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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
ZXMN6A11GTC Diodes Incorporated ZXMN6A11GTC - - -
RFQ
 ECAD 9614 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXMN6 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N-Kanal 60 v 3.1a (ta) 4,5 V, 10 V. 120 MOHM @ 2,5A, 10 V 1V @ 250 ähm 5.7 NC @ 10 V ± 20 V 330 PF @ 40 V - - - 2W (TA)
DDTC115GCA-7 Diodes Incorporated DDTC115GCA-7 0,1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv DDTC115 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1034-DDTC115GCA-7DKR Ear99 8541.21.0075 3.000
DDC114TH-7 Diodes Incorporated DDC114TH-7 0,4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DDC114 150 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma - - - 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 100 µA, 1 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 10kohm - - -
DMP2110UFDB-7 Diodes Incorporated DMP2110UFDB-7 0,1038
RFQ
 ECAD 6993 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMP2110 MOSFET (Metalloxid) 820 MW (TA) U-DFN2020-6 (Typ B) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMP2110UFDB-7TR Ear99 8541.29.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 20V 3.2a (ta) 75mohm @ 2,8a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 12.7nc @ 8v 443PF @ 10V - - -
FZT603TC Diodes Incorporated FZT603TC - - -
RFQ
 ECAD 4708 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT603 2 w SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 80 v 2 a 10 µA NPN - Darlington 1,13v @ 20 mA, 2a 5000 @ 500 mA, 5V 150 MHz
DCP52-16-13 Diodes Incorporated DCP52-16-13 - - -
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa DCP52 1 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 200 MHz
MMBT2222AT-7-F Diodes Incorporated MMBT2222AT-7-F 0,3500
RFQ
 ECAD 448 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 MMBT2222 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 600 mA 10NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 300 MHz
FCX1147ATA Diodes Incorporated Fcx1147ata - - -
RFQ
 ECAD 5424 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa Fcx1147a 2 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 12 v 3 a 10na PNP 400mv @ 50 Ma, 5a 250 @ 500 mA, 2V 115 MHz
DMN3401LDW-13 Diodes Incorporated DMN3401LDW-13 0,4200
RFQ
 ECAD 4199 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN3401 MOSFET (Metalloxid) 290 MW (TA) SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 2 n-kanal (dual) 30V 800 mA (TA) 400mohm @ 590 mA, 10V 1,6 V @ 250 ähm 1,2nc @ 10v 50pf @ 15V - - -
DMC3025LNS-7 Diodes Incorporated DMC3025LNS-7 0,2138
RFQ
 ECAD 4325 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMC3025 MOSFET (Metalloxid) 1.2W (TA) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-und p-kanal-krementär 30V 7.2a (TA), 6,8a (TA) 25mohm @ 7a, 10V, 28mohm @ 7a, 10V 2v @ 250 ähm 4,6nc @ 4,5 V, 9,5nc @ 4,5 V 500PF @ 15V, 1188PF @ 15V - - -
MMDT4413-7-F Diodes Incorporated Mmdt4413-7-f 0,4300
RFQ
 ECAD 2013 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mmdt4413 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40V 600 mA - - - NPN, PNP 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 1 V / 100 @ 150 mA, 2 V. 250 MHz, 200 MHz
DDTA142JE-7 Diodes Incorporated DDTA142JE-7 0,3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Aktiv DDTA142 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
DMC4028SSDQ-13 Diodes Incorporated DMC4028SSDQ-13 0,3822
RFQ
 ECAD 6085 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMC4028 MOSFET (Metalloxid) 1,25W (TA) 8-Sop Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMC4028SSDQ-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N und p-kanal 40V 5.4a (ta), 4a (ta) 28mohm @ 6a, 10V, 50Mohm @ 6a, 10 V. 3v @ 250 ähm 12,9nc @ 10v, 14nc @ 10v 604pf @ 20V, 674PF @ 20V - - -
DMT10H9M9LCT Diodes Incorporated DMT10H9M9LCT 1.1212
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 ECAD 9546 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 DMT10 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMT10H9M9LCT Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 101a (TC) 4,5 V, 10 V. 8.5Mohm @ 20a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 40,2 NC @ 10 V. ± 20 V 2309 PF @ 50 V - - - 2,3 W (TA), 156W (TC)
FMMT413TC Diodes Incorporated FMMT413TC - - -
RFQ
 ECAD 4015 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt413 330 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) Npn - avalanche -modus 150 mV @ 1ma, 10 mA 50 @ 10 ma, 10V 150 MHz
DMN2053UW-13 Diodes Incorporated DMN2053UW-13 0,0658
RFQ
 ECAD 6460 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN2053 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DMN2053UW-13TR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 20 v 2,9a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 56mohm @ 2a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 3,6 NC @ 4,5 V. ± 12 V 369 PF @ 10 V - - - 470 MW (TA)
ZTX576STOA Diodes Incorporated Ztx576stoa - - -
RFQ
 ECAD 5583 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX576 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 200 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 50 @ 300 mA, 10V 100 MHz
ZXMN3A02X8TA Diodes Incorporated ZXMN3A02X8TA 1.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) ZXMN3 MOSFET (Metalloxid) 8-msop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 30 v 5.3a (ta) 4,5 V, 10 V. 25mohm @ 12a, 10V 1V @ 250 ähm 26.8 NC @ 10 V. ± 20 V 1400 PF @ 25 V. - - - 1.1W (TA)
ZTX550 Diodes Incorporated ZTX550 0,8500
RFQ
 ECAD 2624 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 ZTX550 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ZTX550-NDR Ear99 8541.29.0075 4.000 45 V 1 a 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V 150 MHz
DMC1229UFDB-13 Diodes Incorporated DMC1229UFDB-13 0,1472
RFQ
 ECAD 6244 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMC1229 MOSFET (Metalloxid) 1.4W U-DFN2020-6 (Typ B) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 N und p-kanal 12V 5,6a, 3,8a 29mohm @ 5a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 19.6nc @ 8v 914PF @ 6v Logikpegel -tor
DMN33D8LT-7 Diodes Incorporated DMN33D8LT-7 0,3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 DMN33 MOSFET (Metalloxid) SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 115 Ma (TA) 2,5 V, 4 V. 5ohm @ 10ma, 4V 1,5 V @ 100 µA 0,55 NC @ 10 V ± 20 V 48 PF @ 5 V. - - - 240 MW (TA)
DDC114EUQ-7-F Diodes Incorporated DDC114EUQ-7-F 0,0756
RFQ
 ECAD 9291 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101, DDC (XXXX) U. Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC114 200 MW SOT-363 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DDC114EUQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 250 MHz 10kohm 10kohm
ZXTP25020DFHTA Diodes Incorporated ZXTP25020DFHTA 0,5600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXTP25020 1,25 w SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 20 v 4 a 50na (ICBO) PNP 180mv @ 400 mA, 4a 300 @ 10ma, 2v 290 MHz
DMP3056LVT-7 Diodes Incorporated DMP3056LVT-7 - - -
RFQ
 ECAD 9380 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - - - - - - DMP3056 MOSFET (Metalloxid) - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 30 v 4.3a (TA) 4,5 V, 10 V. 50mohm @ 6a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 11.8 NC @ 10 V. ± 25 V 642 PF @ 25 V. - - - 1.38W
DMN2053U-13 Diodes Incorporated DMN2053U-13 0,0699
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN2053 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 20 v 6,5a (ta) 1,8 V, 10 V. 29mohm @ 6a, 10V 1,2 V @ 250 ähm 4,6 NC @ 4,5 V. ± 12 V 414 PF @ 10 V. - - - 800 MW (TA)
FZT694BTC Diodes Incorporated FZT694BTC - - -
RFQ
 ECAD 8790 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT694 2 w SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 120 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 5ma, 400 mA 150 @ 400 mA, 2V 130 MHz
DN0150ALP4-7 Diodes Incorporated DN0150ALP4-7 - - -
RFQ
 ECAD 3601 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn DN0150 450 MW X2-DFN1006-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DN0150ALP4-7DI Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2MA, 6V 60 MHz
DDTA124EE-7-F Diodes Incorporated Ddta124ee-7-f 0,0605
RFQ
 ECAD 2029 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 DDTA124 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5ma, 5V 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
DMP31D0U-7 Diodes Incorporated DMP31D0U-7 0,4300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMP31 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 30 v 530 Ma (TA) 1,8 V, 4,5 V. 1OHM @ 400 mA, 4,5 V. 1,1 V @ 250 ähm 0,9 NC @ 4,5 V. ± 8 v 76 PF @ 15 V - - - 450 MW (TA)
DMP3035SFG-7 Diodes Incorporated DMP3035SFG-7 0,1872
RFQ
 ECAD 6490 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP3035 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMP3035SFG-7DI Ear99 8541.21.0095 2.000 P-Kanal 30 v 8.5a (TA) 5v, 10V 20mohm @ 8a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 17 NC @ 10 V ± 25 V 1633 PF @ 15 V - - - 950 MW (TA)
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