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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZTX649 | 0,8600 | ![]() | 8592 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX649 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZTX649-NDR | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 25 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 1a, 2v | 240 MHz | ||||||||||||||||
FMMT625TC | - - - | ![]() | 8491 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt625 | 625 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 150 v | 1 a | 100na | Npn | 300 mV @ 50 Ma, 1a | 300 @ 200 Ma, 10V | 135 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | DMP2240UDM-7 | 0,4100 | ![]() | 285 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | DMP2240 | MOSFET (Metalloxid) | 600 MW | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 2a | 150 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | - - - | 320PF @ 16V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
BCv47ta | 0,3500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCV47 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 170 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DCX54-16-13 | - - - | ![]() | 3767 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DCX54 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | |||||||||||||||||
![]() | Ztx718stz | 0,2987 | ![]() | 5087 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX718 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 20 v | 2,5 a | 100na | PNP | 260mv @ 200 Ma, 2,5a | 150 @ 2a, 2v | 180 MHz | |||||||||||||||||
![]() | Fcx1053ata | 0,7200 | ![]() | 3866 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FCX1053 | 2 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 75 V | 3 a | 10na | Npn | 440mv @ 200 Ma, 4,5a | 300 @ 500 mA, 2 V | 140 MHz | |||||||||||||||||
MMBT2907AQ-7-F | 0,0375 | ![]() | 8344 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT2907 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-MMBT2907AQ-7-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||||
DCX123JH-7 | 0,0945 | ![]() | 6143 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DCX123 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2ko | 47kohm | |||||||||||||||||
![]() | DXTC3C100PD-13 | 0,2411 | ![]() | 7378 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DXTC3C100 | 1.47W | PowerDI5060-8 (Typ UXD) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DXTC3C100PD-13TR | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 100V | 3a | 100na | NPN, PNP | 330mv @ 300 mA, 3a / 325mv @ 200 mA, 2a | 150 @ 500 mA, 10 v / 170 @ 500 mA, 10 V. | 130 MHz, 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DXTP3C100PSQ-13 | 0,6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DXTP3C100 | 5 w | PowerDI5060-8 (Typ q) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 100 v | 3 a | 100na | PNP | 360 mV @ 200 Ma, 2a | 170 @ 500 mA, 10V | 125 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DMN3009LFVW-13 | 0,2200 | ![]() | 3060 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | DMN3009 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 42 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2000 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||
FMMT555TC | 0,4400 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt555 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 150 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 300 mA, 10V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
DDTB114EU-7-F | - - - | ![]() | 9929 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTB114 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | Ztx869stz | 0,4970 | ![]() | 8619 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | Ztx869 | 1,2 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 25 v | 5 a | 50na (ICBO) | Npn | 220 MV @ 100 Ma, 5a | 300 @ 1a, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||
FMMTL619TC | - - - | ![]() | 2053 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmtl619 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 1,25 a | 10na | Npn | 330 MV @ 125 Ma, 1,25a | 200 @ 500 Ma, 5V | 180 MHz | |||||||||||||||||||
BCP53ta | 0,4000 | ![]() | 449 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP53 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMT6007LFGQ-13 | 1.1100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT6007 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 15a (TA), 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 20a, 10V | 2v @ 250 ähm | 41,3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2090 PF @ 30 V | - - - | 2,2 W (TA), 62,5 W (TC) | |||||||||||||
![]() | DDTA144WE-7-F | 0,0605 | ![]() | 2348 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | DDTA (R1#R2 -Serie) | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTA144 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DDTA144WE-FDICT | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||
DDTC143ZCA-7-F-50 | 0,0242 | ![]() | 9315 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automotive, AEC-Q101, DDTA (R1 ≠ R2-Serie) CA | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC143 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-DDTC143ZCA-7-F-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | DMTH48M3SFVW-7 | 0,2217 | ![]() | 8551 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMTH48M3SFVW-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 14,6a (TA), 52,4a (TC) | 10V | 8,9 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 12.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 897 PF @ 20 V | - - - | 2,82W (TA), 36,6 W (TC) | |||||||||||||||
DMN53D0LQ-13 | 0,0491 | ![]() | 6290 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN53 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 50 v | 500 mA (TA) | 2,5 V, 10 V. | 1,6OHM @ 500 mA, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 46 PF @ 25 V. | - - - | 370 MW (TA) | ||||||||||||||
DZT853-13 | - - - | ![]() | 4939 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | DZT853 | 1 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 100 v | 6 a | 10NA (ICBO) | Npn | 340mv @ 500 mA, 5a | 100 @ 2a, 2v | 130 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | Ztx789astz | 0,4494 | ![]() | 3705 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX789 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 25 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 3a | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DDTC144EKA-7-F | - - - | ![]() | 1816 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC144 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DMTH6006LPSW-13 | 0,3896 | ![]() | 7863 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH6006 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 (Typ q) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 31-DMTH6006LPSW-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 17,2a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 34,9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2162 PF @ 30 V | - - - | 2,88W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||
![]() | DMMT3904W-7-F-79 | - - - | ![]() | 2844 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | DMMT3904 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DMMT3904W-7-F-79TR | Veraltet | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
ZXM61P02FTA | 0,4600 | ![]() | 7059 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXM61P02 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 900 mA (TA) | 2,7 V, 4,5 V. | 600MOHM @ 610 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 3,5 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 150 PF @ 15 V | - - - | 625 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | DMT10H032LFVW-13 | 0,3632 | ![]() | 5205 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | DMT10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT10H032LFVW-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 17a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 32mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 11.9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 683 PF @ 50 V | - - - | 1,3W (TA) | ||||||||||||||
![]() | DMT6013LSS-13 | 0,1914 | ![]() | 6293 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMT6013 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMT6013LSS-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14.3mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 1081 PF @ 30 V | - - - | 1.4W (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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