SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1)
DMG1029SV-7-52 Diodes Incorporated DMG1029SV-7-52 0,0622
RFQ
ECAD 1454 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMG1029 MOSFET (Metalloxid) 450 MW (TA) SOT-563 Herunterladen 31-DMG1029SV-7-52 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-und p-kanal-krementär 60 v 500 mA (TA), 360 mA (TA) 1,7OHM @ 500 mA, 10V, 4OHM @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 250 um, 3 V @ 250 µa 0,3nc @ 4,5 V, 0,28nc @ 4,5 V. 30pf @ 25v, 25pf @ 25v Standard
DMG4812SSS-13 Diodes Incorporated DMG4812SSS-13 - - -
RFQ
ECAD 6382 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMG4812 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 8a (ta) 4,5 V, 10 V. 15mohm @ 10.7a, 10V 2,3 V @ 250 ähm 18,5 NC @ 10 V. ± 12 V 1849 PF @ 15 V Schottky Diode (Körper) 1,54W (TA)
DDTA123TE-7-F Diodes Incorporated DDTA123TE-7-F 0,0605
RFQ
ECAD 7083 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 DDTA123 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 5 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms
2DA1201Y-7 Diodes Incorporated 2DA1201Y-7 0,1743
RFQ
ECAD 7280 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2DA1201 1,5 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 120 v 800 mA 100na PNP 1v @ 50 mA, 500 mA 120 @ 100 mA, 5V 160 MHz
2DA1971-7 Diodes Incorporated 2DA1971-7 0,4500
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2DA1971 1,5 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 400 V 500 mA 100na PNP 400mv @ 40 mA, 200 mA 140 @ 100 mA, 5V 75 MHz
APT13003HZTR-G1 Diodes Incorporated APT13003HZTR-G1 - - -
RFQ
ECAD 8972 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads APT13003 1,1 w To-92 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.000 465 v 1,5 a - - - Npn 400 mV @ 250 mA, 1a 13 @ 500 mA, 2V 4MHz
BC846BQ-13-F Diodes Incorporated BC846BQ-13-F 0,0280
RFQ
ECAD 4820 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC846 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-BC846BQ-13-FTR Ear99 8541.21.0075 10.000 65 V 100 ma 15na Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 300 MHz
FZT493ATC Diodes Incorporated FZT493ATC - - -
RFQ
ECAD 6944 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 2 w SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4.000 100 v 1 a 100na Npn 600mv @ 100 mA, 1a 100 @ 250 mA, 10 V 150 MHz
DMN6140L-13-52 Diodes Incorporated DMN6140L-13-52 0,0462
RFQ
ECAD 8898 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN6140 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 31-DMN6140L-13-52 Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 60 v 1,6a (ta) 4,5 V, 10 V. 140 MOHM @ 1,8a, 10V 3v @ 250 ähm 8.6 NC @ 10 V ± 20 V 315 PF @ 40 V - - - 700 MW (TA)
ZXTP19060CZTA Diodes Incorporated ZXTP19060CZTA 0,7500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa ZXTP19060 2,4 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 4.5 a 50na (ICBO) PNP 410 MV @ 450 Ma, 4,5a 200 @ 100 Ma, 2V 180 MHz
DPLS160-7 Diodes Incorporated DPLS160-7 0,4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Dpls160 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 1 a 100na PNP 330 MV @ 100 Ma, 1a 200 @ 1ma, 5V 150 MHz
DMN2004DMK-7 Diodes Incorporated DMN2004DMK-7 0,4100
RFQ
ECAD 224 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 DMN2004 MOSFET (Metalloxid) 225 MW SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 20V 540 Ma 550MOHM @ 540 mA, 4,5 V. 1V @ 250 ähm - - - 150pf @ 16v Logikpegel -tor
DMT6010LSS-13 Diodes Incorporated DMT6010LSS-13 1.3000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMT6010 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 14a (ta) 4,5 V, 10 V. 8mohm @ 20a, 10V 2v @ 250 ähm 41,3 NC @ 10 V. ± 20 V 2090 PF @ 30 V - - - 1,5 W (TA)
DMC6070LFDH-7 Diodes Incorporated DMC6070LFDH-7 - - -
RFQ
ECAD 4209 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-vdfn DMC6070 MOSFET (Metalloxid) 1.4W V-DFN3030-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N und p-kanal 60 v 3.1a, 2.4a 85mohm @ 1,5a, 10V 3v @ 250 ähm 11.5nc @ 10v 731pf @ 20V Logikpegel -tor
DMN67D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN67D8LDW-7 0,0756
RFQ
ECAD 3181 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN67 MOSFET (Metalloxid) 320 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 60 v 230 Ma 5ohm @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 250 ähm 0,82nc @ 10v 22pf @ 25v - - -
DMTH6016LFDFW-13 Diodes Incorporated DMTH6016LFDFW-13 0,2443
RFQ
ECAD 9958 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMTH6016 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (SWP) (Typ F) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 60 v 9,4a (TA) 4,5 V, 10 V. 18mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 15.3 NC @ 10 V. ± 20 V 925 PF @ 30 V - - - 1.06W (TA)
DDTA114GCA-7 Diodes Incorporated DDTA114GCA-7 0,1000
RFQ
ECAD 843 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv DDTA114 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
BSR31TA Diodes Incorporated BSR31ta - - -
RFQ
ECAD 4400 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Digi-reel® Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa BSR31 1 w SOT-89-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 1 a - - - PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 Ma, 5V 100 MHz
DST3946DPJ-7 Diodes Incorporated DST3946DPJ-7 0,0672
RFQ
ECAD 2599 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-963 DST3946 300 MW SOT-963 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 40V 200 ma - - - NPN, PNP 300mv @ 5 mA, 50 mA / 400 mv @ 5 mA, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
ZXTD6717E6TA Diodes Incorporated ZXTD6717E6TA 0,6600
RFQ
ECAD 101 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 ZXTD6717 1.1W SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 15 V, 12V 1,5a, 1,25a 10na NPN, PNP 245mv @ 20 mA, 1,5a / 240mv @ 100 mA, 1,25a 250 @ 500 mA, 2V / 200 @ 500 mA, 2V 180 MHz, 220 MHz
ZVP0545GTC Diodes Incorporated ZVP0545GTC - - -
RFQ
ECAD 2251 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 P-Kanal 450 V 75 Ma (TA) 10V 150OHM @ 50 Ma, 10V 4,5 V @ 1ma ± 20 V 120 PF @ 25 V. - - - 2W (TA)
ZTX1151ASTOB Diodes Incorporated Ztx1151astob - - -
RFQ
ECAD 4114 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads Ztx1151a 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 40 v 3 a 100na PNP 240mv @ 250 mA, 3a 250 @ 500 mA, 2V 145 MHz
ZTX851 Diodes Incorporated ZTX851 1.0200
RFQ
ECAD 2690 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 ZTX851 1,2 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen ZTX851-NDR Ear99 8541.29.0075 4.000 60 v 5 a 50na (ICBO) Npn 250mv @ 200 Ma, 5a 100 @ 2a, 1V 130 MHz
DMT3020LDV-13 Diodes Incorporated DMT3020LDV-13 0,1927
RFQ
ECAD 4324 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT3020 MOSFET (Metalloxid) 900 MW (TA) PowerDI3333-8 (Typ UXC) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 32a (TC) 20mohm @ 9a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 7nc @ 10v 393PF @ 15V - - -
DMP1007UCB9-7 Diodes Incorporated DMP1007UCB9-7 0,7800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 9-UFBGA, WLBGA DMP1007 MOSFET (Metalloxid) U-WLB1515-9 (Typ C) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 8 v 13.2a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 5,7 MOHM @ 2A, 4,5 V. 1,1 V @ 250 ähm 8,2 NC @ 4,5 V. ± 6 V 900 PF @ 4 V. - - - 840 MW (TA)
ZXTN618MATA Diodes Incorporated ZXTN618MATA 0,5300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-udfn ZXTN618 1,5 w DFN2020B-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 20 v 4.5 a 25na Npn 270 MV @ 125 Ma, 4,5a 200 @ 2a, 2v 140 MHz
2N7002H-13 Diodes Incorporated 2N7002H-13 0,0340
RFQ
ECAD 4451 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2N7002H-13DI Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 60 v 170 mA (ta) 5v 7.5OHM @ 50 Ma, 5V 3v @ 250 ähm 0,35 NC @ 4,5 V. ± 20 V 26 PF @ 25 V. - - - 370 MW (TA)
DCX52-16-13 Diodes Incorporated DCX52-16-13 0,3900
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa DCX52 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 200 MHz
DSS4160U-7 Diodes Incorporated DSS4160U-7 0,4300
RFQ
ECAD 2615 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DSS4160 400 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 1 a 100na Npn 280 mv @ 100 mA, 1a 200 @ 500 Ma, 5V 150 MHz
DMG4468LK3-13 Diodes Incorporated DMG4468LK3-13 0,5800
RFQ
ECAD 7231 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMG4468 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 9.7a (ta) 4,5 V, 10 V. 16mohm @ 11.6a, 10V 1,95 V @ 250 ähm 18.85 NC @ 10 V. ± 20 V 867 PF @ 15 V - - - 1,68W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus