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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
FCX619TA Diodes Incorporated Fcx619ta 0,6400
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa FCX619 2 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 50 v 3 a 100na Npn 320 MV @ 100 Ma, 2.75a 100 @ 2a, 2v 165 MHz
BFS17NTA Diodes Incorporated BFS17NTA 0,3900
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BFS17 330 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 - - - 11V 50 ma Npn 56 @ 5MA, 10 V. 3,2 GHz - - -
DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated DMT6009LK3-13 0,9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMT6009 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 13,3a (TA), 57A (TC) 4,5 V, 10 V. 10MOHM @ 13.5a, 10V 2v @ 250 ähm 33,5 NC @ 10 V. ± 16 v 1925 PF @ 30 V - - - 2.6W (TA)
DMPH4013SK3-13 Diodes Incorporated DMPH4013SK3-13 0,4536
RFQ
 ECAD 7670 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMPH4013 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 40 v 55a (TC) 4,5 V, 10 V. 15mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 67 NC @ 10 V ± 20 V 4004 PF @ 20 V - - - 2.1W (TA)
DDA114TU-7-F Diodes Incorporated DDA114TU-7-F 0,3500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDA114 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma - - - 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 100 µA, 1 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 10kohm - - -
DMC3016LNS-13 Diodes Incorporated DMC3016LNS-13 0,2475
RFQ
 ECAD 6066 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMC3016 MOSFET (Metalloxid) 1,3W (TA) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-und p-kanal-krementär 30V 9a (ta), 6,8a (ta) 16mohm @ 7a, 10V, 28mohm @ 7a, 10V 2v @ 250 ähm 9,5nc @ 4,5 V 1184pf @ 15V, 1188pf @ 15V - - -
DMN3024SFG-13 Diodes Incorporated DMN3024SFG-13 0,2035
RFQ
 ECAD 4513 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN3024 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN3024SFG-13DI Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 7.5a (ta) 4,5 V, 10 V. 23mohm @ 10a, 10V 2,4 V @ 250 ähm 10.5 NC @ 10 V ± 25 V 479 PF @ 15 V - - - 900 MW (TA)
DMN3051L-7 Diodes Incorporated DMN3051L-7 0,4600
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN3051 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 5.8a (ta) 4,5 V, 10 V. 38mohm @ 5.8a, 10V 2,2 V @ 250 ähm ± 20 V 424 PF @ 5 V. - - - 700 MW (TA)
ZXTN25100DZTA Diodes Incorporated ZXTN25100DZTA 0,5700
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa ZXTN25100 2,4 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 100 v 2,5 a 50na (ICBO) Npn 345mv @ 250 mA, 2,5a 300 @ 10ma, 2v 175MHz
ZTX457STZ Diodes Incorporated Ztx457stz 0,2320
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX457 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 300mv @ 10 mA, 100 mA 50 @ 50 Ma, 10 V 75 MHz
DMN2300UFB-7B Diodes Incorporated DMN2300UFB-7B 0,0876
RFQ
 ECAD 4587 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-Ufdfn DMN2300 MOSFET (Metalloxid) X1-DFN1006-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN2300UFB-7BDI Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 20 v 1.32a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 175mohm @ 300 mA, 4,5 V. 950 MV @ 250 ähm 0,89 NC @ 4,5 V. ± 8 v 67.62 PF @ 20 V - - - 468 MW (TA)
DMN32D0LV-7 Diodes Incorporated DMN32D0LV-7 0,3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMN32 MOSFET (Metalloxid) 480 MW (TA) SOT-563 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 680 Ma (TA) 1,2OHM @ 100 mA, 4V 1,2 V @ 250 ähm 0,62NC @ 4,5 V. 44.8PF @ 15V Standard
ZVP1320A Diodes Incorporated ZVP1320A - - -
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) MOSFET (Metalloxid) To-92 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 P-Kanal 200 v 70 mA (TA) 10V 80OHM @ 50 Ma, 10V 3,5 V @ 1ma ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 625 MW (TA)
MMBT4403-7 Diodes Incorporated MMBT4403-7 - - -
RFQ
 ECAD 1656 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBT4403 300 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 600 mA - - - PNP 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 200 MHz
DMT10H072LFV-7 Diodes Incorporated DMT10H072LFV-7 0,5700
RFQ
 ECAD 5908 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT10 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (Typ UX) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 100 v 4,7a (TA), 20A (TC) 6 V, 10V 62mohm @ 4,5a, 10V 2,8 V @ 250 ähm 4,5 NC @ 10 V. ± 20 V 228 PF @ 50 V - - - 2W (TA)
DMHC3025LSDQ-13 Diodes Incorporated DMHC3025LSDQ-13 0,8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMHC3025 MOSFET (Metalloxid) 1,5W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n und 2 p-kanal (Halbe Brücke) 30V 6a, 4,2a 25mohm @ 5a, 10V 2v @ 250 ähm 11.7nc @ 10v 590PF @ 15V - - -
DMN3020UTS-13 Diodes Incorporated DMN3020UTS-13 0,5600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) DMN3020 MOSFET (Metalloxid) 8-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 15a (TC) 1,8 V, 4,5 V. 20mohm @ 4,5a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 27 NC @ 8 V ± 12 V 1304 PF @ 15 V - - - 1.4W (TA)
DMG2305UXQ-7 Diodes Incorporated DMG2305uxq-7 0,4200
RFQ
 ECAD 8449 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMG2305 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 4.2a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 52mohm @ 4,2a, 4,5 V. 900 MV @ 250 ähm 10.2 NC @ 4.5 V. ± 8 v 808 PF @ 15 V - - - 1.4W (TA)
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated DMN6017SK3-13 0,5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMN6017 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 43a (TC) 4,5 V, 10 V. 18Mohm @ 6a, 10V 3v @ 250 ähm 55 NC @ 10 V ± 20 V 2711 PF @ 15 V - - - 50W (TC)
ZXTP5240F-7-52 Diodes Incorporated ZXTP5240F-7-52 0,0893
RFQ
 ECAD 9528 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 600 MW SOT-23-3 Herunterladen 31-ZXTP5240F-7-52 Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 350 MV @ 200 Ma, 2a 300 @ 100 mA, 2 V 100 MHz
DDTD143TC-7-F Diodes Incorporated DDTD143TC-7-F - - -
RFQ
 ECAD 3674 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTD143 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 500 mA 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 100 @ 50 Ma, 5V 200 MHz 4.7 Kohms
DMN2992UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2992UFB4-7B 0,2400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn DMN2992 MOSFET (Metalloxid) X2-DFN1006-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 20 v 830 Ma (TA) 1,8 V, 4,5 V. 990MOHM @ 100 mA, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,41 NC @ 4,5 V. ± 8 v 15.6 PF @ 16 V. - - - 380 MW (TA)
DMNH6022SSDQ-13 Diodes Incorporated DMNH6022SSDQ-13 1.0400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMNH6022 MOSFET (Metalloxid) 1,5W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 60 v 7.1a, 22,6a 27mohm @ 5a, 10V 3v @ 250 ähm 32nc @ 30v 2127PF @ 25v - - -
DSS5540X-13 Diodes Incorporated DSS5540x-13 0,4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa DSS5540 900 MW SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.500 40 v 4 a 100NA (ICBO) PNP 375mv @ 500 mA, 5a 150 @ 2a, 2v 60 MHz
BC858A-7-F Diodes Incorporated BC858A-7-F - - -
RFQ
 ECAD 8206 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC858 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 30 v 100 ma 15na PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 125 @ 2MA, 5V 200 MHz
ZVN1409ASTZ Diodes Incorporated Zvn1409astz - - -
RFQ
 ECAD 9301 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 Zvn1409a MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 90 v 10 mA (ta) 10V 250ohm @ 5ma, 10V 2,4 V @ 100 µA ± 20 V 6.5 PF @ 25 V. - - - 625 MW (TA)
ZXTN19020DZQTA Diodes Incorporated ZXTN19020DZQTA 0,6900
RFQ
 ECAD 786 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa ZXTN19020 1,1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 20 v 7.5 a 100na Npn 200mv @ 375 Ma, 7,5a 300 @ 100 mA, 2 V 160 MHz
ZVP2110GTC Diodes Incorporated ZVP2110GTC - - -
RFQ
 ECAD 6065 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 P-Kanal 100 v 310 mA (TA) 10V 8ohm @ 375 mA, 10V 3,5 V @ 1ma ± 20 V 100 PF @ 25 V. - - - 2W (TA)
DMPH1006UPSQ-13 Diodes Incorporated DMPH1006UPSQ-13 1.0900
RFQ
 ECAD 2888 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMPH1006 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 12 v 80A (TC) 2,5 V, 4,5 V. 6mohm @ 15a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 124 NC @ 8 V ± 8 v 6334 PF @ 10 V. - - - 3.2W
DMP6023LFG-13 Diodes Incorporated DMP6023LFG-13 0,8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP6023 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 60 v 7.7a (ta) 4,5 V, 10 V. 25mohm @ 5a, 10V 3v @ 250 ähm 53.1 NC @ 10 V ± 20 V 2569 PF @ 30 V - - - 1W (TA)
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