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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DMT68M8LPS-13 Diodes Incorporated DMT68M8LPS-13 0,2893
RFQ
 ECAD 1265 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMT68 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 14,1a (TA), 69,2a (TC) 4,5 V, 10 V. 7,9 MOHM @ 20A, 10V 3v @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 20 V 2078 PF @ 30 V - - - 2,4W (TA), 56,8W (TC)
DZT658-13 Diodes Incorporated DZT658-13 - - -
RFQ
 ECAD 2183 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa DZT658 1 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 400 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 10 mA, 100 mA 40 @ 200 Ma, 10V 50 MHz
DMT6012LFDF-13 Diodes Incorporated DMT6012LFDF-13 0,2081
RFQ
 ECAD 6124 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMT6012 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 60 v 9,5a (TA) 4,5 V, 10 V. 14mohm @ 8.5a, 10V 2,3 V @ 250 ähm 13.6 NC @ 10 V ± 20 V 785 PF @ 30 V - - - 900 MW (TA), 11W (TC)
2N7002A-7 Diodes Incorporated 2N7002A-7 0,3000
RFQ
 ECAD 531 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 180 ma (ta) 5v, 10V 6OHM @ 115 Ma, 5V 2v @ 250 ähm ± 20 V 23 PF @ 25 V. - - - 370 MW (TA)
DMG3418L-13 Diodes Incorporated DMG3418L-13 0,0781
RFQ
 ECAD 1822 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMG3418 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 30 v 4a (ta) 2,5 V, 10 V. 60mohm @ 4a, 10V 1,5 V @ 250 ähm 5,5 NC @ 4,5 V ± 12 V 464.3 PF @ 15 V - - - 1.4W (TA)
FZT704TA Diodes Incorporated FZT704TA - - -
RFQ
 ECAD 4568 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Digi-reel® Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT704 2 w SOT-223-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 100 v 1,5 a 10 µA PNP - Darlington 2,5 V @ 2MA, 2a 3000 @ 1a, 5V 160 MHz
DMN53D0LV-7 Diodes Incorporated DMN53D0LV-7 0,4400
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMN53 MOSFET (Metalloxid) 430 MW (TA) SOT-563 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 50V 350 Ma (TA) 1,6OHM @ 500 mA, 10 V. 1,5 V @ 250 ähm 0,6nc @ 4,5 V 46PF @ 25v - - -
FMMT489TC Diodes Incorporated Fmmt489tc - - -
RFQ
 ECAD 8158 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt489 500 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 30 v 1 a 100na Npn 600mv @ 200 Ma, 2a 100 @ 1a, 2v 150 MHz
FMMT411TA Diodes Incorporated Fmmt411ta 2.6500
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 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt411 730 MW SOT-23 (Typ DN) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 80 v 600 mA 100NA (ICBO) Npn 100 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 10 mA, 10 V. 40 MHz
DMP3028LPSQ-7 Diodes Incorporated DMP3028LPSQ-7 - - -
RFQ
 ECAD 8394 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Vorläufig -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMP3028 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 30 v 21a (TC) 4,5 V, 10 V. 28mohm @ 7a, 10V 2,4 V @ 250 ähm 22 NC @ 10 V. ± 20 V 1372 PF @ 15 V - - - 1.28W
ZXMC3A16DN8TC Diodes Incorporated ZXMC3A16DN8TC 1.3900
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMC3 MOSFET (Metalloxid) 1.25W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N und p-kanal 30V 4,9a, 4,1a 35mohm @ 9a, 10V 1 V @ 250 um (min) 17.5nc @ 10v 796PF @ 25v Logikpegel -tor
DCX52-13 Diodes Incorporated DCX52-13 - - -
RFQ
 ECAD 8803 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa DCX52 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150 mA, 2V 200 MHz
BC817-40Q-7-F Diodes Incorporated BC817-40q-7-F 0,2100
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC817 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100na Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 250 @ 100 mA, 1V 100 MHz
FCX591TA Diodes Incorporated Fcx591ta 0,4600
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa FCX591 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 1 a 100na PNP 600mv @ 100 mA, 1a 100 @ 500 mA, 5V 150 MHz
DPLS315E-13 Diodes Incorporated DPLS315E-13 - - -
RFQ
 ECAD 1342 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Dpls315 1 w SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 15 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 Ma, 3a 500 @ 10 mA, 2V 100 MHz
ZVN0545GTA Diodes Incorporated ZVN0545GTA 0,8700
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 ECAD 2432 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZVN0545 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 450 V 140 mA (TA) 10V 50 Ohm @ 100 Ma, 10 V 3V @ 1ma ± 20 V 70 PF @ 25 V. - - - 2W (TA)
DMT6012LSS-13 Diodes Incorporated DMT6012LSS-13 0,1562
RFQ
 ECAD 3084 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMT6012 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 10.4a (ta) 4,5 V, 10 V. 11mohm @ 10a, 10V 2v @ 250 ähm 22.2 NC @ 10 V ± 20 V 1522 PF @ 30 V - - - 1.2W (TA)
ZTX692B Diodes Incorporated ZTX692B 0,8900
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 ECAD 1985 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 ZTX692 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ZTX692B-NDR Ear99 8541.29.0075 4.000 70 V 1 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 10ma, 1a 400 @ 500 mA, 2V 150 MHz
DMN2055UWQ-7 Diodes Incorporated DMN2055UWQ-7 0,0794
RFQ
 ECAD 2792 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN2055 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN2055UWQ-7TR Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 3.1a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 46mohm @ 3,6a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 4,3 NC @ 4,5 V. ± 8 v 400 PF @ 10 V. - - - 520 MW (TA)
DDTC123JUA-7-F Diodes Incorporated DDTC123JUA-7-F 0,2500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTC123 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
DMT3020LFDFQ-13 Diodes Incorporated DMT3020LFDFQ-13 0,1501
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMT3020 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMT3020LFDFQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 30 v 8.4a (ta) 4,5 V, 10 V. 17mohm @ 9a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 7 NC @ 10 V ± 20 V 393 PF @ 15 V - - - 700 MW (TA)
DMT47M2SFVWQ-7 Diodes Incorporated DMT47M2SFVWQ-7 0,8400
RFQ
 ECAD 9165 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMT47 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 40 v 15,4a (TA), 49,1a (TC) 10V 7,5 MOHM @ 20A, 10V 4v @ 250 ähm 12.1 NC @ 10 V. ± 20 V 897 PF @ 20 V - - - 2,67W (TA), 27,1W (TC)
DDTA113TCA-7-F Diodes Incorporated DDTA113TCA-7-F 0,0386
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 ECAD 4171 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA113 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 1 Kohms
ZHB6718TC Diodes Incorporated ZHB6718TC - - -
RFQ
 ECAD 8860 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-223-8 ZHB6718 1.25W Sm8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 20V 2.5a 100 µA 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 200mv @ 50 Ma, 2,5a 200 @ 2a, 2v 140 MHz
DMTH8008LFGQ-7 Diodes Incorporated DMTH8008LFGQ-7 1.3300
RFQ
 ECAD 1074 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 80 v 17A (TA), 70A (TC) 4,5 V, 10 V. 6,9 MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 1ma 37,7 NC @ 10 V. ± 20 V 2254 PF @ 40 V - - - 1,2 W (TA), 50 W (TC)
FMMT2907ATA Diodes Incorporated Fmmt2907ata - - -
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 ECAD 8245 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt2907a 330 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 200 MHz
ZXMC3A17DN8TC Diodes Incorporated ZXMC3A17DN8TC - - -
RFQ
 ECAD 8809 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMC3 MOSFET (Metalloxid) 1.25W 8-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N und p-kanal 30V 4,1a, 3,4a 50mohm @ 7.8a, 10V 1 V @ 250 um (min) 12.2nc @ 10v 600PF @ 25V Logikpegel -tor
DMTH3004LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH3004LK3Q-13 0,9500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMTH3004 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 21A (TA), 75A (TC) 4,5 V, 10 V. 4mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 44 NC @ 10 V. +20V, -16v 2370 PF @ 15 V - - - 107W (TA)
BCP5116TA Diodes Incorporated BCP5116ta 0,4000
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BCP5116 2 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 45 V 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 150 MHz
DSS5140V-7 Diodes Incorporated DSS5140V-7 0,4300
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 ECAD 135 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DSS5140 600 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 1 a 100na PNP 310 mv @ 100 mA, 1a 300 @ 100 mA, 5V 150 MHz
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