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Transistoren (6028)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DMG6301Udw-13	0,0611	RFQ	5181	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMG6301	MOSFET (Metalloxid)	300 MW	SOT-363	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	10.000	2 n-kanal (dual)		25 v	240 ma		4OHM @ 400 mA, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	0,36nc @ 4,5 V		27.9pf @ 10v	- - -
DMP3125L-7	0,4600	RFQ	621	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DMP3125	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000		P-Kanal	30 v	2,5a (TA)	4,5 V, 10 V.	95mohm @ 3,8a, 10V	2,1 V @ 250 ähm	3.1 NC @ 4.5 V.	± 20 V	254 PF @ 25 V	- - -	650 MW (TA)
DMP3097LQ-13	0,1117	RFQ	5175	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DMP3097	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-DMP3097LQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	30 v	3.9a (TA)	4,5 V, 10 V.	65mohm @ 3,8a, 10V	2,1 V @ 250 ähm	13.4 NC @ 10 V.	± 20 V	563 PF @ 25 V.	- - -	1W
DMN66D0LDWQ-7	0,0676	RFQ	9929	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMN66	MOSFET (Metalloxid)	400 MW (TA)	SOT-363	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-DMN66D0LDWQ-7TR	Ear99	8541.21.0095	3.000	2 n-kanal (dual)		60 v	115 Ma (TC)		6OHM @ 115 Ma, 5V	2v @ 250 ähm	0,9nc @ 10v		29.3pf @ 25v	- - -
DSS4160DS-7	0,4700	RFQ	7624	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6	DSS4160		700 MW	SOT-26	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000													60 v	1a	100NA (ICBO)	2 NPN (Dual)	250mv @ 100 mA, 1a	100 @ 1a, 5V	220 MHz
ZXTS1000E6TA	0,2700	RFQ	14	Dioden Eingenbaut	*	Band & Rollen (TR)	Aktiv								Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000
DMN3150LW-7	0,4900	RFQ	14	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	DMN3150	MOSFET (Metalloxid)		SOT-323	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000		N-Kanal	28 v	1,6a (ta)	2,5 V, 4,5 V.	88mohm @ 1,6a, 4,5 V.	1,4 V @ 250 ähm		± 12 V	305 PF @ 5 V.	- - -	350 MW (TA)
Ztx557stz	- - -	RFQ	9537	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Box (TB)	Veraltet	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	E-Line-3, Gebildete Leads	ZTX557		1 w	E-line (bis 92 kompatibel)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	2.000													300 V	500 mA	100NA (ICBO)	PNP	300mv @ 5ma, 50 mA	50 @ 50 Ma, 10 V	75 MHz
DDTC144TKA-7-F	- - -	RFQ	7649	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DDTC144		200 MW	SC-59-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000													50 v	100 ma	500NA (ICBO)	NPN - VORGEPANNT	300 MV @ 250 UA, 2,5 mA	100 @ 1ma, 5V	250 MHz	47 Kohms
DXTP58100CFDB-7	0,4200	RFQ	2	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	3-udfn exponiert pad	DXTP58100		690 MW	U-DFN2020-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000													100 v	2 a	100na	PNP	185mv @ 200ma, 2a	160 @ 500 mA, 2V	135 MHz
DMC3025LSD-13	0,4600	RFQ	33	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	DMC3025	MOSFET (Metalloxid)	1.2W	8-so	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500	N und p-kanal		30V	6,5a, 4,2a		20mohm @ 7.4a, 10V	2v @ 250 ähm	9.8nc @ 10v		501pf @ 15V	Logikpegel -tor
DDTA113TCA-7	0,0691	RFQ	3	Dioden Eingenbaut	*	Band & Rollen (TR)	Aktiv				DDTA113				Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000
DMN3150L-7	0,4300	RFQ	309	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DMN3150	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	28 v	3.8a (TA)	2,5 V, 10 V.	85mohm @ 3,6a, 4,5 V.	1,4 V @ 250 ähm		± 12 V	305 PF @ 5 V.	- - -	1.4W (TA)
FZT491ta	0,6400	RFQ	10	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	FZT491		2 w	SOT-223-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0075	1.000													60 v	1 a	100na	Npn	500mv @ 100 mA, 1a	100 @ 500 mA, 5V	150 MHz
DMG9N65CTI	- - -	RFQ	2661	Dioden Eingenbaut	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte	DMG9	MOSFET (Metalloxid)		ITO-220AB	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	DMG9N65CTIDI	Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal	650 V	9a (TC)	10V	1,3OHM @ 4,5a, 10V	5 V @ 250 ähm	39 NC @ 10 V.	± 30 v	2310 PF @ 25 V.	- - -	13W (TC)
DMN3060LCA3-7	0,3900	RFQ	9	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	3-xfdfn	DMN3060	MOSFET (Metalloxid)		X4-dsn1006-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	10.000		N-Kanal	30 v	3.9a (TA)	1,8 V, 8 V.	60MOHM @ 500 mA, 8V	1,1 V @ 250 ähm	1,677 NC @ 4,5 V.	± 12 V	192 PF @ 15 V	- - -	790 MW
Ddta114ye-7-f	0,0605	RFQ	5746	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		Oberflächenhalterung	SOT-523	DDTA114		150 MW	SOT-523	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000													50 v	100 ma	500NA	PNP - VoreInensmen	300 mV @ 250 ua, 5 mA	68 @ 10ma, 5V	250 MHz	10 Kohms	47 Kohms
2DD2150R-13	- - -	RFQ	6581	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa	2dd2150		1 w	SOT-89-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	2.500													20 v	3 a	100NA (ICBO)	Npn	500mv @ 100 mA, 2a	180 @ 100 Ma, 2V	160 MHz
DMC2710uvq-7	0,4400	RFQ	3	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-563, SOT-666	DMC2710	MOSFET (Metalloxid)	460 MW (TA)	SOT-563	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.21.0095	3.000	N und p-kanal		20V	1,1a (TA), 800 mA (TA)		400 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V, 700 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V.	1V @ 250 ähm	0,6nc @ 4,5 V, 0,7nc @ 4,5 V.		42pf @ 16V, 49PF @ 16V	Standard
DCX115EK-7-F-50	0,0848	RFQ	4758	Dioden Eingenbaut	DCX (xxxx) k	Band & Rollen (TR)	Aktiv		Oberflächenhalterung	SC-74, SOT-457	DCX115		300 MW	SC-74R	Herunterladen				31-DCX115EK-7-F-50	Ear99	8541.21.0075	3.000													50V	100 ma	500NA (ICBO)	1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual)	300 mV @ 250 ua, 5 mA	82 @ 5MA, 5V	250 MHz	100kohm	100kohm
DMP6185SEQ-13	0,5000	RFQ	8951	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	DMP6185	MOSFET (Metalloxid)		SOT-223-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal	60 v	3a (ta)	4,5 V, 10 V.	150 MOHM @ 2,2a, 10 V	3v @ 250 ähm	14 NC @ 10 V	± 20 V	708 PF @ 30 V	- - -	2.2W (TA)
BCW66HTA	0,4300	RFQ	496	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BCW66		330 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000													45 V	800 mA	20na	Npn	700 mv @ 50 mA, 500 mA	250 @ 100 mA, 1V	100 MHz
DMN2400UFB4-7B	- - -	RFQ	3856	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	3-xfdfn	DMN2400	MOSFET (Metalloxid)		X2-DFN1006-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	DMN2400UFB4-7BDI	Ear99	8541.21.0095	3.000		N-Kanal	20 v	750 Ma (TA)	1,8 V, 4,5 V.	550MOHM @ 600 Ma, 4,5 V.	900 MV @ 250 ähm	0,5 NC @ 4,5 V	± 12 V	36 PF @ 16 V	- - -	470 MW (TA)
DMN1002UCA6-7	0,3564	RFQ	6568	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-smd, Keine Frotung	DMN1002	MOSFET (Metalloxid)	1.1W	X4-DN3118-6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000	2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss		- - -	- - -		- - -	- - -	68.6nc @ 4v		- - -	- - -
DMN2310ut-13	0,0586	RFQ	4671	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-523	DMN2310	MOSFET (Metalloxid)		SOT-523	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-DMN2310UT-13TR	Ear99	8541.21.0095	10.000		N-Kanal	20 v	1.2a (TA)	1,8 V, 4,5 V.	240 MOHM @ 300 mA, 4,5 V.	950 MV @ 250 ähm	0,7 NC @ 4,5 V.	± 8 v	38 PF @ 10 V.	- - -	290 MW (TA)
FZT951ta-79	- - -	RFQ	4648	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet								- - -	ROHS -KONFORM	1 (unbegrenzt)		31-FZT951TA-79TR	Veraltet		3.000
ZVN2110ASTZ	0,7100	RFQ	8011	Dioden Eingenbaut	- - -	Klebeband (CT) Schneiden	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	E-Line-3	ZVN2110	MOSFET (Metalloxid)		E-line (bis 92 kompatibel)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	2.000		N-Kanal	100 v	320 Ma (TA)	10V	4OHM @ 1a, 10V	2,4 V @ 1ma		± 20 V	75 PF @ 25 V.	- - -	700 MW (TA)
DMN33D8LTQ-13	0,0683	RFQ	3343	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-523	DMN33	MOSFET (Metalloxid)		SOT-523	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	DMN33D8LTQ-13DI	Ear99	8541.21.0095	10.000		N-Kanal	30 v	115 Ma (TA)	2,5 V, 4 V.	5ohm @ 10ma, 4V	1,5 V @ 100 µA	0,55 NC @ 10 V	± 20 V	48 PF @ 5 V.	- - -	240 MW (TA)
FZT751qta	0,5300	RFQ	87	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	FZT751		3 w	SOT-223-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0075	1.000													60 v	3 a	100NA (ICBO)	PNP	600mv @ 300 mA, 3a	100 @ 500 mA, 2V	140 MHz
2dd1664p-13	0,1320	RFQ	4239	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa	2dd1664		1 w	SOT-89-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	2.500													32 v	1 a	100na	Npn	400 mv @ 50 mA, 500 mA	82 @ 100 mA, 3V	280 MHz

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (6028)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²