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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | Strom Abfluss (ID) - Maximal |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Fqu5n50ctu-ws | - - - |  | 9863 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Fqu5n50 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.040 | N-Kanal | 500 V | 4a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 2a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 30 v | 625 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | Ech8660-TL-H | - - - | | 4720 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | Ech8660 | - - - | - - - | 8-Ech | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SB1140T | 0,2000 | | 8 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.480 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTZD3155CT5G | - - - | | 9126 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NTZD3155 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW | SOT-563 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N und p-kanal | 20V | 540 mA, 430 mA | 550MOHM @ 540 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 2,5nc @ 4,5 V | 150pf @ 16v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||
 | NTGS3443T1G | 0,5400 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | NTGS3443 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.2a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 65mohm @ 4,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 565 PF @ 5 V. | - - - | 500 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | FQP17P06 | 1.9600 | | 4763 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP17 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 17a (TC) | 10V | 120 MOHM @ 8.5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 25 V | 900 PF @ 25 V. | - - - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | NVTGS3455T1G | - - - | | 3184 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | - - - | NVTGS3 | - - - | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Nvmfd5c466nlwft1g | 2.6900 | | 4229 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NVMFD5 | MOSFET (Metalloxid) | 3W (TA), 40W (TC) | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 14A (TA), 52A (TC) | 7.4mohm @ 10a, 10V | 2,2 V @ 30 ähm | 7nc @ 4,5V | 997Pf @ 25v | - - - | |||||||||||||||||||||||||
 | FJZ594JBTF | - - - | | 5568 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-623F | FJZ594 | 100 MW | SOT-623F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 3.5PF @ 5v | 20 v | 150 µa @ 5 V | 600 mV @ 1 µA | 1 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||
 | KSC2331YBU | - - - | | 8545 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | KSC2331 | 1 w | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 6.000 | 60 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 50 Ma, 2V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | NTMFS10N7D2C | 3.3400 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NTMFS10 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6), Power56 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 78a (TC) | 6 V, 10V | 7,2 Mohm @ 28a, 10V | 4 V @ 150 ähm | 37 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2635 PF @ 50 V | - - - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | 2SC6082-epn-1e | 1.6700 | | 350 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-220-3 Full Pack | 2SC6082 | 2 w | To-220F-3SG | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2832-2SC6082-EPN-1E | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 50 v | 15 a | 10 µA (ICBO) | Npn | 400 MV @ 375 Ma, 7,5a | 200 @ 330 Ma, 2V | 195MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| SNXH75M65L3F2STG | 69.4600 | | 20 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | SNXH75 | 236 w | Standard | 32-PIM (56,7x42,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-SNXH75M65L3F2STG | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | Vollbrückke Wechselrichter | Feldstopp | 650 V | 75 a | 2,2 V @ 15V, 75A | 250 µA | Ja | |||||||||||||||||||||||||
 | FQA13N80 | - - - | | 2810 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | Fqa1 | MOSFET (Metalloxid) | To-3pn | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 800 V | 12,6a (TC) | 10V | 750MOHM @ 6.3a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 30 v | 3500 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| IRF540N_R4942 | - - - | | 2269 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf54 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 33a (TC) | 10V | 40mohm @ 33a, 10V | 4v @ 250 ähm | 79 NC @ 20 V | ± 20 V | 1220 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| NXH300B100H4Q2F2PG | 203.4500 | | 3103 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | 194 w | Standard | 27-PIM (71x37.4) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NXH300B100H4Q2F2PG | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Dual Gemeinsame Quelle | TRABENFELD STOPP | 1118 v | 73 a | 2,25 V @ 15V, 100a | 800 µA | Ja | 6.323 NF @ 20 V | |||||||||||||||||||||||||
| 2SJ659-dl-e | 0,5100 | | 15 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTGS1135PT1G | - - - | | 7353 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | NTGS11 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 8 v | 4.6a (TA) | 1,2 V, 4,5 V. | 31mohm @ 4,6a, 4,5 V. | 850 MV @ 250 ähm | 21 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | 2200 PF @ 6 V | - - - | 970 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
| NXH400N100L4Q2F2SG | 198.5200 | | 2902 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | NXH400 | 980 w | Standard | 48-PIM/Q2Pack (93x47) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NXH400N100L4Q2F2SG | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | Drei -Level -Wechselrichter | TRABENFELD STOPP | 1000 v | 360 a | 2,2 V @ 15V, 400a | 25 µA | Ja | 26.06 NF @ 20 V | ||||||||||||||||||||||||
 | MVMBF0201NLT1G | 0,5800 | | 8 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MVMBF0201 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 300 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 1OHM @ 300 mA, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | ± 20 V | 45 PF @ 5 V. | - - - | 225 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | Nvd6415anlt4g | - - - | | 3183 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NVD641 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 23a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 52mohm @ 10a, 10V | 2v @ 250 ähm | 20 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1024 PF @ 25 V. | - - - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | FDG6303N_G | - - - | | 9100 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FDG6303 | MOSFET (Metalloxid) | 300 MW | SC-88 (SC-70-6) | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 500 mA | 450MOHM @ 500 Ma, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 2.3nc @ 4.5V | 50pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||
| FDA032N08 | 4.3700 | | 491 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FDA032 | MOSFET (Metalloxid) | To-3pn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 75 V | 120a (TC) | 10V | 3,2 MOHM @ 75A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 220 NC @ 10 V | ± 20 V | 15160 PF @ 25 V. | - - - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | FDD14AN06LA0-F085 | - - - | | 3927 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Fdd14an06 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 9,5a (TA), 50A (TC) | 5v, 10V | 11,6 MOHM @ 50A, 10V | 3v @ 250 ähm | 32 NC @ 5 V. | ± 20 V | 2810 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| SNSM3005NZTAG | 0,1200 | | 159 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Verkäfer undefiniert | Verkäfer undefiniert | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SCH1305-TL-E | 0,0700 | | 60 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fjn3306rbu | - - - | | 1592 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | Fjn330 | 300 MW | To-92-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | PN4092_D74Z | - - - | | 8859 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN409 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 16PF @ 20V | 40 v | 15 mA @ 20 V | 2 V @ 1 na | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
| MCH5804-tl-e | 0,1400 | | 30 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DWC010-te-e | 0,1500 | | 9 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | 2156-DWC010-TE-E-488 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 |
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