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Transistoren (6028)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN52D0UQ-7 | 0,0637 |  | 1188 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DMN52D0UQ-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 400 mA (TA) | 1,8 V, 5 V. | 2OHM @ 50 Ma, 5V | 1V @ 250 ähm | 1,5 NC @ 10 V. | ± 12 V | 39 PF @ 25 V. | - - - | 500 MW | ||||||||||||||
 | ZDT617TC | - - - | | 8936 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT617 | 2.5W | Sm8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 15 v | 3a | 100na | 2 NPN (Dual) | 200mv @ 50 Ma, 3a | 300 @ 200 Ma, 2V | 120 MHz | ||||||||||||||||||
 | DMP10H400SE-13 | 0,5700 | | 55 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | DMP10 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 v | 2,3a (TA), 6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 250 MOHM @ 5A, 10V | 3v @ 250 ähm | 17,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1239 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 13,7 W (TC) | |||||||||||||
 | ZXTN19060CW | - - - | | 3540 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 31-ZXTN19060CW | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ZXTC4591AMCTA | 0,3190 | | 6886 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | ZXTC4591 | 1,5W | W-DFN3020-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 40V | 2a, 1,5a | 100na | NPN, PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 300 @ 500 mA, 5 V / 300 @ 100 mA, 5 V. | 150 MHz | |||||||||||||||||
| DMTH10H038SPDWQ-13 | 0,4154 | | 4671 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH10 | MOSFET (Metalloxid) | 2,7W (TA), 39W (TC) | PowerDI5060-8 (Typ UXD) | Herunterladen | 31-DMTH10H038SPDWQ-13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal | 100V | 25a (TC) | 33mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8nc @ 10v | 544PF @ 50V | Standard | |||||||||||||||||
| ZXTP19060CW | - - - | | 2829 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Schüttgut | Veraltet | - - - | 31-ZXTP19060CW | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ztx789astob | - - - | | 7281 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | Ztx789a | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 25 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 3a | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz | ||||||||||||||||||
 | DMT10H015LCG-7 | 0,9400 | | 5074 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT10 | MOSFET (Metalloxid) | V-DFN3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 9,4a (TA), 34a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 33.3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1871 PF @ 50 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||
 | DDTA144VE-7-F | 0,0605 | | 3481 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTA144 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DDTA144VE-FDICT | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||
 | DMPH4025SFVWQ-7 | 0,3426 | | 8008 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | DMPH4025 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 8,7a (TA), 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 25mo @ 30a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 38.6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1918 PF @ 20 V | - - - | 2,3 W (TA), 60 W (TC) | |||||||||||||
 | APT13005T-G1 | - - - | | 2501 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | APT13005 | 75 w | To-220-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | APT13005T-G1DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 450 V | 4 a | - - - | Npn | 900mv @ 1a, 4a | 8 @ 2a, 5V | 4MHz | ||||||||||||||||
| BC847AT-7 | - - - | | 9946 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | BC847 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| FZT603TA | 0,6800 | | 37 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT603 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 2 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,13v @ 20 mA, 2a | 5000 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||
 | DDTC114YCA-7-F | 0,2200 | | 46 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
| BC817-40-7-F | 0,2100 | | 854 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC817 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| ZDT6758TC | - - - | | 2341 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT6758 | 2.75W | Sm8 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 400V | 500 mA | - - - | NPN, PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 200 Ma, 10V | 50 MHz | ||||||||||||||||||
 | MMST4124-7-F | 0,3500 | | 949 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMST4124 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 2MA, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||||
| Zvnl120astoa | - - - | | 8878 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 180 ma (ta) | 3V, 5V | 10ohm @ 250 mA, 10V | 1,5 V @ 1ma | ± 20 V | 85 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||
 | DMP2060UFDB-7 | 0,8300 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMP2060 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | U-DFN2020-6 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3.2a | 90 MOHM @ 2,9a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 18nc @ 8v | 881PF @ 10V | - - - | |||||||||||||||
| ZVN4310ASTOB | - - - | | 3966 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 900 mA (TA) | 5v, 10V | 500mohm @ 3a, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 850 MW (TA) | ||||||||||||||||
 | DMP56D0UV-7-50 | 0,0888 | | 5725 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DMP56 | MOSFET (Metalloxid) | 400 MW (TA) | SOT-563 | Herunterladen | 31-DMP56D0UV-7-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 50V | 160 mA (ta) | 6OHM @ 100 mA, 4V | 1,2 V @ 250 ähm | 0,58nc @ 4v | 50.54pf @ 25v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||
| MMBTA56Q-7-F | 0,3000 | | 29 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA56 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | |||||||||||||||||
| DDTC124XCA-7-F | 0,0386 | | 8893 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC124 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
 | Mmdt3904-7-f | 0,2800 | | 32 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mmdt3904 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | 50na (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||||
| DMTH10H025LPS-13 | 0,3335 | | 2692 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMTH10H025LPS-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 9,3a (TA), 45A (TC) | 6 V, 10V | 23mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 1477 PF @ 50 V | - - - | 3.2W (TA), 79W (TC) | ||||||||||||
| 2DC4617Q-7-F | 0,2100 | | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | 2DC4617 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | |||||||||||||||||
| DMN63D8LW-7 | 0,2400 | | 64 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN63 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 380 Ma (TA) | 2,5 V, 10 V. | 2,8OHM @ 250 mA, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 0,9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 23.2 PF @ 25 V. | - - - | 300 MW (TA) | |||||||||||||
| DMP3097L-7 | 0,0916 | | 1401 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP3097 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMP3097L-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.9a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 65mohm @ 3,8a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 13.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 563 PF @ 25 V. | - - - | 1W | ||||||||||||||
| DDTB123TU-7-F | - - - | | 2205 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTB123 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 2.2 Kohms |
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