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Transistoren (6028)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXT1M322ta | - - - |  | 2603 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powermd, Flache Leitungen | ZXT1M322 | 3 w | 3-mlp/dfn (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 v | 4 a | 25na | PNP | 300 mV @ 150 mA, 4a | 180 @ 2,5a, 2V | 110 MHz | |||||||||||||||||
 | ZXTC2062E6ta | 0,7500 | | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXTC2062 | 1.1W | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 20V | 4a, 3,5a | 50na (ICBO) | NPN, PNP | 190mv @ 200 mA, 4a / 250mv @ 175 mA, 3,5a | 280 @ 1a, 2v / 170 @ 1a, 2v | 215 MHz, 290 MHz | |||||||||||||||||
 | FZT657ta | 0,6800 | | 121 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT657 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 5V | 30 MHz | |||||||||||||||||
 | DNLS320A-7 | - - - | | 8628 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DNLS320 | 600 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 310mv @ 300 mA, 3a | 220 @ 1a, 2v | 220 MHz | |||||||||||||||||
 | ZXTD1M832TA | - - - | | 7395 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | ZXTD1M832 | 1.7W | 8-mlp (3x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12V | 4a | 25na | 2 PNP (Dual) | 300 mV @ 150 mA, 4a | 180 @ 2,5a, 2V | 110 MHz | |||||||||||||||||
| DMN6075S-13 | 0,4100 | | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN6075 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 2a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 85mohm @ 3.2a, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 12.3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 606 PF @ 20 V | - - - | 800 MW (TA) | |||||||||||||
 | DMN3020UFDF-7 | 0,4100 | | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMN3020 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (TC) | 1,5 V, 4,5 V. | 19Mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 27 NC @ 8 V | ± 12 V | 1304 PF @ 15 V | - - - | 2.03W (TA) | |||||||||||||
| DDTB122TC-7-F | - - - | | 8300 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTB122 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 220 Ohm | |||||||||||||||||
| BC807-40-7 | - - - | | 8569 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC807 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| DDTA124GCA-7-F | 0,0386 | | 6006 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA124 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | |||||||||||||||||
 | BCX5516ta | 0,4300 | | 85 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BCX5516 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||||
 | DDTD142TU-7-F | - - - | | 7750 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTD142 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 470 Ohm | |||||||||||||||||
| MMBT5551-7 | - - - | | 2712 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT5551 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10ma, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||
| DMN62D0UW-7 | 0,2900 | | 95 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN62 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 340 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 2OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,5 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 32 PF @ 30 V | - - - | 320 MW (TA) | |||||||||||||
| FZT755TC | - - - | | 7354 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT755 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 150 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 1a | 50 @ 500 mA, 5V | 30 MHz | ||||||||||||||||||
| DMP3099L-7 | 0,3400 | | 332 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP3099 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.8a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 65mohm @ 3,8a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 5,2 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 563 PF @ 25 V. | - - - | 1.08W (TA) | |||||||||||||
 | DMJ7N70SK3-13 | 1.4800 | | 60 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMJ7 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 700 V | 3.9a (TC) | 10V | 1,25OHM @ 2,5a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 13.9 NC @ 10 V. | ± 30 v | 351 PF @ 50 V | - - - | 28W (TC) | |||||||||||||
| Fmmt493tc | 0,4400 | | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt493 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 100 v | 1 a | 100na | Npn | 600mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 250 mA, 10 V | 150 MHz | |||||||||||||||||
| DMTH6016LK3-13 | 0,4900 | | 5739 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMTH6016 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 10,8a (TA), 46,9a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 864 PF @ 30 V | - - - | 3.2W (TA) | |||||||||||||
| DMN2300U-7 | 0,4600 | | 2118 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN2300 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1.24a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 175mohm @ 300 mA, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 1,6 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 64.3 PF @ 25 V. | - - - | 430 MW (TA) | |||||||||||||
 | ZVP0120ASTOB | - - - | | 5221 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 200 v | 110 mA (TA) | 10V | 32ohm @ 125 mA, 10V | 3,5 V @ 1ma | ± 20 V | 100 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||
 | DMN2710UDWQ-13 | 0,0565 | | 8263 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN2710 | - - - | 360 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN2710UDWQ-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 800 mA (TA) | 450MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,6nc @ 4,5 V | 42PF @ 16V | - - - | ||||||||||||||||
| Fmmt451ta | 0,3800 | | 8 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt451 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 15ma, 150 mA | 50 @ 150 mA, 10V | 150 MHz | |||||||||||||||||
| FZT717ta | 0,3536 | | 6878 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT717 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 12 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 320 MV @ 50 Ma, 3a | 300 @ 100 mA, 2 V | 110 MHz | |||||||||||||||||
| DMN67D8LW-13 | 0,2400 | | 386 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN67 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 240 mA (TA) | 5v, 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,82 NC @ 10 V. | ± 30 v | 22 PF @ 25 V. | - - - | 320 MW (TA) | |||||||||||||
| ZTX692BSTOA | - - - | | 7356 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX692B | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 70 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 10ma, 1a | 400 @ 500 mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||||
| Zumt720TC | - - - | | 4594 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Zumt720 | 500 MW | SOT-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 750 Ma | 10na | PNP | 250 mV @ 100 mA, 750 mA | 90 @ 500 mA, 2V | 220 MHz | ||||||||||||||||||
 | BC857BFZ-7B | 0,1256 | | 1473 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | BC857 | 435 MW | X2-DFN0606-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15na | PNP | 500 mV @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| DCX53-16-13 | - - - | | 8692 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DCX53 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | |||||||||||||||||
| FZT658ta | 0,6800 | | 68 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT658 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 400 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 200 Ma, 10V | 50 MHz |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
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