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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | Strom Abfluss (ID) - Maximal |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BF246A_J35Z | - - - |  | 6753 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BF246 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | - - - | 30 v | 30 mA @ 15 V | 600 mv @ 100 na | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3666-3-TB-E | - - - | | 2574 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SK3666 | 200 MW | SMCP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4pf @ 10v | 1,2 mA @ 10 v | 180 mV @ 1 µA | 200 Ohm | 10 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta143z | 0,0200 | | 41 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Dta143 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVMFS5A140PLZT3G | - - - | | 5188 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 40 v | 20A (TA), 140a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.2mohm @ 50a, 10V | 2,6 V @ 1ma | 136 NC @ 10 V | ± 20 V | 7400 PF @ 20 V | - - - | 3,8 W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Nsvmmun2135lt1g | 0,3300 | | 8 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Nsvmmun2135 | 246 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 2.2 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS651RLRB | 0,0700 | | 16 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS021N10MCLT1G | 0,9000 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 100 v | 8.4a (TA), 31A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 7a, 10V | 3 V @ 42 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 850 PF @ 50 V | - - - | 3.6W (TA), 49W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | NDF06N60ZG | - - - | | 1326 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | NDF06 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 7.1a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 3a, 10V | 4,5 V @ 100 µA | 47 NC @ 10 V | ± 30 v | 1107 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SB1225 | 0,4300 | | 31 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NSBA113EDXV6T1G | 0,0698 | | 1848 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NSBA113 | 250 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250mv @ 5ma, 10 mA | 3 @ 5ma, 10V | - - - | 1kohm | 1kohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | HUFA76443S3ST | - - - | | 2729 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Hufa76 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 60 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 75a, 10V | 3v @ 250 ähm | 129 NC @ 10 V | ± 16 v | 4115 PF @ 25 V. | - - - | 260W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | FCU360N65S3R0 | 2.3400 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet® III | Rohr | Nicht für Designs | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | FCU360 | I-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 10a (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SJ645-tl-e | 0,4400 | | 3 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | 2SJ645 | - - - | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 683 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FQP10N20CTSTU | - - - | | 9414 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP1 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 200 v | 9,5a (TC) | 10V | 360MOHM @ 4.75a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 30 v | 510 PF @ 25 V. | - - - | 72W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SCH1343-TL-H | - - - | | 4175 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SCH134 | MOSFET (Metalloxid) | 6-sch | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 20 v | 3,5a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 72mohm @ 2a, 4,5 V. | - - - | 11 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 1220 PF @ 10 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 30A02MH-tl-H | - - - | | 4254 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 30a02 | 600 MW | 3-mcph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 220 mv @ 10ma, 200 mA | 200 @ 10ma, 2v | 520 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SGH30N60RUFDtu | - - - | | 7989 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | SGH30N60 | Standard | 235 w | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 300 V, 30a, 7ohm, 15 V. | 95 ns | - - - | 600 V | 48 a | 90 a | 2,8 V @ 15V, 30a | 919 µj (EIN), 814 µJ (AUS) | 85 NC | 30ns/54ns | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2SB1234-TB-E | 0,1100 | | 282 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TIP131 | - - - | | 9609 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP131 | 2 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 8 a | 500 ähm | NPN - Darlington | 3v @ 30 Ma, 6a | 1000 @ 4a, 4V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MCH3322-EBM-TL-E | 0,1100 | | 158 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ATP201-TL-H | - - - | | 7242 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | ATPAK (2 Leads+Tab) | ATP201 | MOSFET (Metalloxid) | Atpak | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 35a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 18a, 10V | - - - | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 985 PF @ 10 V | - - - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| 3LP01C-TB-H | - - - | | 6489 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 3LP01 | MOSFET (Metalloxid) | SC-59-3/CP3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 100 mA (ta) | 1,5 V, 4V | 10.4ohm @ 50 mA, 4V | - - - | 1,43 NC @ 10 V. | ± 10 V | 7.5 PF @ 10 V | - - - | 250 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | KSB1015OTU | - - - | | 9779 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | KSB10 | 25 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 v | 3 a | 100 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 300 mA, 3a | 60 @ 500 mA, 5V | 9MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDS8949 | 1.1500 | | 274 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS89 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | FDS8949TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 6a | 29mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11nc @ 5v | 955PF @ 20V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Fqi1p50TU | - - - | | 3005 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Fqi1 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak (to-262) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 500 V | 1,5a (TC) | 10V | 10.5OHM @ 750 mA, 10V | 5 V @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 30 v | 350 PF @ 25 V. | - - - | 3.13W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Fdd45an06la0_f085 | - - - | | 3627 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD45 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 5.2a (TA), 25a (TC) | 5v, 10V | 36mohm @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11 NC @ 5 V | ± 20 V | 880 PF @ 25 V. | - - - | 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | NGTB40N65IHL2WG | - - - | | 4683 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | NGTB40 | Standard | 300 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | 465 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 80 a | 160 a | 2,2 V @ 15V, 40a | 360 µJ (AUS) | 135 NC | -/140ns | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC3576 | 0,0800 | | 35 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HGTP3N60A4D | - - - | | 5957 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | HGTP3N60 | Standard | 70 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 390 V, 3a, 50 Ohm, 15 V | 29 ns | - - - | 600 V | 17 a | 40 a | 2,7 V @ 15V, 3a | 37 µJ (EIN), 25 µJ (AUS) | 21 NC | 6ns/73ns | |||||||||||||||||||||||||||
 | FDMD8280 | - - - | | 7510 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 12-Powerwdfn | FDMD82 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 12-Power3.3x5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 80V | 11a | 8.2mohm @ 11a, 10V | 4v @ 250 ähm | 44nc @ 10v | 3050pf @ 40V | - - - |
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