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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DMTH15H017SPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH15H017SPSWQ-13 0,8967
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powertdfn DMTH15 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 (Typ UX) - - - 31-DMTH15H017SPSWQ-13 Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 150 v 11A (TA), 61A (TC) 8 V, 10V 19Mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 2344 PF @ 75 V - - - 1,5 W (TA)
DMN60H080DS-7 Diodes Incorporated DMN60H080DS-7 0,3700
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN60 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 600 V 80 mA (ta) 4,5 V, 10 V. 100ohm @ 60 mA, 10V 3v @ 250 ähm 1,7 NC @ 10 V. ± 20 V 25 PF @ 25 V. - - - 1.1W (TA)
DMP4013LFGQ-7-52 Diodes Incorporated DMP4013LFGQ-7-52 0,2970
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP4013 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen 31-DMP4013LFGQ-7-52 Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 40 v 10.3a (ta) 4,5 V, 10 V. 13mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 68,6 NC @ 10 V ± 20 V 3426 PF @ 20 V - - - 1W (TA)
ZVN0124Z Diodes Incorporated ZVN0124Z - - -
RFQ
 ECAD 9774 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet - - - K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) MOSFET (Metalloxid) To-92 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 240 V 160 mA (ta) 10V 16ohm @ 250 mA, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 85 PF @ 25 V. - - - - - -
DMT47M2SFVW-7 Diodes Incorporated DMT47M2SFVW-7 0,2451
RFQ
 ECAD 5437 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMT47 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMT47M2SFVW-7DI Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 40 v 15,4a (TA), 49,1a (TC) 10V 7,5 MOHM @ 20A, 10V 4v @ 250 ähm 12.1 NC @ 10 V. ± 20 V 897 PF @ 20 V - - - 2,67W (TA), 27,1W (TC)
DDTC123JLP-7 Diodes Incorporated DDTC123JLP-7 0,1213
RFQ
 ECAD 5968 0.00000000 Dioden Eingenbaut Ddtcxxxxl (r1#r2 -serie) Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 3-Ufdfn DDTC123 250 MW X1-DFN1006-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 200mv @ 5ma, 50 mA 180 @ 50 Ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
ZXTN04120HKTC Diodes Incorporated ZXTN04120HKTC 0,5900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 ZXTN04120 1,5 w To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 120 v 1,5 a 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1,5 V @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150 MHz
DMP3017SFGQ-7 Diodes Incorporated DMP3017SFGQ-7 - - -
RFQ
 ECAD 9399 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP3017 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 P-Kanal 30 v 11,5a (ta) 4,5 V, 10 V. 10Mohm @ 11.5a, 10V 3v @ 250 ähm 41 nc @ 10 v ± 25 V 2246 PF @ 15 V - - - 940 MW (TA)
DMN2310U-13 Diodes Incorporated DMN2310U-13 0,0275
RFQ
 ECAD 4937 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN2310 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN2310U-13TR Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 20 v 1,6a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 175mohm @ 300 mA, 4,5 V. 950 MV @ 250 ähm 0,7 NC @ 4,5 V. ± 8 v 38 PF @ 10 V. - - - 480 MW (TA)
ZXTD2090E6TA Diodes Incorporated ZXTD2090E6TA 0,3500
RFQ
 ECAD 5639 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 ZXTD2090 1.1W SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ZXTD2090E6TADI Ear99 8541.29.0075 3.000 50V 1a 10NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 270mv @ 50 Ma, 1a 75 @ 1a, 2v 215 MHz
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated DMG4407SSS-13 0,6300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMG4407 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 9,9a (TA) 6 V, 10V 11mohm @ 12a, 20V 3v @ 250 ähm 20,5 NC @ 10 V. ± 25 V 2246 PF @ 15 V - - - 1,45W (TA)
DMP2100UFU-7 Diodes Incorporated DMP2100UFU-7 0,1736
RFQ
 ECAD 8343 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-UFDFN exponiert Pad DMP2100 MOSFET (Metalloxid) 900 MW U-DFN2030-6 (Typ B) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 P-Kanal (Dual) Gemeinsamer Abfluss 20V 5.7a 38mohm @ 3,5a, 10V 1,4 V @ 250 ähm 21.4nc @ 10v 906PF @ 10V - - -
DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated DMHC6070LSD-13 1.1200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMHC6070 MOSFET (Metalloxid) 1.6W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n und 2 p-kanal (Halbe Brücke) 60 v 3.1a, 2.4a 100mohm @ 1a, 10 V. 3v @ 250 ähm 11.5nc @ 10v 731pf @ 20V - - -
2N7002KQ-13 Diodes Incorporated 2N7002KQ-13 0,3100
RFQ
 ECAD 6052 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 60 v 310 mA (TA) 5v, 10V 2OHM @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 1ma 0,3 NC @ 4,5 V ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 370 MW (TA)
DMNH6009SPS-13 Diodes Incorporated DMNH6009SPS-13 0,6079
RFQ
 ECAD 1744 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMNH6009 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMNH6009SPSPSP-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 95a (TC) 4,5 V, 10 V. 7.3mohm @ 50a, 10V 3v @ 250 ähm 37,3 NC @ 10 V. ± 20 V 1882 PF @ 30 V - - - 1.6W
DDTA124EUA-7-F Diodes Incorporated DDTA124EUA-7-F 0,0435
RFQ
 ECAD 9772 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTA124 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5ma, 5V 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
ZXMP3F37DN8TA Diodes Incorporated ZXMP3F37DN8TA - - -
RFQ
 ECAD 3624 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMP3F37 MOSFET (Metalloxid) 1,81W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ZXMP3F37DN8TADI Ear99 8541.29.0095 500 2 p-kanal (dual) 30V 5.7a 25mo @ 7.1a, 10V 3v @ 250 ähm 31.6nc @ 10v 1678PF @ 15V Logikpegel -tor
ZVN4525GTA Diodes Incorporated Zvn4525gta 0,9100
RFQ
 ECAD 4017 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZVN4525 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 250 V 310 mA (TA) 2,5 V, 10 V. 8,5OHM @ 500 mA, 10V 1,8 V @ 1ma 3,65 NC @ 10 V. ± 40 V 72 PF @ 25 V. - - - 2W (TA)
ZDM4206NTA Diodes Incorporated ZDM4206NTA - - -
RFQ
 ECAD 3690 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-223-8 ZDM4206N MOSFET (Metalloxid) 2.75W Sm8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 2 n-kanal (dual) 60 v 1a 1OHM @ 1,5a, 10V 3V @ 1ma - - - 100pf @ 25v Logikpegel -tor
DMN2310UW-13 Diodes Incorporated DMN2310UW-13 0,0347
RFQ
 ECAD 1479 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN2310 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN2310UW-13TR Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 20 v 1,3a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 200 MOHM @ 300 Ma, 4,5 V. 950 MV @ 250 ähm 0,7 NC @ 4,5 V. ± 8 v 38 PF @ 10 V. - - - 450 MW (TA)
DMN61D9UT-13 Diodes Incorporated DMN61D9UT-13 - - -
RFQ
 ECAD 5438 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 DMN61 MOSFET (Metalloxid) SOT-523 - - - 31-DMN61D9UT-13TR Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 60 v 350 Ma (TA) 1,8 V, 5 V. 2OHM @ 50 Ma, 5V 1V @ 250 ähm 0,4 NC @ 4,5 V. ± 20 V 28.5 PF @ 30 V - - - 260 MW (TA)
DMP3030SN-7 Diodes Incorporated DMP3030SN-7 0,3700
RFQ
 ECAD 3659 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMP3030 MOSFET (Metalloxid) SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 30 v 700 mA (TA) 4,5 V, 10 V. 250 MOHM @ 400 mA, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 160 PF @ 10 V. - - - 500 MW (TA)
DMN2024UVTQ-7 Diodes Incorporated DMN2024UVTQ-7 0,1456
RFQ
 ECAD 6744 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMN2024 MOSFET (Metalloxid) 1W TSOT-26 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-dmn2024uvtq-7tr Ear99 8541.29.0095 3.000 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss 20V 7a (ta) 24MOHM @ 6,5A, 4,5 V. 900 MV @ 250 ähm 7.1nc @ 4.5v 647PF @ 10V - - -
DMP3164LVT-7 Diodes Incorporated DMP3164LVT-7 0,4700
RFQ
 ECAD 785 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMP3164 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 2.8a (TA) 95mohm @ 2,7a, 10V 2,1 V @ 250 ähm - - -
DMT6008LFG-13 Diodes Incorporated DMT6008LFG-13 0,9000
RFQ
 ECAD 5840 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT6008 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 13a (ta), 60a (TC) 4,5 V, 10 V. 7,5 MOHM @ 20A, 10V 2v @ 250 ähm 50,4 NC @ 10 V ± 12 V 2713 PF @ 30 V - - - 2,2 W (TA), 41W (TC)
DCX124EK-7 Diodes Incorporated DCX124EK-7 - - -
RFQ
 ECAD 3859 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet DCX124 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-DCX124EK-7TR Veraltet 3.000
DDA122LU-7-F Diodes Incorporated DDA122LU-7-F - - -
RFQ
 ECAD 9486 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDA122 200 MW SOT-363 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 56 @ 10ma, 5V 200 MHz 220 Ohm 10kohm
DMN2028UVT-7 Diodes Incorporated DMN2028UVT-7 0,4100
RFQ
 ECAD 1569 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMN2028 MOSFET (Metalloxid) TSOT-23-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 20 v 6.2a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 24MOHM @ 6.2a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 8,3 NC @ 4,5 V. ± 8 v 856 PF @ 10 V. - - - 1.2W (TA)
BCP5610TA Diodes Incorporated BCP5610ta 0,4000
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BCP5610 2 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150 mA, 2V 150 MHz
DMTH43M8LPS-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LPS-13 0,3976
RFQ
 ECAD 2426 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH43 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 22A (TA), 100A (TC) 5v, 10V 3,3 MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 38,5 NC @ 10 V. ± 20 V 2693 PF @ 30 V - - - 2,7W (TA), 83W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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