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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DDTA115GCA-7-F Diodes Incorporated DDTA115GCA-7-F 0,0386
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA115 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 Kohms
ZXT10P20DE6TA Diodes Incorporated ZXT10P20DE6TA 0,2175
RFQ
 ECAD 2374 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 1,1 w SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 20 v 2,5 a 100na PNP 350 MV @ 150 Ma, 2,5a 300 @ 100 mA, 2 V 180 MHz
DDTA144WUA-7-F Diodes Incorporated DDTA144WUA-7-F 0,0435
RFQ
 ECAD 7823 0.00000000 Dioden Eingenbaut Ddta (r1 ≠ r2 -serie) ua Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTA144 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DDTA144WUA-FDICT Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 56 @ 10ma, 5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
DDTC124GE-7-F Diodes Incorporated DDTC124GE-7-F 0,0605
RFQ
 ECAD 9627 0.00000000 Dioden Eingenbaut DDTC (R2-Seery) e Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 DDTC124 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DDTC124GE-FDICT Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5ma, 5V 250 MHz 22 Kohms
ZXTD717MCTA Diodes Incorporated ZXTD717MCTA 0,3190
RFQ
 ECAD 9604 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad ZXTD717 1,5W DFN3020B-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -ZXTD717MCTADITR Ear99 8541.29.0075 3.000 12V 4a 100na 2 PNP (Dual) 310 mv @ 150 mA, 4a 300 @ 100 mA, 2 V 110 MHz
DMT12H065LFDF-13 Diodes Incorporated DMT12H065LFDF-13 0,3232
RFQ
 ECAD 3014 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMT12 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DMT12H065LFDF-13TR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 115 v 4.3a (TA) 3 V, 10V 65mohm @ 3a, 10V 2,2 V @ 250 ähm 5,5 NC @ 10 V. ± 12 V 252 PF @ 50 V - - - 1W (TA)
DMG3401LSNQ-13 Diodes Incorporated DMG3401LSNQ-13 0,1685
RFQ
 ECAD 4407 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMG3401 MOSFET (Metalloxid) SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DMG3401LSNQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10.000 P-Kanal 30 v 3a (ta) 2,5 V, 10 V. 50mohm @ 4a, 10V 1,3 V @ 250 ähm 25.1 NC @ 10 V. ± 12 V 1326 PF @ 15 V - - - 800 MW
FCX1053AQTA Diodes Incorporated Fcx1053aqta 0,2720
RFQ
 ECAD 5799 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa FCX1053 500 MW Mpt3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 31-FCX1053AQTATR Ear99 8541.21.0075 1.000 120 v 1,5 a 1 µA (ICBO) Npn 320 MV @ 80 Ma, 800 mA 120 @ 200 Ma, 5V 280 MHz
BC857BWQ-13-F Diodes Incorporated BC857BWQ-13-F 0,2100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC857 200 MW Umt3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 120 v 50 ma 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 1ma, 10 mA 180 @ 2ma, 6v 140 MHz
DMP2110UW-7 Diodes Incorporated DMP2110UW-7 0,4400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMP2110 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 2a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 100MOHM @ 1,5A, 4,5 V. 900 MV @ 250 ähm 6 NC @ 4,5 V. ± 12 V 443 PF @ 6 V. Standard 490 MW
DMPH2040UVTQ-13 Diodes Incorporated DMPH2040UVTQ-13 0,1720
RFQ
 ECAD 3854 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMPH2040 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DMPH2040UVTQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10.000 P-Kanal 20 v 5,6a (TA), 11,7a (TC) 2,5 V, 4,5 V. 38mohm @ 8,9a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 19 NC @ 8 V ± 12 V 834 PF @ 10 V. - - - 1W (TA)
BC857C-7-F-50 Diodes Incorporated BC857C-7-F-50 0,0204
RFQ
 ECAD 1395 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC857 310 MW SOT-23-3 Herunterladen 31-BC857C-7-F-50 Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 15na PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 200 MHz
DMTH61M5SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH61M5SPSW-13 0,8999
RFQ
 ECAD 8138 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 (SWP) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMTH61M5SPSW-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 225a (TC) 10V 1,5 MOHM @ 30a, 10V 4v @ 250 ähm 130,6 NC @ 10 V ± 20 V 8306 PF @ 30 V - - - 3.2W (TA), 167W (TC)
DMT5015LFDF-13 Diodes Incorporated DMT5015LFDF-13 - - -
RFQ
 ECAD 4311 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMT5015 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 50 v 9.1a (ta) 4,5 V, 10 V. 15mohm @ 8a, 10V 2v @ 250 ähm 14 NC @ 10 V ± 16 v 902.7 PF @ 25 V. - - - 820 MW (TA)
DMP1100UCB4-7 Diodes Incorporated DMP1100UCB4-7 0,4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-XFBGA, WLBGA DMP1100 MOSFET (Metalloxid) X2-WLB0808-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 12 v 2,5a (TA) 1,3 V, 4,5 V. 83mohm @ 3a, 4,5 V. 800 MV @ 250 ähm 14 NC @ 4,5 V. ± 8 v 820 PF @ 6 V - - - 670 MW (TA)
ZXMP10A17E6QTA Diodes Incorporated ZXMP10A17E6QTA 0,8300
RFQ
 ECAD 4015 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 ZXMP10 MOSFET (Metalloxid) SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 100 v 1,3a (ta) 6 V, 10V 350 MOHM @ 1,4a, 10V 4v @ 250 ähm 10.7 NC @ 10 V ± 20 V 424 PF @ 50 V - - - 1.1W (TA)
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated DMN65D8L-7 0,1700
RFQ
 ECAD 304 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN65 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 310 mA (TA) 5v, 10V 3OHM @ 115 Ma, 10V 2v @ 250 ähm 0,87 NC @ 10 V. ± 20 V 22 PF @ 25 V. - - - 370 MW (TA)
DMP2101UCB9-7 Diodes Incorporated DMP2101UCB9-7 - - -
RFQ
 ECAD 8144 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - - - - - - - DMP2101 - - - - - - - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated DMG7430LFG-7 0,4100
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMG7430 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 30 v 10.5a (ta) 4,5 V, 10 V. 11Mohm @ 20a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 26.7 NC @ 10 V. ± 20 V 1281 PF @ 15 V - - - 900 MW (TA)
ZXMP10A13FTA-50 Diodes Incorporated ZXMP10A13FTA-50 0,1494
RFQ
 ECAD 4972 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXMP10 MOSFET (Metalloxid) SOT-23 (Typ DN) Herunterladen 31-Zxmp10A13FTA-50 Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 100 v 700 mA (TA) 6 V, 10V 1ohm @ 600 mA, 10V 4v @ 250 ähm 1,8 NC @ 5 V. ± 20 V 141 PF @ 50 V - - - 625 MW
DMG1023UV-7 Diodes Incorporated DMG1023UV-7 0,4000
RFQ
 ECAD 766 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMG1023 MOSFET (Metalloxid) 530 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 20V 1.03a 750 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,62NC @ 4,5 V. 59.76PF @ 16V Logikpegel -tor
DDTA123YKA-7-F Diodes Incorporated DDTA123YKA-7-F - - -
RFQ
 ECAD 7113 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA123 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 33 @ 10ma, 5v 250 MHz 2.2 Kohms 10 Kohms
ZXM61P03FTC Diodes Incorporated ZXM61P03FTC - - -
RFQ
 ECAD 6630 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 P-Kanal 30 v 1.1a (ta) 4,5 V, 10 V. 350MOHM @ 600 mA, 10V 1V @ 250 ähm 4,8 nc @ 10 v ± 20 V 140 PF @ 25 V. - - - 625 MW (TA)
ZXMC3AM832TA Diodes Incorporated ZXMC3AM832TA - - -
RFQ
 ECAD 6208 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad ZXMC3 MOSFET (Metalloxid) 1.7W 8-mlp (3x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N und p-kanal 30V 2,9a, 2,1a 120 MOHM @ 2,5A, 10 V 1 V @ 250 um (min) 3,9nc @ 10v 190pf @ 25v Logikpegel -tor
ZXTP2014ZQTA Diodes Incorporated ZXTP2014ZQTA 0,3725
RFQ
 ECAD 7621 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 1,5 w SOT-89-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-ZXTP2014ZQTATR Ear99 8541.29.0075 1.000 140 v 3 a 20na PNP 330 MV @ 300 Ma, 3a 100 @ 1a, 5V 120 MHz
DMP2100UFU-7 Diodes Incorporated DMP2100UFU-7 0,1736
RFQ
 ECAD 8343 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-UFDFN exponiert Pad DMP2100 MOSFET (Metalloxid) 900 MW U-DFN2030-6 (Typ B) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 P-Kanal (Dual) Gemeinsamer Abfluss 20V 5.7a 38mohm @ 3,5a, 10V 1,4 V @ 250 ähm 21.4nc @ 10v 906PF @ 10V - - -
DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated DMHC6070LSD-13 1.1200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMHC6070 MOSFET (Metalloxid) 1.6W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n und 2 p-kanal (Halbe Brücke) 60 v 3.1a, 2.4a 100mohm @ 1a, 10 V. 3v @ 250 ähm 11.5nc @ 10v 731pf @ 20V - - -
DMP3018SFV-7 Diodes Incorporated DMP3018SFV-7 0,5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP3018 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (Typ UX) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 30 v 11A (TA), 35A (TC) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 11.5a, 10V 3v @ 250 ähm 51 NC @ 10 V ± 25 V 2147 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
ZVN4206GVTC Diodes Incorporated ZVN4206GVTC - - -
RFQ
 ECAD 7802 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 N-Kanal 60 v 1a (ta) 5v, 10V 1OHM @ 1,5a, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 100 PF @ 25 V. - - - 2W (TA)
DMN2028UFDH-7 Diodes Incorporated DMN2028UFDH-7 0,4000
RFQ
 ECAD 128 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN2028 MOSFET (Metalloxid) 1.1W PowerDI3030-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss 20V 6.8a 20mohm @ 4a, 10V 1V @ 250 ähm 8,5nc @ 4,5V 151pf @ 10v Logikpegel -tor
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