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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Fqpf33n10 | 1.5600 |  | 324 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Fqpf3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 18a (TC) | 10V | 52mohm @ 9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 51 NC @ 10 V | ± 25 V | 1500 PF @ 25 V. | - - - | 41W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | NVMFD024N06CT1G | 2.2600 | | 2639 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NVMFD024 | MOSFET (Metalloxid) | 3.1W (TA), 28W (TC) | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 8A (TA), 24A (TC) | 22.6mohm @ 3a, 10V | 4V @ 20 ähm | 5.7nc @ 10v | 333PF @ 30V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| NVMFD030N06CT1G | 0,9440 | | 7892 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NVMFD030 | MOSFET (Metalloxid) | 3.2W (TA), 23W (TC) | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-NVMFD030N06CT1GTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 7a (ta), 19a (TC) | 29.7mohm @ 3a, 10V | 4 V @ 13 µA | 4.7nc @ 10v | 255PF @ 30V | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | NXH160T120L2Q2F2SG | - - - | | 1000 | 0.00000000 | Onsemi | * | Tablett | Veraltet | NXH160 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVTYS007N04CLTWG | 0,6142 | | 6586 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-1205, 8-LFPAK56 | MOSFET (Metalloxid) | 8-lfpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-nvtys007N04ClTWGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 16a (TA), 54a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7.3mohm @ 10a, 10V | 2,2 V @ 30 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 900 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | FCP104N60F | 6.3200 | | 5216 | 0.00000000 | Onsemi | Hiperfet ™, polar ™ | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FCP104 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 37a (TC) | 10V | 104mohm @ 18.5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 6130 PF @ 25 V. | - - - | 357W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| 2SC4452-3-TL-E-on | 0,1000 | | 87 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HUFA76413DK8T-F085P | - - - | | 1708 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HUFA76413 | MOSFET (Metalloxid) | 2,5 W (TA) | 8-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 488-HUFA76413DK8T-F085PTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5.1a (TC) | 49mohm @ 5.1a, 10V | 3v @ 250 ähm | 23nc @ 10v | 620PF @ 25V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
| NDCTR30120A | - - - | | 7745 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | NDCTR30120 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NDCTR30120ATR | 1.700 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCPF220N80 | 6.4100 | | 4187 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet® II | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FCPF220 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 800 V | 23a (TC) | 10V | 220MOHM @ 11.5A, 10V | 4,5 V @ 2,3 Ma | 105 NC @ 10 V | ± 20 V | 4560 PF @ 100 V | - - - | 44W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | FQI27N25TU | - - - | | 8160 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | FQI27N25 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak (to-262) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 25,5a (TC) | 10V | 110MOHM @ 12.75A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 65 NC @ 10 V | ± 30 v | 2450 PF @ 25 V. | - - - | 3.13W (TA), 180 W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | NVMFS4C01NWFT3G | 2.2347 | | 5209 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 49a (TA), 319a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,9 MOHM @ 30a, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 139 NC @ 10 V | ± 20 V | 10144 PF @ 15 V | - - - | 3,84W (TA), 161W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | MJE18006G | - - - | | 3937 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MJE18 | 100 w | To-220 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 450 V | 6 a | 100 µA | Npn | 700mv @ 600 mA, 3a | 6 @ 3a, 1V | 14MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| 2SB544F-MP-AE | - - - | | 8908 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFS5C406NN1G | 3.1873 | | 8947 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | - - - | NTMFS5 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | - - - | 353a (TC) | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
 | FDBL86563-F085 | 5.3100 | | 20 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerfn | FDBL86563 | MOSFET (Metalloxid) | 8-hpsof | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 240a (TC) | 10V | 1,5 MOHM @ 80A, 10V | 4v @ 250 ähm | 169 NC @ 10 V | ± 20 V | 10300 PF @ 30 V | - - - | 357W (TJ) | ||||||||||||||||||||||
| NVMFS6B03NWFT1G | - - - | | 9470 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS6 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 100 v | 145a (TC) | 10V | 4,8 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 16 v | 4200 PF @ 50 V | - - - | 3,9W (TA), 198W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | Fjv3104rmtf | - - - | | 3314 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FJV310 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
| NVMFS6B85NLT1G | - - - | | 4908 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS6 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 100 v | 5.6a (TA), 19A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 46mohm @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 7,9 NC @ 10 V | ± 16 v | 480 PF @ 25 V. | - - - | 3,5 W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | CPH6311-tl-e | 0,1800 | | 141 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | MOSFET (Metalloxid) | 6-cph | - - - | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5a (ta) | 42mohm @ 3a, 4,5 V. | - - - | 31 NC @ 10 V | 1230 PF @ 10 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
| NTMFS5C410NLTT3G | - - - | | 3870 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 50a (TA), 330a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,9 MOHM @ 50a, 10 V. | 2v @ 250 ähm | 143 NC @ 10 V | ± 20 V | 8862 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 167W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | FQD4P40TM-Am002 | - - - | | 3742 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Fqd4 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 400 V | 2.7a (TC) | 10V | 3,1OHM @ 1,35A, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 23 NC @ 10 V | ± 30 v | 680 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 50 W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | 2SA1344-TB-E | 0,0600 | | 60 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDY4001CZ | - - - | | 7846 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | FDY40 | MOSFET (Metalloxid) | 446 MW | SOT-563F | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 200 mA, 150 mA | 5OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,1NC @ 4,5V | 60pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||
 | NTMS4706NR2 | - - - | | 3226 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NTMS47 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 6.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 10.3a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 950 PF @ 24 V | - - - | 830 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | DTC124EET1 | 0,0200 | | 27 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC124 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | FGB20N6S2 | - - - | | 1762 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FGB2 | Standard | 125 w | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 390 V, 7a, 25 Ohm, 15 V | - - - | 600 V | 28 a | 40 a | 2,7 V @ 15V, 7a | 25 µJ (EIN), 58 µJ (AUS) | 30 NC | 7.7ns/87ns | ||||||||||||||||||||||||
| FGD3N60LSDTM | 1.3600 | | 7055 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FGD3N60 | Standard | 40 w | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 480 V, 3A, 470OHM, 10V | 234 ns | - - - | 600 V | 6 a | 25 a | 1,5 V @ 10V, 3a | 250 µJ (EIN), 1MJ (AUS) | 12,5 NC | 40ns/600ns | ||||||||||||||||||||||
 | Fqa34n20l | - - - | | 5784 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | Fqa3 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 200 v | 34a (TC) | 5v, 10V | 75mohm @ 17a, 10V | 2v @ 250 ähm | 72 NC @ 5 V. | ± 20 V | 3900 PF @ 25 V. | - - - | 210W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | MCH3421-tl-e | 0,1800 | | 225 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Flache Leitungen | MOSFET (Metalloxid) | 3-mcph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 800 mA (TA) | 890MOHM @ 400 mA, 10V | - - - | 4,8 nc @ 10 v | 165 PF @ 20 V | - - - | 900 MW (TA) |
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