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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZDT6790TC | - - - | ![]() | 2145 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT6790 | 2.75W | Sm8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 45 V, 40 V. | 2a | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 500mv @ 5ma, 1a / 750 mV @ 50 mA, 2a | 400 @ 1a, 2v / 300 @ 10 mA, 2 V. | 150 MHz, 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DDTA124XKA-7-F | - - - | ![]() | 8119 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA124 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DMTH45M5SFVW-13 | 0,2842 | ![]() | 7106 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DMTH45M5SFVW-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 18a (TA), 71a (TC) | 10V | 5,5 MOHM @ 25a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 13.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 1083 PF @ 20 V | - - - | 3,5 W (TA), 51W (TC) | ||||||||||||||
DDTC123EUA-7 | - - - | ![]() | 8875 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTC123 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20 Ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||
ZXMN6A09GQTA | 1.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZXMN6 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 5.4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 40mohm @ 8.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24.2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1407 PF @ 40 V | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||
![]() | Ztx957stz | 0,4970 | ![]() | 8775 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX957 | 1,2 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 300 V | 1 a | 50na (ICBO) | PNP | 200mv @ 300 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 10V | 85 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DXTN07100BP5Q-13 | 0,8500 | ![]() | 1555 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | DXTN07100 | 3.2 w | PowerDi ™ 5 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 5.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 175MHz | |||||||||||||||||
![]() | Ztx849stoa | - - - | ![]() | 3098 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | Ztx849 | 1,2 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 30 v | 5 a | 50na (ICBO) | Npn | 220 mV @ 200 Ma, 5a | 100 @ 1a, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
ZXTP23015CFHTA | 0,7900 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTP23015 | 1,25 w | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 v | 5 a | 20na | PNP | 190mv @ 240 Ma, 6a | 200 @ 500 Ma, 2V | 270 MHz | ||||||||||||||||||
DMN2056U-7-50 | 0,0840 | ![]() | 3945 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN2056 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-DMN2056U-7-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 38mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 4,3 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 339 PF @ 10 V. | - - - | 660 MW | ||||||||||||||||
![]() | DMN30H14DLY-13 | 0,2761 | ![]() | 5343 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DMN30 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 300 V | 210 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 14ohm @ 300 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 96 PF @ 25 V. | - - - | 900 MW (TA) | |||||||||||||
![]() | DMT6007LFGQ-7 | 1.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT6007 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 15a (TA), 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 20a, 10V | 2v @ 250 ähm | 41,3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2090 PF @ 30 V | - - - | 2,2 W (TA), 62,5 W (TC) | |||||||||||||
![]() | DDTC124TEQ-7-F | 0,2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC124 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DMN2022Uns-13 | 0,2284 | ![]() | 2398 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN2022 | MOSFET (Metalloxid) | 1.2W | PowerDI3333-8 (Typ UXB) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 10.7a (ta) | 10,8 MOHM @ 4A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 20,3nc @ 4,5 V | 1870pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||
![]() | DMPH16M1UPSW-13 | 0,3271 | ![]() | 6260 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powertdfn | DMPH16 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 (Typ UX) | Herunterladen | 31-DMPH16M1UPSW-13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 12 v | 96a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 6mohm @ 15a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 164 NC @ 8 V | ± 8 v | 5392 PF @ 10 V | - - - | 1,95W | |||||||||||||||
MMST3904Q-7-F | 0,3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMST3904 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | - - - | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMN3055LFDBQ-13 | 0,1137 | ![]() | 2158 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMN3055 | - - - | 810 MW (TA) | U-DFN2020-6 (Typ B) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN3055LFDBQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5a (ta) | 40mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 11.2nc @ 10v | 458PF @ 15V | - - - | ||||||||||||||||
ZXMN3A14FQTA | 0,7400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXMN3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3.9a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 65mohm @ 3,2a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 8.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 448 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||||||||||
![]() | 2DD2679-13 | 0,4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2dd2679 | 2 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 30 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 370mv @ 75 mA, 1,5a | 270 @ 200 Ma, 2V | 240 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DMP3018SFV-13 | 0,5200 | ![]() | 8118 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP3018 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (Typ UX) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 11A (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 11.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 25 V | 2147 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||
![]() | DDTC125TE-7 | 0,3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DDTC125 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
ZXM41N10ftC | - - - | ![]() | 4707 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 100 v | 170 mA (ta) | 3 V, 4,5 V. | 8OHM @ 150 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | ± 40 V | 25 PF @ 25 V. | - - - | 360 MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | DMN3018SSS-13 | 0,4000 | ![]() | 6351 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMN3018 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 7.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 10a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 13.2 NC @ 10 V | ± 25 V | 697 PF @ 15 V | - - - | 1.4W (TA) | |||||||||||||
![]() | DMTH6010LK3Q-13 | 0,5145 | ![]() | 1843 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMTH6010 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 14,8a (TA), 70A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 41,3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2090 PF @ 30 V | - - - | 31W (TA) | |||||||||||||
DMP2110uvt-7 | 0,0949 | ![]() | 1839 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMP2110 | MOSFET (Metalloxid) | 740 MW (TA) | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 1,8a (ta) | 150 MOHM @ 2,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6nc @ 4,5 V | 443PF @ 6v | - - - | ||||||||||||||||
![]() | ADTC144EUAQ-13 | 0,0267 | ![]() | 4223 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | ADTC144 | 330 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | - - - | - - - | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DMTH45M5SPDWQ-13 | 1.3100 | ![]() | 6075 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH45M | MOSFET (Metalloxid) | 3,3 W (TA), 60 W (TC) | PowerDI5060-8 (Typ UXD) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 79a (TC) | 5,5 MOHM @ 25a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 13.2nc @ 10v | 1083PF @ 20V | - - - | ||||||||||||||||
![]() | DMT2004UFG-13 | 0,2361 | ![]() | 2425 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT2004 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 24 v | 70a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 5mohm @ 12a, 10V | 1,45 V @ 250 ähm | 53.7 NC @ 10 V. | ± 12 V | 1683 PF @ 15 V | - - - | 2,3 W (TA) | |||||||||||||
![]() | DMT3006LFVQ-7 | 0,7500 | ![]() | 7484 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT3006 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (Typ UX) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 16.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1155 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||
ZXMP2120G4TA | - - - | ![]() | 8489 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZXMP2120 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 200 Ma (TA) | 10V | 25ohm @ 150 mA, 10V | 3,5 V @ 1ma | ± 20 V | 100 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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