SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DMT3009LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMT3009LFVWQ-7 0,2639
RFQ
ECAD 4237 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMT3009 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 12A (TA), 50A (TC) 3,8 V, 10 V. 11mohm @ 14.4a, 10V 3v @ 250 ähm 12 NC @ 10 V ± 20 V 823 PF @ 15 V - - - 2,3 W (TA), 35,7W (TC)
ZTX601ASTOB Diodes Incorporated ZTX601ASTOB - - -
RFQ
ECAD 8594 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX601 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 160 v 1 a 10 µA NPN - Darlington 1,2 V @ 10ma, 1a 2000 @ 500 mA, 10V 250 MHz
2DA1797-13-79 Diodes Incorporated 2DA1797-13-79 - - -
RFQ
ECAD 7049 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 2da1797 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-2DA1797-13-79TR Veraltet 2.500
ZTX968STOB Diodes Incorporated Ztx968Stob - - -
RFQ
ECAD 8419 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX968 1,58 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 12 v 4.5 a 50na (ICBO) PNP 300mv @ 200 Ma, 5a 300 @ 500 mA, 1V 80MHz
ZTX653STOB Diodes Incorporated Ztx653Stob - - -
RFQ
ECAD 3891 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX653 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 100 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 200 Ma, 2a - - - 175MHz
MMBT3906-7-F Diodes Incorporated MMBT3906-7-F 0,1200
RFQ
ECAD 1100 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBT3906 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 ma - - - PNP 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 250 MHz
DMP3045LFVW-7 Diodes Incorporated DMP3045LFVW-7 0,1733
RFQ
ECAD 7800 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMP3045 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMP3045LFVW-7TR Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 30 v 5.7a (TA), 19,9a (TC) 4,5 V, 10 V. 42mohm @ 4,9a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 13.6 NC @ 10 V ± 20 V 782 PF @ 15 V - - - 900 MW (TA)
ZXTN2005ZQTA Diodes Incorporated ZXTN2005ZQTA 0,3990
RFQ
ECAD 3286 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa ZXTN2005 1,5 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ZXTN2005ZQTADI Ear99 8541.29.0075 1.000 25 v 5.5 a 20na Npn 200mv @ 150 mA, 6,5a 300 @ 1a, 1V 150 MHz
DDTC143FUA-7-F Diodes Incorporated DDTC143FUA-7-F 0,2500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTC143 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 10ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 22 Kohms
ZXT13P12DE6TC Diodes Incorporated ZXT13P12DE6TC - - -
RFQ
ECAD 6798 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 ZXT13P12D 1,1 w SOT-23-6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 10.000 12 v 4 a 100na PNP 175mv @ 400 mA, 4a 300 @ 1a, 2v 55 MHz
FCX605TA Diodes Incorporated Fcx605ta 0,6500
RFQ
ECAD 120 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa FCX605 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 120 v 1 a 10 µA NPN - Darlington 1,5 V @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150 MHz
DSS5220TQ-13 Diodes Incorporated DSS5220TQ-13 0,0906
RFQ
ECAD 2570 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DSS5220 600 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 20 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 100 mA, 2a 225 @ 100 mA, 2V 100 MHz
ZTX450STOB Diodes Incorporated Ztx450Stob - - -
RFQ
ECAD 3728 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX450 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 45 V 1 a 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V 150 MHz
DDTD122LU-7-F Diodes Incorporated DDTD122LU-7-F - - -
RFQ
ECAD 4328 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTD122 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 500 mA 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 56 @ 50 Ma, 5V 200 MHz 220 Ohm 10 Kohms
ZVN4525E6TA Diodes Incorporated Zvn4525e6ta 0,8300
RFQ
ECAD 3913 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 ZVN4525 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 250 V 230 Ma (TA) 2,4 V, 10 V. 8,5OHM @ 500 mA, 10V 1,8 V @ 1ma 3,65 NC @ 10 V. ± 40 V 72 PF @ 25 V. - - - 1.1W (TA)
ZVP2106AS Diodes Incorporated ZVP2106As - - -
RFQ
ECAD 9217 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) MOSFET (Metalloxid) To-92 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 P-Kanal 60 v 280 Ma (TA) 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 3,5 V @ 1ma ± 20 V 100 PF @ 18 V. - - - 700 MW (TA)
2DD2678-13 Diodes Incorporated 2DD2678-13 - - -
RFQ
ECAD 5585 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2DD2678 900 MW SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.500 12 v 3 a 100NA (ICBO) Npn 250mv @ 30 mA, 1,5a 270 @ 500 mA, 2V 170 MHz
APT27HZTR-G1 Diodes Incorporated APT27HZTR-G1 0,4000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads Apt27 800 MW To-92 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.21.0095 2.000 450 V 800 mA 10 µA Npn 500mv @ 40 mA, 200 mA 6 @ 300 mA, 10V - - -
FZT690BQTA Diodes Incorporated FZT690BQTA 0,4262
RFQ
ECAD 9827 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1,2 w SOT-223 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-FZT690BQTATR Ear99 8541.29.0075 1.000 45 V 3 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 5ma, 1a 500 @ 100 mA, 2V 150 MHz
DMN3012LDG-13 Diodes Incorporated DMN3012LDG-13 - - -
RFQ
ECAD 2364 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerldfn DMN3012 MOSFET (Metalloxid) 2,2 W (TC) PowerDI3333-8 (Typ D) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 10a (ta), 20a (TC) 12mohm @ 15a, 5v, 6mohm @ 15a, 5V 2,1 V @ 250 UA, 1,15 V @ 250 µA 6,1nc @ 4,5V, 12,6nc @ 4,5 V 850pf @ 15V, 1480pf @ 15V - - -
DMG3406L-13 Diodes Incorporated DMG3406L-13 0,4200
RFQ
ECAD 211 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMG3406 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 30 v 3.6a (TA) 4,5 V, 10 V. 50mohm @ 3,6a, 10 V 2v @ 250 ähm 11.2 NC @ 10 V ± 20 V 495 PF @ 15 V - - - 770 MW (TA)
ZTX450STZ Diodes Incorporated Ztx450stz 0,8000
RFQ
ECAD 4822 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Klebeband (CT) Schneiden Aktiv - - - K. Loch E-Line-3 ZTX450 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 45 V 1 a - - - Npn 250mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V 150 MHz
DMG4406LSS-13 Diodes Incorporated DMG4406LSS-13 - - -
RFQ
ECAD 7247 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMG4406 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 10.3a (ta) 4,5 V, 10 V. 11Mohm @ 12a, 10V 2v @ 250 ähm 26.7 NC @ 10 V. ± 20 V 1281 PF @ 15 V - - - 1,5 W (TA)
ZXM66N03N8TA Diodes Incorporated ZXM66N03N8TA - - -
RFQ
ECAD 9602 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Digi-reel® Veraltet Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 30 v 9a (ta) 15mohm @ 7.3a, 10V 1V @ 250 ähm - - -
ZTX692BSTZ Diodes Incorporated ZTX692BSTZ 0,3780
RFQ
ECAD 9175 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX692 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 70 V 1 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 10ma, 1a 400 @ 500 mA, 2V 150 MHz
2DA1774QLP-7 Diodes Incorporated 2DA1774QLP-7 - - -
RFQ
ECAD 8561 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-Ufdfn 2da1774 250 MW X1-DFN1006-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP 200mv @ 5ma, 50 mA 120 @ 1ma, 6v 100 MHz
DDTC113TE-7-F Diodes Incorporated DDTC113TE-7-F 0,2800
RFQ
ECAD 1538 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 DDTC113 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 1 Kohms
DMP2004K-7 Diodes Incorporated DMP2004K-7 0,3800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMP2004 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 600 mA (TA) 1,8 V, 4,5 V. 900MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm ± 8 v 175 PF @ 16 V - - - 550 MW (TA)
2DB1188P-13 Diodes Incorporated 2DB1188p-13 - - -
RFQ
ECAD 8563 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2DB1188 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 32 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 200 Ma, 2a 82 @ 500 mA, 3V 120 MHz
ZVN2535ASTZ Diodes Incorporated Zvn2535astz - - -
RFQ
ECAD 8071 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 350 V 90 mA (TA) 10V 35OHM @ 100 mA, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 70 PF @ 25 V. - - - 700 MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus