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Transistoren (6028)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN31D6UT-7 | 0,0545 |  | 3863 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMN31 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 350 Ma (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 1,5OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 0,35 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 13.6 PF @ 15 V | - - - | 320 MW | |||||||||||||
 | DMG1013UWQ-7-52 | 0,0626 | | 7222 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMG1013 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | 31-DMG1013UWQ-7-52 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 820 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 750 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,62 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | 59.76 PF @ 16 V | - - - | 310 MW | |||||||||||||||
 | BSS138DWK-13 | 0,0379 | | 7859 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BSS138 | MOSFET (Metalloxid) | 330 MW | SOT-363 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BSS138DWK-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 n-kanal (dual) | 50V | 310 mA (TA) | 2,6OHM @ 200 Ma, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 0,8nc @ 10v | 22pf @ 25v | - - - | ||||||||||||||||
| DMN2310UW-13 | 0,0347 | | 1479 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN2310 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN2310UW-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 1,3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 200 MOHM @ 300 Ma, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 0,7 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 38 PF @ 10 V. | - - - | 450 MW (TA) | ||||||||||||||
 | DMP3030SN-7 | 0,3700 | | 3659 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP3030 | MOSFET (Metalloxid) | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 700 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 250 MOHM @ 400 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 160 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||
 | DMN61D9UT-13 | - - - | | 5438 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMN61 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | - - - | 31-DMN61D9UT-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 350 Ma (TA) | 1,8 V, 5 V. | 2OHM @ 50 Ma, 5V | 1V @ 250 ähm | 0,4 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 28.5 PF @ 30 V | - - - | 260 MW (TA) | |||||||||||||||
| BSS84DWQ-13 | 0,0986 | | 7654 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BSS84 | MOSFET (Metalloxid) | 300 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BSS84DWQ-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 p-kanal (dual) | 50V | 130 mA (ta) | 10ohm @ 100 mA, 5V | 2V @ 1ma | - - - | 45PF @ 25v | - - - | |||||||||||||||
| DMN2710ut-13 | 0,0598 | | 5031 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMN2710 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN2710UT-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 870 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 450MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | 42 PF @ 16 V. | - - - | 320 MW (TA) | ||||||||||||||
 | ZVP4105ASTOB | - - - | | 8675 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 50 v | 175 mA (ta) | 5v | 10ohm @ 100 mA, 5V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 40 PF @ 25 V. | - - - | 625 MW (TA) | ||||||||||||||||
 | DMHC4035LSDQ-13 | 1.1100 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMHC4035 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5 W (TA) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n und 2 p-kanal (Halbe Brücke) | 40V | 4,5a (TA), 3,7a (TA) | 45mohm @ 3,9a, 10 V, 65MOHM @ 4,2a, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 5,9nc @ 4,5 V, 5,4nc @ 4,5 V. | 574PF @ 20V, 587PF @ 20V | - - - | |||||||||||||||
 | DMP1200UFR4-7 | 0,4000 | | 1927 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMP1200 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN1010-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 2a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 100mohm @ 2a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 5,8 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 514 PF @ 5 V. | - - - | 480 MW (TA) | |||||||||||||
 | DMTH6016LFDFWQ-13 | 0,2791 | | 5870 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMTH6016 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (SWP) (Typ F) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 9,4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 18mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15.3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 925 PF @ 30 V | - - - | 1.06W (TA) | |||||||||||||
| BSS123W-7-F | 0,3800 | | 594 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BSS123 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 170 mA (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6OHM @ 170 mA, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 60 PF @ 25 V | - - - | 200 MW (TA) | ||||||||||||||
 | ZXMN6A09GTA | 1.2400 | | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZXMN6 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 5.4a (TA) | 10V | 40mohm @ 8.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24.2 NC @ 5 V. | ± 20 V | 1407 PF @ 40 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||
 | DMP2008UFG-13 | 0,6100 | | 25 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP2008 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 14A (TA), 54a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 8mohm @ 12a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 72 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 6909 PF @ 10 V. | - - - | 2,4W (TA), 41W (TC) | |||||||||||||
 | MMBT3906-13-F-52 | 0,0204 | | 9045 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-MMBT3906-13-F-52 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 200 ma | 50na | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||
 | DMTH6002LPS-13 | 1.6700 | | 31 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH6002 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 (Typ K) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 100a (TC) | 6 V, 10V | 2mohm @ 50a, 10V | 3v @ 250 ähm | 130,8 NC @ 10 V | ± 20 V | 6555 PF @ 30 V | - - - | 167W | |||||||||||||
 | DMNH6011LK3Q-13 | 0,6907 | | 9347 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMNH6011 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 55 v | 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 25a, 10V | 2v @ 250 ähm | 49.1 NC @ 10 V. | ± 12 V | 3077 PF @ 30 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||||||||||
| DDTA124EUA-7-F | 0,0435 | | 9772 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA124 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||
| DMPH6050SK3-13 | 0,6400 | | 9164 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMPH6050 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 7.2a (TA), 23,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 50mohm @ 7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1377 PF @ 30 V | - - - | 1,9W (TA) | |||||||||||||
 | DMTH45M5SPDW-13 | 1.2200 | | 5621 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH45M | MOSFET (Metalloxid) | 3,3 W (TA), 60 W (TC) | PowerDI5060-8 (Typ UXD) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 79a (TC) | 5,5 MOHM @ 25a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 13.2nc @ 10v | 1083PF @ 20V | Standard | ||||||||||||||||
 | DMT68M8LFV-13 | 0,2878 | | 4241 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT68 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (Typ UX) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMT68M8LFV-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 54.1a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 13,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 2078 PF @ 30 V | - - - | 2,7W (TA), 41,7W (TC) | ||||||||||||
| DMTH41M8SPS-13 | 0,8177 | | 5708 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH41 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 (Typ K) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMTH41M8SPS-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 10V | 1,8 MOHM @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 79,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6968 PF @ 20 V | - - - | 3.03W | ||||||||||||
| DMPH6050SFG-13 | 0,2482 | | 1422 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | DMPH6050 | MOSFET (Metalloxid) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMPH6050SFG-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 6.1a (ta), 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 50mohm @ 7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1293 PF @ 30 V | - - - | 3.2W | ||||||||||||||
| DMN90H8D5HCTI | - - - | | 4827 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | DMN90 | MOSFET (Metalloxid) | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 900 V | 2,5a (TC) | 10V | 7ohm @ 1a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 7,9 NC @ 10 V | ± 30 v | 470 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | ||||||||||||||
| BC847BW-7-F | 0,2000 | | 699 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC847 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 20na (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||
 | DMP57D5UFB-7 | - - - | | 2080 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | MOSFET (Metalloxid) | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 2,5 V, 4 V. | 6OHM @ 100 mA, 4V | 1V @ 250 ähm | ± 8 v | 29 PF @ 4 V. | - - - | 425 MW (TA) | |||||||||||||||
| ZVN4210ASTZ | 0,3197 | | 7542 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZVN4210 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Q1603162A | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 450 Ma (TA) | 5v, 10V | 1,5OHM @ 1,5A, 10 V. | 2,4 V @ 1ma | ± 20 V | 100 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||
| DMN60H4D5SK3-13 | - - - | | 7008 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMN60 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | - - - | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 2,5a (TC) | 10V | 4,5OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 8.2 NC @ 10 V | ± 30 v | 273.5 PF @ 25 V. | - - - | 41W (TC) | ||||||||||||||
| DCX124EK-7 | - - - | | 3859 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | DCX124 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DCX124EK-7TR | Veraltet | 3.000 |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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