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Transistoren (2349)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Testedingung | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RJK03E3DNS-WS#J5 | 0,5500 |  | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC5752-T1-A | 0,7200 | | 24 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | 200 MW | SOT-343 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 13 dB | 6v | 100 ma | Npn | 75 @ 30 Ma, 3V | 12GHz | 1.7db @ 2ghz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NP82N055NUG-S18-AY | 1.9800 | | 350 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | 175 ° C. | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | To-262 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 82a (TC) | 6mohm @ 41a, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 9600 PF @ 25 V. | - - - | 1,8W (TA), 143W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SB1032K-e | 3.0700 | | 465 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3116B (1) -ZK-e2-ay | 2.2000 | | 11 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC4346-Z-E1-Az | 0,6800 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RJH60D0DPK-00#T0 | - - - | | 8028 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RJH60D0 | Standard | 140 w | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V, 22a, 5ohm, 15 V. | 100 ns | Graben | 600 V | 45 a | 2,2 V @ 15V, 22a | 230 µJ (EIN), 290 µJ (AUS) | 46 NC | 40ns/80ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 2Sc5820wu-tl-e | 0,2600 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CA3083Z | - - - | | 5081 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | CA3083 | 500 MW | 16-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 25 | 15 v | 100 ma | 10 µA | 5 npn | 700mv @ 5ma, 50 mA | 40 @ 50 Ma, 3V | 450 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA2790GR-E1-A | 0,9400 | | 10 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HAT2287WP-EL-E | - - - | | 5647 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | HAT2287 | MOSFET (Metalloxid) | 8-wpak (3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 17a (ta) | 10V | 94mohm @ 8.5a, 10V | - - - | 26 NC @ 10 V | ± 30 v | 1200 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC5594xp-tl-e | 0,6300 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NP90N04VDK-E1-ay | 1.7800 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C. | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 (MP-3ZP) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 559-NP90N04VDK-e1-aytr | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,8 MOHM @ 45A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 102 NC @ 10 V | ± 20 V | 5850 PF @ 25 V. | - - - | 1,2 W (TA), 147W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3899 (01) -ZK-e1-ay | - - - | | 7039 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | Verkäfer undefiniert | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 50a (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NP90N03VLG-E1-ay | - - - | | 4154 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 45A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 7500 PF @ 25 V. | - - - | 1,2W (TA), 105W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK1001DPP-E0#T2 | - - - | | 5749 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 100 v | 80A (TA) | 10V | 5.5MOHM @ 40A, 10V | - - - | 147 NC @ 10 V | ± 20 V | 10000 PF @ 10 V. | - - - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | NP100P06PDG-E1-ay | 4.5300 | | 5487 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NP100P06 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 60 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 50a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 300 NC @ 10 V. | ± 20 V | 15000 PF @ 10 V | - - - | 1,8 W (TA), 200 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK2009DPM-00#T0 | - - - | | 1894 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RJK2009 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 200 v | 40a (ta) | 10V | 36mohm @ 20a, 10V | - - - | 72 NC @ 10 V | ± 30 v | 2900 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK4093TZ-E | - - - | | 5952 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MOSFET (Metalloxid) | To-92mod | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 250 V | 1a (ta) | 2,5 V, 4 V. | 2,6OHM @ 500 mA, 4V | - - - | 5,5 NC @ 4 V. | ± 10 V | 140 PF @ 25 V. | - - - | 900 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | NE3511S02-T1C-A | - - - | | 4927 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 4 v | 4-smd, Flache Leitungen | 12GHz | Hfet | S02 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 70 Ma | 10 ma | - - - | 13,5 dB | 0,3 dB | 2 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK2315TYTR-E | - - - | | 7123 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SK2315 | MOSFET (Metalloxid) | Upak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 2a (ta) | 3v, 4v | 450Mohm @ 1a, 4V | - - - | ± 20 V | 173 PF @ 10 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK1051DPB-00#J5 | 0,8505 | | 1554 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | RJK1051 | MOSFET (Metalloxid) | Lfpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 39mohm @ 7.5a, 10V | - - - | 15 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 2060 PF @ 10 V | - - - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| RJK6018DPK-00#T0 | - - - | | 1472 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RJK6018 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 600 V | 30a (ta) | 10V | 235mohm @ 15a, 10V | - - - | 92 NC @ 10 V | ± 30 v | 4100 PF @ 25 V. | - - - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| NP82N055PUG-E1-AY | - - - | | 4455 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NP82N055 | MOSFET (Metalloxid) | To-263 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 55 v | 82a (TC) | 10V | 5.2mohm @ 41a, 10V | 4v @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 9600 PF @ 25 V. | - - - | 1,8W (TA), 143W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK5012DPE-00#J3 | - - - | | 2176 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-83 | RJK5012 | MOSFET (Metalloxid) | LDPAK | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 500 V | 12a (ta) | 10V | 620mohm @ 6a, 10V | - - - | 29 NC @ 10 V | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 100 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA895TS-T3-A | 1.0000 | | 6770 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | 130 MW | 6-super-minimaler minimaler | - - - | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | - - - | 5,5 v | 100 ma | 2 NPN (Dual) | 100 @ 5ma, 1V | 6,5 GHz | 1,9 dB ~ 2,5 dB @ 2GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RJH60M3DPP-M0#T2 | - - - | | 2166 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RJH60M3 | Standard | 39,7 w | To-220fl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | RJH60M3DPPM0T2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V, 17a, 5ohm, 15 V. | 90 ns | Graben | 600 V | 35 a | 2,3 V @ 15V, 17a | 290 µj (EIN), 290 µJ (AUS) | 60 nc | 38ns/90ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | HFA3096B | - - - | | 6471 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | - - - | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | HFA3096 | 150 MW | 16-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 48 | - - - | 12V, 15 V | 65 Ma | 3 NPN + 2 PNP | 40 @ 10 mA, 2 V / 20 @ 10 mA, 2 V. | 8GHz, 5,5 GHz | 3,5 dB @ 1 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| HAT2141H-EL-E | - - - | | 2062 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | HAT2141 | MOSFET (Metalloxid) | Lfpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 15a (ta) | 7v, 10V | 27,5 MOHM @ 7,5A, 10V | - - - | 46 NC @ 10 V | ± 20 V | 3200 PF @ 10 V. | - - - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| UPA1952TE-T1-A | - - - | | 9344 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-95 | UPA1952 | MOSFET (Metalloxid) | 1.15W (TA) | SC-95 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 2a (ta) | 135mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 2.3nc @ 4v | 272pf @ 10v | Logikpegel -Tor, 1,8 V Auftwerk |
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