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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | ZTX1049ASTOA | - - - | ![]() | 5165 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX1049A | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Q3319869 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 25 v | 4 a | 10na | Npn | 220 MV @ 50 Ma, 4a | 300 @ 1a, 2v | 180 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DMN6066SSD-13 | 0,8300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMN6066 | MOSFET (Metalloxid) | 1,8W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 3.3a | 66mohm @ 4,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10.3nc @ 10v | 502pf @ 30v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
FZT790ATA | 0,8200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT790 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 40 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 2a | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz | ||||||||||||||||||
DDA114EH-7 | 0,4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DDA114 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10kohm | 10kohm | |||||||||||||||||
MMBT3906-7 | - - - | ![]() | 7368 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT3906 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | - - - | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||
Zumt718ta | 0,3900 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Zumt718 | 500 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 1 a | 10na | PNP | 250mv @ 100 mA, 1a | 200 @ 500 Ma, 2V | 210 MHz | ||||||||||||||||||
DCX122th-7 | - - - | ![]() | 6355 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DCX122 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 220 Ohm | - - - | |||||||||||||||||
ZX5T949GTA | 0,9000 | ![]() | 166 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZX5T949 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 5.5 a | 20na (ICBO) | PNP | 210mv @ 500 mA, 5,5a | 100 @ 1a, 1V | 110 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DDC142TU-7-F | - - - | ![]() | 2731 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDC142 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 200 MHz | 470ohm | - - - | ||||||||||||||||
![]() | DMN10H120SFG-13 | 0,6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 3.8a (TA) | 6 V, 10V | 110 Mohm @ 3,3a, 10 V | 3v @ 250 ähm | 10.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 549 PF @ 50 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||
FZT49A3TA | - - - | ![]() | 7764 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 2 w | SOT-223-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 1 a | 100na | Npn | 600mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 250 mA, 10 V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | Ztx958stz | 0,4970 | ![]() | 2295 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX958 | 1,2 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 400 V | 500 mA | 50na (ICBO) | PNP | 400 mv @ 100 mA, 500 mA | 100 @ 500 mA, 10V | 85 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DMP56D0UFB-7 | 0,3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DMP56 | MOSFET (Metalloxid) | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 2,5 V, 4 V. | 6OHM @ 100 mA, 4V | 1,2 V @ 250 ähm | 0,58 NC @ 4 V. | ± 8 v | 50.54 PF @ 25 V. | - - - | 425 MW (TA) | |||||||||||||
ZXTP25100CFHTA | 0,5600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTP25100 | 1,25 w | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 100 v | 1 a | 50na (ICBO) | PNP | 220 mv @ 100 mA, 1a | 200 @ 10ma, 2v | 180 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | ZVN2535ASTOA | - - - | ![]() | 7620 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 350 V | 90 mA (TA) | 10V | 35OHM @ 100 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 70 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | ZTX560 | 0,6200 | ![]() | 1451 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX560 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 500 V | 150 Ma | 100na | PNP | 500mv @ 10 mA, 50 mA | 80 @ 50 Ma, 10 V | 60 MHz | |||||||||||||||||
DZT5551-13 | 0,3900 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | DZT5551 | 1 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 80 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||
DDA114YH-7 | 0,0945 | ![]() | 4320 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DDA114 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | 47kohm | |||||||||||||||||
ZXMP6A13GQTA | 0,3864 | ![]() | 5147 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZXMP6A13 | SOT-223-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
Fmmta06ta | - - - | ![]() | 7726 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmta06 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 10 ma, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
DDTC113TCA-7-F | 0,2200 | ![]() | 361 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC113 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 1 Kohms | ||||||||||||||||||
DSS4240T-7 | 0,3800 | ![]() | 514 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DSS4240 | 600 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 320mv @ 200ma, 2a | 300 @ 1a, 2v | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | ZXMN6A09KQTC | 0,7088 | ![]() | 3179 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | ZXMN6 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 11.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 40mohm @ 7.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 1426 PF @ 30 V | - - - | 10.1W (TA) | ||||||||||||||
![]() | VN10LP | 0,8300 | ![]() | 5990 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | VN10 | MOSFET (Metalloxid) | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | N-Kanal | 60 v | 270 Ma (TA) | 5v, 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | ± 20 V | 60 PF @ 25 V | - - - | 625 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | DMN6066SSDQ-13 | 0,4505 | ![]() | 4208 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMN6066 | MOSFET (Metalloxid) | 1,25W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN6066SSDQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 3.3a (ta) | 66mohm @ 4,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10.3nc @ 10v | 502pf @ 30v | - - - | ||||||||||||||||
Fmmt618tc | - - - | ![]() | 1594 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt618 | 625 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 20 v | 2,5 a | 100na | Npn | 200mv @ 50 Ma, 2,5a | 200 @ 2a, 2v | 140 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | DMP3028LPSQ-13 | 0,9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMP3028 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 21a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 28mohm @ 7a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1372 PF @ 15 V | - - - | 1.28W | |||||||||||||
![]() | ZXTD619MCTA | 0,8300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | ZXTD619 | 1.7W | W-DFN3020-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 50V | 4a | 100na | 2 NPN (Dual) | 320mv @ 200ma, 4a | 300 @ 200 Ma, 2V | 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | ZXTDB2M832TA | - - - | ![]() | 9986 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | ZXTDB2M832 | 1.7W | 8-mlp (3x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 20V | 4,5a, 3,5a | 25na | NPN, PNP | 270mv @ 125 mA, 4,5a / 300mv @ 350 mA, 3,5a | 200 @ 2a, 2v / 150 @ 2a, 2v | 140 MHz, 180 MHz | |||||||||||||||||
DMN63D1LW-7 | 0,0508 | ![]() | 6287 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN63 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 380 Ma (TA) | 5v, 10V | 2OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | 0,3 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 30 PF @ 25 V. | - - - | 310 MW (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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