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Transistoren (2349)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Transistortyp	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
2SK3811-ZP-e1-ay	- - -	RFQ	8164	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		To-263	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		40 v	110a (TC)	10V	1,8 MOHM @ 55A, 10V	- - -	260 NC @ 10 V	± 20 V	17700 PF @ 10 V.	- - -	1,5W (TA), 213W (TC)
RJJ0621DPP-0p#T2	1.4400	RFQ	18	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1
UPA2780gr-E1-A	1.4800	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	2.500
NP60N06VDK-E1-ay	1.5200	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc.	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	175 ° C.	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	NP60N06	MOSFET (Metalloxid)		TO-252 (MP-3ZP)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		60 v	60a (TC)	4,5 V, 10 V.	7,9 MOHM @ 30a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	56 NC @ 10 V	± 20 V	3600 PF @ 25 V.	- - -	1,2W (TA), 105W (TC)
TBB1005EMTL-H	0,2900	RFQ	45	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000
RJK0332DPB-00#J0	1.0000	RFQ	9208	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Schüttgut	Veraltet	- - -	Oberflächenhalterung	SC-100, SOT-669		MOSFET (Metalloxid)		Lfpak	- - -	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		30 v	35a (ta)		4,7mohm @ 17.5a, 10V	- - -	14 NC @ 4,5 V.		2180 PF @ 10 V	- - -	- - -
RJK0660DPA-00#J5A	1.6758	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-WFDFN Exposed Pad	RJK0660	MOSFET (Metalloxid)		8-wpak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	-1161-RJK0660DPA-00#J5ACT	Ear99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal		60 v	40a (ta)	10V	5.1MOHM @ 20A, 10V	- - -	45 nc @ 10 v	± 20 V	3600 PF @ 10 V	- - -	65W (TC)
RJP30H2DPK-M2#T0	5.5400	RFQ	18	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1
RJK0396DPA-00#J53	0,6800	RFQ	21	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerwdfn		MOSFET (Metalloxid)		8-wpak	- - -	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal		30 v	30a (ta)		9mohm @ 15a, 10V	- - -	9 NC @ 4,5 V.		1330 PF @ 10 V.	- - -	28W (TC)
UPA2810T1L-E1-ay	1.0100	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-VDFN Exposed Pad		MOSFET (Metalloxid)		8-dfn3333 (3,3x3,3)	- - -	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal		30 v	13a (ta)		12mohm @ 13a, 10V	2,5 V @ 1ma	40 nc @ 10 v		1860 PF @ 10 V.	- - -	1,5 W (TA)
RJK4512DPE-00#J3	- - -	RFQ	3232	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-83	RJK4512	MOSFET (Metalloxid)		LDPAK	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal		450 V	14a (ta)	10V	510mohm @ 7a, 10V	- - -	29 NC @ 10 V	± 30 v	1100 PF @ 25 V.	- - -	100 W (TC)
3SK295zq-tl-e	0,2600	RFQ	36	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv								Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000
RJK4007DPP-G2#T2	1.5700	RFQ	456	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1
RJK4514DPK-00#T0	- - -	RFQ	9557	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Rohr	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack	RJK4514	MOSFET (Metalloxid)		To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		450 V	22a (ta)	10V	300mohm @ 11a, 10V	- - -	46 NC @ 10 V	± 30 v	1800 PF @ 25 V.	- - -	150W (TC)
UPA1764G (0) -E1 -AZ	- - -	RFQ	2493	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet				UPA1764	- - -			Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Verkäfer undefiniert			Ear99	8541.29.0095	3.000												- - -
NP75P04ylg-e1-ay	2.0800	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-SMD, Flaches Bleierationspad exponiert		MOSFET (Metalloxid)		8-hson	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal		40 v	75a (TC)	5v, 10V	9,7 MOHM @ 37,5a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	140 nc @ 10 v	± 20 V	4800 PF @ 25 V.	- - -	1W (TA), 138W (TC)
HFA3127B	- - -	RFQ	9745	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe)	HFA3127		150 MW	16-soic	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	48			- - -											12V	65 Ma	5 npn	40 @ 10ma, 2v	8GHz	3,5 dB @ 1 GHz
Upd703069YGJ-169-UEN-A	- - -	RFQ	5871	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Veraltet								- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Veraltet	0000.00.0000	1
RJK0703DPP-E0#T2	- - -	RFQ	3831	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Rohr	Veraltet	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-220fp	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	25		N-Kanal		75 V	70a (ta)	10V	6,7 MOHM @ 35A, 10V	- - -	56 NC @ 10 V	± 20 V	4150 PF @ 10 V.	- - -	25W (TC)
N0601N-ZK-E1-ay	1.7640	RFQ	6737	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	N0601N-ZK-E1	MOSFET (Metalloxid)		To-263	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	-1161-N0601N-ZK-e1-ayct	Ear99	8541.29.0095	800		N-Kanal		60 v	100a (ta)	10V	4.2mohm @ 50a, 10V	- - -	133 NC @ 10 V	± 20 V	7730 PF @ 25 V.	- - -	1,5W (TA), 156W (TC)
RJK03E0DNS-00#J5	0,8700	RFQ	140	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Powerwdfn		MOSFET (Metalloxid)		8-Hwson (3,3x3,3)	- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	0000.00.0000	1		N-Kanal		30 v	30a (ta)		5.6mohm @ 15a, 10V	- - -	15,2 NC @ 4,5 V.		3050 PF @ 10 V	- - -	20W (TC)
2SC5617-T3-A	0,5500	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv								Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	2.500
UPA2375T1P-E1-A	- - -	RFQ	1073	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-Xflga	UPA2375	MOSFET (Metalloxid)	1.75W	6-eflip-lga	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	5.000	2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss			- - -	- - -		- - -	- - -	- - -		- - -	Logikpegel -Tor, 2,5 V.
2SK3229-e	4.9500	RFQ	11	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv								Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1
RJK0348DSP-00#J0	0,8200	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		MOSFET (Metalloxid)		8-Sop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		30 v	22a (ta)		3,4mohm @ 11a, 10V	- - -	34 NC @ 4,5 V.		5100 PF @ 10 V	- - -	2,5 W (TA)
2SK2484 (1) -Az	3.1200	RFQ	276	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1
RJK0395DPA-00#J5A	0,5100	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc.	- - -	Schüttgut	Veraltet	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-WFDFN Exposed Pad		MOSFET (Metalloxid)		8-wpak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal		30 v	30a (ta)		7.7Mohm @ 15a, 10V	- - -	11 NC @ 4,5 V.		1670 PF @ 10 V.	- - -	30W (TC)
RJM0603JSC-00#13	- - -	RFQ	7417	Renesas Electronics America Inc.	Automobil, AEC-Q101	- - -	Veraltet	175 ° C.	Oberflächenhalterung	20-Soic (0,433 ", 11,00 mm Breit) Exponiert-Pads	RJM0603	MOSFET (Metalloxid)	54W	20-hsop	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	1	3 n und 3 p-kanal (3-Phasen-Brückke)			60 v	20a		20mohm @ 10a, 10V	2,5 V @ 1ma	43nc @ 10v		2600PF @ 10V	Logikpegel -Tor, 4,5 V Auftwerk
2SD773-T-Az	0,2600	RFQ	20	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv								Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0075	1
UPA2708GR-E1-AT	1.9200	RFQ	37	Renesas Electronics America Inc.	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (2349)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²