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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DMN67D7L-13 Diodes Incorporated DMN67D7L-13 0,0333
RFQ
 ECAD 9626 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN67 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 60 v 210 mA (TA) 5v, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 250 ähm 0,821 NC @ 10 V ± 40 V 22 PF @ 25 V. - - - 570 MW (TA)
DDTA124TCA-7 Diodes Incorporated DDTA124TCA-7 0,2400
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv DDTA124 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1034-DDTA124TCA-7DKR Ear99 8541.21.0075 3.000
FZT949TA Diodes Incorporated FZT949ta 0,9900
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT949 3 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 30 v 5.5 a 50na (ICBO) PNP 440mv @ 500 mA, 5,5a 100 @ 1a, 1V 100 MHz
ZTX753STOB Diodes Incorporated Ztx753Stob - - -
RFQ
 ECAD 7758 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX753 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 100 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200 Ma, 2a - - - 140 MHz
ZXTN25100DFHTA Diodes Incorporated ZXTN25100DFHTA 0,5600
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXTN25100 1,25 w SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 100 v 2,5 a 50na (ICBO) Npn 330 MV @ 250 Ma, 2,5a 300 @ 10ma, 2v 175MHz
DDTC115EKA-7-F Diodes Incorporated DDTC115EKA-7-F - - -
RFQ
 ECAD 3240 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTC115 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 250 ua, 5 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 Kohms 100 Kohms
DCX144EK-7-F Diodes Incorporated DCX144EK-7-F - - -
RFQ
 ECAD 7725 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 DCX144 300 MW SC-74R Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 250 MHz 47kohm 47kohm
DMN601K-7 Diodes Incorporated DMN601K-7 0,4500
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN601 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 300 mA (TA) 5v, 10V 2OHM @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 1ma ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 350 MW (TA)
DMJ70H601SV3 Diodes Incorporated DMJ70H601SV3 - - -
RFQ
 ECAD 7863 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-251-3 Stub Leads, ipak DMJ70 MOSFET (Metalloxid) To-251 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 700 V 8a (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10 V. 4v @ 250 ähm 20,9 NC @ 10 V. ± 30 v 686 PF @ 50 V - - - 125W (TC)
MMBTA05Q-13-F Diodes Incorporated MMBTA05Q-13-F 0,0406
RFQ
 ECAD 2930 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBTA05 310 MW SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 60 v 500 mA 100na Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
BCX19TC Diodes Incorporated BCX19TC - - -
RFQ
 ECAD 9765 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BCX19 330 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 620 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 200 MHz
DZT2907A-13 Diodes Incorporated DZT2907A-13 0,3800
RFQ
 ECAD 139 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa DZT2907 1 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 60 v 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 200 MHz
DMN5L06WKQ-7 Diodes Incorporated DMN5L06WKQ-7 - - -
RFQ
 ECAD 4367 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN5L06 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 50 v 300 mA (TA) 1,8 V, 5 V. 2OHM @ 50 Ma, 5V 1V @ 250 ähm ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 250 MW (TA)
2N7002Q-7-F Diodes Incorporated 2N7002Q-7-F 0,2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 170 mA (ta) 5v, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 250 ähm 0,233 NC @ 10 V ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 370 MW (TA)
DMP4051LK3Q-13 Diodes Incorporated DMP4051LK3Q-13 0,2461
RFQ
 ECAD 1432 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMP4051 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMP4051LK3Q-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 40 v 7.2a (ta) 4,5 V, 10 V. 51mohm @ 12a, 10V 3v @ 250 ähm 14 NC @ 10 V ± 20 V 674 PF @ 20 V - - - 2.14W (TA)
FZTA14TC Diodes Incorporated FZTA14TC - - -
RFQ
 ECAD 1407 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZTA14 2 w SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1,6 V @ 1ma, 1a 20000 @ 100ma, 5V 170 MHz
DXT651Q-13 Diodes Incorporated DXT651Q-13 0,1550
RFQ
 ECAD 1247 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa DXT651 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 60 v 3 a 100NA (ICBO) Npn 600mv @ 300 mA, 3a 100 @ 500 mA, 2V 140 MHz
FMMT416TD Diodes Incorporated Fmmt416td 10.7100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt416 500 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-FMMT416TDCT Ear99 8541.21.0095 500 100 v 500 mA 100NA (ICBO) Npn 100 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 10 mA, 10 V. 40 MHz
DMN52D0UV-13 Diodes Incorporated DMN52D0UV-13 0,4700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMN52 MOSFET (Metalloxid) 480 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 2 n-kanal (dual) 50V 480 mA (TA) 2OHM @ 5MA, 5V 1V @ 250 ähm 1,5nc @ 10v 39pf @ 25v - - -
BCX6925TA Diodes Incorporated BCX6925ta 0,4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa BCX6925 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 20 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mA, 1a 160 @ 500 mA, 1V 100 MHz
ZVN4306AV Diodes Incorporated ZVN4306AV 1.5800
RFQ
 ECAD 2213 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) ZVN4306 MOSFET (Metalloxid) To-92 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen ZVN4306AV-NDR Ear99 8541.21.0095 4.000 N-Kanal 60 v 1.1a (ta) 5v, 10V 330mohm @ 3a, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 850 MW (TA)
ZXT12P12DXTC Diodes Incorporated ZXT12P12DXTC - - -
RFQ
 ECAD 6802 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) ZXT12P12D 1.04W 8-msop Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4.000 12V 3a 100na 2 PNP (Dual) 270mv @ 30 Ma, 3a 300 @ 1a, 2v 85 MHz
DMN2710UDW-7 Diodes Incorporated DMN2710UDW-7 0,0678
RFQ
 ECAD 1250 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN2710 MOSFET (Metalloxid) 360 MW (TA) SOT-363 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN2710udw-7tr Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 20V 800 mA (TA) 450MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,6nc @ 4,5 V 42PF @ 16V - - -
DCX114EU-13R-F Diodes Incorporated DCX114EU-13R-F 0,0291
RFQ
 ECAD 4033 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX114 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DCX114EU-13R-FDI Ear99 8541.21.0075 10.000 50V 100 ma 500NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 10kohm 10kohm
AC857CQ-7 Diodes Incorporated AC857CQ-7 0,2100
RFQ
 ECAD 4564 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 AC857 310 MW SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 15na PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 200 MHz
DSS5160T-7 Diodes Incorporated DSS5160T-7 0,4300
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DSS5160 725 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 340mv @ 100ma, 1a 150 @ 500 mA, 5V 150 MHz
DMP65H11D0HSS-13 Diodes Incorporated DMP65H11D0HSS-13 0,5075
RFQ
 ECAD 1043 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMP65H11D0HSS-13TR Ear99 8541.29.0095 4.000 P-Kanal 600 V 270 Ma (TA) 10V 11OHM @ 270 Ma, 10V 4v @ 250 ähm 13 NC @ 10 V ± 30 v 670 PF @ 25 V. - - - 1,9W (TA)
DMP6023LE-13 Diodes Incorporated DMP6023LE-13 0,8000
RFQ
 ECAD 2161 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa DMP6023 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 60 v 7a (ta), 18,2a (TC) 4,5 V, 10 V. 28mohm @ 5a, 10V 3v @ 250 ähm 53.1 NC @ 10 V ± 20 V 2569 PF @ 30 V - - - 2W (TA)
DDTC124GCA-7 Diodes Incorporated DDTC124GCA-7 0,1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Aktiv DDTC124 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
DMN30H4D0LFDE-13 Diodes Incorporated DMN30H4D0LFDE-13 0,1014
RFQ
 ECAD 4662 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-Powerudfn DMN30 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (Typ E) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 300 V 550 Ma (TA) 2,7 V, 10 V. 4OHM @ 300 mA, 10V 2,8 V @ 250 ähm 7.6 NC @ 10 V ± 20 V 187.3 PF @ 25 V. - - - 630 MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

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