- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDBL9401-F085T6 | 8.7500 |  | 1 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerfn | FDBL9401 | MOSFET (Metalloxid) | 8-hpsof | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-FDBL9401-F085T6TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 40 v | 58,4a (TA), 240a (TC) | 0,67 MOHM @ 50A, 10 V. | 4V @ 290 ua | 148 NC @ 10 V | +20V, -16v | 10000 PF @ 25 V. | - - - | 4,3W (TA), 180,7W (TC) | ||||||||||
 | FDS6676AS-G | 0,5600 | | 24 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2832 FDS6676AS-GTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 893 | N-Kanal | 30 v | 14,5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 14.5a, 10V | 3V @ 1ma | 63 NC @ 10 V | ± 20 V | 2510 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||
| FDS6673BZ-G | 0,6600 | | 126 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2832 FDS6673BZ-GTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 758 | P-Kanal | 30 v | 14,5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 7,8 MOHM @ 14,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 65 NC @ 5 V | ± 25 V | 4700 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||
 | NVMFWS021N10MCLT1G | 0,4169 | | 2968 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powertdfn, 5 Leads | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NVMFWS021N10MCLT1GTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 100 v | 8.4a (TA), 31A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 7a, 10V | 3 V @ 42 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 850 PF @ 50 V | - - - | 3.6W (TA), 49W (TC) | ||||||||||
 | NVMFS5C442NWFET1G | 1.0181 | | 1941 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NVMFS5C442NWFET1GTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 29a (TA), 140a (TC) | 10V | 2,3 MOHM @ 50A, 10V | 4v @ 90 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 25 V | - - - | 3.7W (TA), 83W (TC) | ||||||||||
 | FCP125N65S3R0 | 4.6400 | | 200 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet® III | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FCP125 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10V | 4,5 V @ 2,4 mA | 46 NC @ 10 V | ± 30 v | 1940 PF @ 400 V | - - - | 181W (TC) | ||||||||||
| FQP4N20L | 1.1900 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP4 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 3.8a (TC) | 5v, 10V | 1,35OHM @ 1,9a, 10V | 2v @ 250 ähm | 5.2 NC @ 5 V | ± 20 V | 310 PF @ 25 V. | - - - | 45W (TC) | ||||||||||
 | FDD8N50NZTM | 1.4100 | | 2338 | 0.00000000 | Onsemi | UNIFET-II ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD8N50 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 500 V | 6,5a (TC) | 10V | 850MOHM @ 3.25A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 25 V | 735 PF @ 25 V. | - - - | 90W (TC) | ||||||||||
| NVMJD016N06CTWG | 0,6108 | | 9076 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | NVMJD016 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NVMJD016N06CTWGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | MCH6331-TL-W | - - - | | 8789 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MCH63 | MOSFET (Metalloxid) | SC-88FL/MCPH6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3,5a (TA) | 4 V, 10V | 98mohm @ 1,5a, 10V | 2,6 V @ 1ma | 5 NC @ 10 V | ± 20 V | 250 PF @ 10 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||||
| MTB4N40T4-ON | 0,9100 | | 147 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C430NLT1G | - - - | | 4574 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 200a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,5 MOHM @ 50a, 10V | 2v @ 250 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 4300 PF @ 20 V | - - - | 3,8 W (TA), 110 W (TC) | ||||||||||
| NVMFS6H864NT1G | 0,9300 | | 3414 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS6 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 80 v | 6.7A (TA), 21A (TC) | 10V | 32mohm @ 5a, 10V | 4V @ 20 ähm | 6,9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 370 PF @ 40 V | - - - | 3,5 W (TA), 33W (TC) | ||||||||||
 | 5LN01S-TL-E | - - - | | 7294 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 5ln01 | MOSFET (Metalloxid) | SMCP | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 100 mA (ta) | 1,5 V, 4V | 7,8OHM @ 50 Ma, 4V | - - - | 1,57 NC @ 10 V. | ± 10 V | 6.6 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||
 | FCH47N60N | - - - | | 8948 | 0.00000000 | Onsemi | Supremos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | FCH47N60 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 62mohm @ 23.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 151 NC @ 10 V | ± 30 v | 6700 PF @ 100 V | - - - | 368W (TC) | ||||||||||
| RFP15N05L | - - - | | 4378 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | RFP15 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 50 v | 15a (TC) | 5v | 140mohm @ 15a, 5V | 2v @ 250 ähm | ± 10 V | 900 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | ||||||||||||
 | Nttfs4c65ntwg | - - - | | 2808 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS4 | - - - | 8-WDFN (3,3x3,3) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | - - - | 7.7a (ta) | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||
| Nthl125N65S3H | 6.7900 | | 285 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet® III | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-nthl125N65S3H | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10V | 4v @ 2.1 mA | 44 NC @ 10 V. | ± 30 v | 2200 PF @ 400 V | - - - | 171W (TC) | ||||||||||
 | FQA90N08 | - - - | | 3710 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA90 | MOSFET (Metalloxid) | To-3pn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 80 v | 90a (TC) | 10V | 16mohm @ 45a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 25 V | 3250 PF @ 25 V. | - - - | 214W (TC) | ||||||||||
 | MTA15N06 | 0,5200 | | 33 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | SFT1345-H | - - - | | 5290 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | SFT134 | MOSFET (Metalloxid) | Ipak/tp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P-Kanal | 100 v | 11a (ta) | 4 V, 10V | 275mohm @ 5,5a, 10V | - - - | 21 NC @ 10 V | ± 20 V | 1020 PF @ 20 V | - - - | 1W (TA), 35W (TC) | |||||||||||
 | NTR4502PT1 | - - - | | 3572 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NTR450 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1.13a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 200mohm @ 1.95a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 200 PF @ 15 V | - - - | 400 MW (TJ) | ||||||||||
 | 2SC3467E | 0,1800 | | 5 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | FQI5N40TU | - - - | | 9499 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | FQI5 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak (to-262) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 400 V | 4,5a (TC) | 10V | 1,6OHM @ 2,25A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 30 v | 460 PF @ 25 V. | - - - | 3.13W (TA), 70 W (TC) | |||||||||||
 | HUF75631S3ST | 4.2400 | | 464 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HUF75 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-HUF75631S3STTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 33a (TC) | 10V | 40mohm @ 33a, 10V | 4v @ 250 ähm | 79 NC @ 20 V | ± 20 V | 1220 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | |||||||||
| TE02462T | 0,4500 | | 12 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| NTMFS4C922NAT3G | 0.8003 | | 7091 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | NTMFS4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NTMFS4C922NAT3GTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | MJD45H11TF-ON | - - - | | 3144 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 1,75 w | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 80 v | 8 a | 10 µA | PNP | 1v @ 400 mA, 8a | 40 @ 4a, 1V | 40 MHz | |||||||||||||||
 | NTD4865N-1G | - - - | | 8383 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | NTD48 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 25 v | 8,5a (TA), 44a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.9mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 10,8 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 827 PF @ 12 V | - - - | 1,27W (TA), 33,3W (TC) | |||||||||||
| NTMFS4826NET1G | - - - | | 1889 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 9,5a (TA), 66A (TC) | 4,5 V, 11,5 V. | 5.9mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 20 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1850 PF @ 12 V | - - - | 870 MW (TA), 41,7W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)