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Transistoren (2349)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Transistortyp | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NP90N04MUG-S18-AY | - - - |  | 5428 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 90a (TC) | 10V | 3mohm @ 45a, 10V | 4v @ 250 ähm | 182 NC @ 10 V. | ± 20 V | 11200 PF @ 25 V. | - - - | 1,8W (TA), 217W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | HAT2287WP-EL-E | - - - | | 5647 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | HAT2287 | MOSFET (Metalloxid) | 8-wpak (3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 17a (ta) | 10V | 94mohm @ 8.5a, 10V | - - - | 26 NC @ 10 V | ± 30 v | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||
 | 2SK2372 (1) -A | - - - | | 9315 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC2735jtr-e | 0,1100 | | 14 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.704 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA2396T1P-E1-A | - - - | | 3298 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | Verkäfer undefiniert | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD1695-Az | 2.5000 | | 13 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CA3127M | - - - | | 6374 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | 85 MW | 16-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 48 | 27 dB ~ 30 dB | 15 v | 20 ma | 5 npn | 35 @ 5ma, 6v | 1,15 GHz | 3,5 dB bei 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | RJK03E3DNS-WS#J5 | 0,5500 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NP36P04SDG-E1-AY | 1.6600 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NP36P04 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 (MP-3ZK) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 36a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 18a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 2800 PF @ 10 V | - - - | 1,2W (TA), 56W (TC) | |||||||||||||||||||
| 2SK3899 (01) -ZK-e1-ay | - - - | | 7039 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | Verkäfer undefiniert | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 50a (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC5752-T1-A | 0,7200 | | 24 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | 200 MW | SOT-343 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 13 dB | 6v | 100 ma | Npn | 75 @ 30 Ma, 3V | 12GHz | 1.7db @ 2ghz | ||||||||||||||||||||||||||
 | NP82N055NUG-S18-AY | 1.9800 | | 350 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | 175 ° C. | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 82a (TC) | 6mohm @ 41a, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 9600 PF @ 25 V. | - - - | 1,8W (TA), 143W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | RJK0301DPB-02#J0 | - - - | | 8789 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | RJK0301 | MOSFET (Metalloxid) | Lfpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 60a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2,8 MOHM @ 30a, 10V | - - - | 32 NC @ 4,5 V. | +16 V, -12v | 5000 PF @ 10 V | - - - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||
 | RJL6020DPK-00#T0 | - - - | | 2862 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RJL6020 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 600 V | 30a (ta) | 10V | 210mohm @ 15a, 10V | - - - | 130 nc @ 10 v | ± 30 v | 4750 PF @ 25 V. | - - - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||
| NP15P06SLG-E1-ay | 1.3200 | | 6728 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NP15P06 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 (MP-3ZK) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 70 MOHM @ 7,5A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 1100 PF @ 10 V | - - - | 1,2 W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||
 | 2SC5594xp-tl-e | 0,6300 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP34N055SLE-E1-AY | - - - | | 5548 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 (MP-3ZK) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 55 v | 34a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 18mohm @ 17a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 72 NC @ 5 V. | ± 20 V | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 1,2 W (TA), 88 W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | NP110N04PUK-E1-AY | 4.8100 | | 758 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NP110N04 | MOSFET (Metalloxid) | To-263-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 110a (TC) | 10V | 1,4mohm @ 55a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 297 NC @ 10 V. | ± 20 V | 15750 PF @ 25 V. | - - - | 1,8W (TA), 348W (TC) | |||||||||||||||||||
| HFA3096B | - - - | | 6471 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | - - - | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | HFA3096 | 150 MW | 16-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 48 | - - - | 12V, 15 V | 65 Ma | 3 NPN + 2 PNP | 40 @ 10 mA, 2 V / 20 @ 10 mA, 2 V. | 8GHz, 5,5 GHz | 3,5 dB @ 1 GHz | |||||||||||||||||||||||
| RJK0305DPB-02#J0 | - - - | | 6124 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | RJK0305 | MOSFET (Metalloxid) | Lfpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 30a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 15a, 10V | - - - | 8 NC @ 4,5 V. | +16 V, -12v | 1250 PF @ 10 V | - - - | - - - | |||||||||||||||||||
 | BB502MBS-TR-E | 0,1800 | | 78 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1033-E1-Az | 0,8000 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RJH60M3DPP-M0#T2 | - - - | | 2166 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RJH60M3 | Standard | 39,7 w | To-220fl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | RJH60M3DPPM0T2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V, 17a, 5ohm, 15 V. | 90 ns | Graben | 600 V | 35 a | 2,3 V @ 15V, 17a | 290 µj (EIN), 290 µJ (AUS) | 60 nc | 38ns/90ns | |||||||||||||||||||
| UPA2380T1P-E4-A | - - - | | 7543 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Xflga | UPA2380 | MOSFET (Metalloxid) | 1.15W (TA) | 4-eflip-lga (1.11x1.11) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 12V | 4a (ta) | 32,5 Mohm @ 2a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 6.3nc @ 4v | 615PF @ 10V | Logikpegel -Tor, 2,5 V. | |||||||||||||||||||||||
 | RJK0355DSP-00#J0 | 0,5660 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RJK0355 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11.1MOHM @ 6a, 10V | - - - | 6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 860 PF @ 10 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||||||||||||||||
 | RJK2009DPM-00#T0 | - - - | | 1894 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RJK2009 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 200 v | 40a (ta) | 10V | 36mohm @ 20a, 10V | - - - | 72 NC @ 10 V | ± 30 v | 2900 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | |||||||||||||||||||
 | 2SK4093TZ-E | - - - | | 5952 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MOSFET (Metalloxid) | To-92mod | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 250 V | 1a (ta) | 2,5 V, 4 V. | 2,6OHM @ 500 mA, 4V | - - - | 5,5 NC @ 4 V. | ± 10 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 900 MW (TA) | ||||||||||||||||||||
 | RJK1001DPP-E0#T2 | - - - | | 5749 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 100 v | 80A (TA) | 10V | 5.5MOHM @ 40A, 10V | - - - | 147 NC @ 10 V | ± 20 V | 10000 PF @ 10 V. | - - - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||
| NP82N055PUG-E1-AY | - - - | | 4455 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NP82N055 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 55 v | 82a (TC) | 10V | 5.2mohm @ 41a, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 9600 PF @ 25 V. | - - - | 1,8W (TA), 143W (TC) | |||||||||||||||||||
| NP90N03VLG-E1-ay | - - - | | 4154 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 45A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 7500 PF @ 25 V. | - - - | 1,2W (TA), 105W (TC) |
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