pf @ 25v | - - - | ||||||||||||||||
| Ztx869stoa | - - - | | 6256 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | Ztx869 | 1,2 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 25 v | 5 a | 50na (ICBO) | Npn | 220 MV @ 100 Ma, 5a | 300 @ 1a, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
| ZTX457 | 0,6100 | | 5221 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX457 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX457-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 50 Ma, 10 V | 75 MHz | ||||||||||||||||
 | ZXTN617MATA | 0,5300 | | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn | ZXTN617 | 1,5 w | DFN2020B-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 v | 4.5 a | 25na | Npn | 280 MV @ 50 Ma, 4,5a | 200 @ 3a, 2v | 120 MHz | |||||||||||||||||
| Ztx757stz | 0,2987 | | 5216 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX757 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 5V | 30 MHz | |||||||||||||||||
| Ztx657stz | 0,3682 | | 8748 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX657 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 5V | 30 MHz | |||||||||||||||||
 | DSS3540M-7b | 0,3900 | | 19 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DSS3540 | 250 MW | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 500 mA | 100na | PNP | 350 MV @ 50 Ma, 500 mA | 150 @ 100 mA, 2V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| FZT696BTC | 0,3190 | | 5102 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT696 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 180 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 5ma, 200 mA | 150 @ 200 Ma, 5V | 70 MHz | |||||||||||||||||
| DDTC124TCA-7-F | 0,0386 | | 3718 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC124 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | |||||||||||||||||
| FZT857ta | 0,9200 | | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT857 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 300 V | 3.5 a | 50na (ICBO) | Npn | 345mv @ 600 mA, 3,5a | 100 @ 500 mA, 10V | 80MHz | |||||||||||||||||
 | MJD32CQ-13 | 0,6100 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD32 | 15 w | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 v | 3 a | 1 µA | PNP | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||
 | DMTH4014LPD-13 | 0,8800 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH4014 | MOSFET (Metalloxid) | 2,41W (TA), 42,8W (TC) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 10.6a (TA), 43,6a (TC) | 15mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10.2nc @ 10v | 733PF @ 20V | - - - |
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