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Transistoren (6028)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DXT2014P5-13 | 0,6400 |  | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | DXT2014 | 3.2 w | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 5.000 | 140 v | 4 a | 20na (ICBO) | PNP | 360 mv @ 300 mA, 3a | 100 @ 1a, 5V | 120 MHz | |||||||||||||||||
 | DDC122TU-7-F | - - - | | 5317 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDC122 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 220 Ohm | - - - | ||||||||||||||||
 | ZVN4306AVSTZ | - - - | | 2303 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 1.1a (ta) | 5v, 10V | 330mohm @ 3a, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 850 MW (TA) | |||||||||||||||
 | Zumt918ta | 0,4500 | | 22 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | FZT757ta | 0,8300 | | 40 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT757 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 5V | 30 MHz | |||||||||||||||||
 | BC847BT-7-F | 0,2200 | | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | BC847 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| DMN5L06T-7 | - - - | | 1303 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMN5L06 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 280 Ma (TA) | 1,8 V, 2,7 V. | 3OHM @ 200 Ma, 2,7 V. | 1,2 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||
 | DMNH4026SSDQ-13 | 0,3286 | | 6974 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMNH4026 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 7.5a (ta) | 24MOHM @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 8,8nc @ 4,5V | 1060PF @ 20V | - - - | |||||||||||||||||
 | ZXT13N50DE6TA | 0,6800 | | 196 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXT13N50 | 1,1 w | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 50 v | 4 a | 100na | Npn | 180mv @ 400 mA, 4a | 300 @ 1a, 2v | 115 MHz | |||||||||||||||||
 | ADTA113ZCAQ-13 | - - - | | 3234 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTA113 | 310 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-atta113zcaq-13tr | Veraltet | 10.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | - - - | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
| DNLS320E-13 | 0,5500 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | DNLS320 | 1 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 20 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 450 MV @ 20 Ma, 3a | 400 @ 2a, 2v | 150 MHz | |||||||||||||||||
| DMG1012UWQ-7 | 0,3800 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMG1012 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-363 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 950 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 450MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 1 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | 43 PF @ 16 V. | - - - | 460 MW | ||||||||||||||
| MMDT4413-7 | 0,4400 | | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Mmdt4413 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-mmdt4413-7dkr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| Ztx953stoa | - - - | | 6083 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX953 | 1,2 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 100 v | 3.5 a | 50na (ICBO) | PNP | 330mv @ 400 mA, 4a | 100 @ 1a, 1V | 125 MHz | ||||||||||||||||||
| ADA114EUQ-7 | 0,0654 | | 1099 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ADA114 | 270 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | - - - | - - - | 250 MHz | 10kohm | 10kohm | ||||||||||||||||
 | ZXMP3F36N8TA | - - - | | 5464 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZXMP3F36N8TADI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7.2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 43,9 NC @ 15 V | ± 20 V | 2265 PF @ 15 V | - - - | 1,56W (TA) | |||||||||||||
| FZT653ta | 0,6800 | | 238 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT653 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 175MHz | |||||||||||||||||
 | DMN3016LFDF-7 | 0,4600 | | 30 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMN3016 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 11a, 10V | 2v @ 250 ähm | 25.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1415 PF @ 15 V | - - - | 2.02W (TA) | |||||||||||||
| ZTX753 | 0,8600 | | 1591 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX753 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX753-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | - - - | 140 MHz | ||||||||||||||||
 | ZXTDAM832TA | - - - | | 7737 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | ZXTDAM832 | 1.7W | 8-mlp (3x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 v | 4,5a | 25na | 2 NPN (Dual) | 280 MV @ 50 Ma, 4,5a | 200 @ 3a, 2v | 120 MHz | |||||||||||||||||
| DMP2170U-7 | 0,3800 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP2170 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.1a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 90 MOHM @ 3,5A, 4,5 V. | 1,25 V @ 250 ähm | 7,8 NC @ 10 V | ± 12 V | 303 PF @ 10 V. | - - - | 780 MW (TA) | |||||||||||||
| BC817-25-7 | - - - | | 3355 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC817 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| BC847C-13-F | 0,2000 | | 364 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC847 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||
 | DMT4001LPS-13 | - - - | | 1181 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMT4001 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 (Typ K) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMT4001LPS-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 160,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 12121 PF @ 20 V | - - - | 2.6W | ||||||||||||
| DCX114YU-7-F | 0,3000 | | 23 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DCX114 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | 47kohm | ||||||||||||||||
 | DMP22D5UFO-7B | 0,0367 | | 3198 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMP22 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN0604-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMP22D5UFO-7BTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 530 Ma (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 1,9OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,3 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 17 PF @ 16 V | - - - | 340 MW (TA) | ||||||||||||||
 | ZXMN2AM832TA | 0,5200 | | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMPH4029LFGQ-13 | 0,2701 | | 9535 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMPH4029 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMPH4029LFGQ-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 8a (ta), 22a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 34 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1626 PF @ 20 V | - - - | 1.2W (TA) | ||||||||||||
| DMN6069SFG-7 | 0,6400 | | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN6069 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 5.6a (TA), 18A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 50mohm @ 4,5a, 10 V | 3v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1480 PF @ 30 V | - - - | 930 MW (TA) | |||||||||||||
| Fmmta13ta | - - - | | 3667 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmta13 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 300 ma | 100na | NPN - Darlington | 900 mV @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | - - - |
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