SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DDA114YUQ-7-F Diodes Incorporated DDA114YUQ-7-F 0,0746
RFQ
ECAD 5173 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101, DDA (XXXX) U. Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDA114 200 MW SOT-363 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DDA114YUQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA (ICBO) 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 68 @ 10ma, 5V 250 MHz 10kohm 47kohm
ZXTN2005GTA Diodes Incorporated ZXTN2005GTA 0,8200
RFQ
ECAD 82 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXTN2005 3 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 25 v 7 a 50na (ICBO) Npn 230 MV @ 150 Ma, 6,5a 300 @ 1a, 1V 150 MHz
DSS5240V-7 Diodes Incorporated DSS5240V-7 0,4300
RFQ
ECAD 9147 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DSS5240 600 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 1,8 a 100na PNP 530 mV @ 200 Ma, 2a 300 @ 100 mA, 5V 150 MHz
DMPH4011SK3-13 Diodes Incorporated DMPH4011SK3-13 0,5249
RFQ
ECAD 4356 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMPH4011SK3-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 40 v 79a (TC) 4,5 V, 10 V. 11mohm @ 9.8a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 104 NC @ 10 V ± 20 V 4497 PF @ 20 V - - - 3.7W (TA), 115W (TC)
ZXMP6A17GTA Diodes Incorporated ZXMP6A17GTA 0,5900
RFQ
ECAD 2824 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXMP6A17 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 P-Kanal 60 v 3a (ta) 4,5 V, 10 V. 125mohm @ 2,2a, 10V 1V @ 250 ähm 17.7 NC @ 10 V. ± 20 V 637 PF @ 30 V - - - 2W (TA)
DMTH10H2M5STLWQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H2M5STLWQ-13 4.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerfn DMTH10 MOSFET (Metalloxid) PowerDI1012-8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 100 v 215a (TC) 10V 2,5 MOHM @ 30a, 10V 4v @ 250 ähm 124.4 NC @ 10 V. ± 20 V 8450 PF @ 50 V - - - 5,8W (TA), 230,8 W (TC)
ZDT717TC Diodes Incorporated ZDT717TC - - -
RFQ
ECAD 2631 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-223-8 ZDT717 2.5W Sm8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 12V 2.5a 100na 2 PNP (Dual) 220 MV @ 50 Ma, 2,5a 300 @ 100 mA, 2 V 110 MHz
ZTX853STOB Diodes Incorporated Ztx853Stob - - -
RFQ
ECAD 5246 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 ZTX853 1,2 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 100 v 4 a 50na (ICBO) Npn 200mv @ 400 mA, 4a 100 @ 2a, 2v 130 MHz
DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-7 0,3900
RFQ
ECAD 330 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN63 MOSFET (Metalloxid) 300 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 220 Ma 2,8OHM @ 250 mA, 10V 1,5 V @ 250 ähm 0,87NC @ 10V 22pf @ 25v - - -
ZXMC10A816N8TC Diodes Incorporated ZXMC10A816N8TC 0,9700
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMC10 MOSFET (Metalloxid) 1,8W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N und p-kanal 100V 2a 230mohm @ 1a, 10V 2,4 V @ 250 ähm 9.2nc @ 10v 497PF @ 50V Logikpegel -tor
DXT3150-13 Diodes Incorporated DXT3150-13 - - -
RFQ
ECAD 9693 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa DXT3150 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 25 v 5 a 1 µA (ICBO) Npn 500mv @ 200 Ma, 4a 250 @ 500 mA, 2V 220 MHz
DSM80100M-7 Diodes Incorporated DSM80100M-7 - - -
RFQ
ECAD 9496 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 DSM80100 600 MW SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 80 v 500 mA 100NA (ICBO) PNP + Diode (Isolier) 250mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 10 mA, 1V - - -
MMDT5401-7 Diodes Incorporated MMDT5401-7 - - -
RFQ
ECAD 4703 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mmdt5401 200 MW SOT-363 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 150 v 200 ma 50na (ICBO) 2 PNP (Dual) 500mv @ 5ma, 50 mA 60 @ 10ma, 5V 300 MHz
DDTC125TUA-7 Diodes Incorporated DDTC125TUA-7 0,1000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv DDTC125 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated DMN1250UFEL-7 0,8300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 12-Ufqfn Expositionspad DMN1250 MOSFET (Metalloxid) 660 MW U-QFN1515-12 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 8 N-Kanal, Gemeinsames Tor, Gemeinsame Quelle 12V 2a 450MOHM @ 200 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 1,9nc @ 4,5V 190pf @ 6v - - -
FMMTL717TC Diodes Incorporated FMMTL717TC - - -
RFQ
ECAD 2855 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmtl717 500 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 12 v 1,25 a 10na PNP 290mv @ 50 mA, 1,25a 300 @ 100 mA, 2 V 205 MHz
DDTD143TU-7-F Diodes Incorporated DDTD143TU-7-F - - -
RFQ
ECAD 1208 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTD143 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 500 mA 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 100 @ 5ma, 5v 200 MHz 4.7 Kohms
MMST5551-7 Diodes Incorporated MMST5551-7 0,3800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1034-mmst5551-7dkr Ear99 8541.21.0075 3.000
ZXTP2012ASTZ Diodes Incorporated ZXTP2012ASTZ 1.2100
RFQ
ECAD 380 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZXTP2012 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 2.000 60 v 3.5 a 20na (ICBO) PNP 210mv @ 400 mA, 4a 100 @ 1a, 1V 120 MHz
BC807-25-7 Diodes Incorporated BC807-25-7 - - -
RFQ
ECAD 2213 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC807 310 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100na PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 160 @ 100 mA, 1V 100 MHz
ZXT14P12DXTA Diodes Incorporated ZXT14P12DXTA 0,4700
RFQ
ECAD 752 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Veraltet Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000
DMG4496SSSQ-13 Diodes Incorporated DMG4496SSSQ-13 0,1851
RFQ
ECAD 8038 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMG4496 MOSFET (Metalloxid) 8-Sop Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMG4496SSSQ-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 10a (ta) 4,5 V, 10 V. 21,5 MOHM @ 10a, 10V 2v @ 250 ähm 10.2 NC @ 10 V ± 25 V 493.5 PF @ 15 V - - - 1.42W (TA)
ZVN2120ASTZ Diodes Incorporated ZVN2120ASTZ - - -
RFQ
ECAD 6035 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 200 v 180 ma (ta) 10V 10ohm @ 250 mA, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 85 PF @ 25 V. - - - 700 MW (TA)
2DC4617R-7 Diodes Incorporated 2DC4617R-7 - - -
RFQ
ECAD 1483 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 2DC4617 150 MW SOT-523 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) Npn 400mv @ 5ma, 50 mA 180 @ 1ma, 6v 180 MHz
DDTA144WCA-7-F Diodes Incorporated DDTA144WCA-7-F 0,0386
RFQ
ECAD 4393 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA144 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 56 @ 10ma, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
ZXMNS3BM832TA Diodes Incorporated ZXMNS3BM832TA - - -
RFQ
ECAD 4516 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad MOSFET (Metalloxid) 8-mlp (3x2) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 2a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 180 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. 700 MV @ 250 um (min) 2,9 NC @ 4,5 V. ± 12 V 314 PF @ 15 V Schottky Diode (Isolier) 1W (TA)
ZTX576STZ Diodes Incorporated ZTX576STZ - - -
RFQ
ECAD 1131 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX576 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 200 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 50 @ 300 mA, 10V 100 MHz
FZTA92TA Diodes Incorporated FZTA92ta - - -
RFQ
ECAD 6250 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZTA92 2 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 300 V 500 mA 250na (ICBO) PNP 500 mv @ 2MA, 20 mA 25 @ 30 Ma, 10V 50 MHz
DMT12H007SPS-13 Diodes Incorporated DMT12H007SPS-13 0,5845
RFQ
ECAD 1744 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMT12 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMT12H007SPSPSP-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 120 v 80A (TC) 6 V, 10V 8.9MOHM @ 30a, 10V 4v @ 250 ähm 44 NC @ 10 V. ± 20 V 3142 PF @ 60 V - - - 2.9W
DMN1004UFV-7 Diodes Incorporated DMN1004UFV-7 0,5600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN1004 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (Typ UX) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 12 v 70a (TC) 2,5 V, 4,5 V. 3,8 MOHM @ 15a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 47 NC @ 8 V. ± 8 v 2385 PF @ 6 V. - - - 1,9W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus