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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC547BBU | 0,3600 |  | 24 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC547 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||
 | 2SK4085LS-CBC11 | 1.2800 | | 239 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | 2SK4085 | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | HUFA76443S3S | - - - | | 3716 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Hufa76 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 75a, 10V | 3v @ 250 ähm | 129 NC @ 10 V | ± 16 v | 4115 PF @ 25 V. | - - - | 260W (TC) | |||||||||||
 | FDG6301N | 0,4400 | | 119 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FDG6301 | MOSFET (Metalloxid) | 300 MW | SC-88 (SC-70-6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 220 Ma | 4OHM @ 220 Ma, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 0,4nc @ 4,5 V | 9.5PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||
 | FDS3672 | 1.5900 | | 1824 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS36 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 7.5a (ta) | 6 V, 10V | 23mohm @ 7.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 37 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2015 PF @ 25 V | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||
| FQB24N08TM | - - - | | 4275 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FQB2 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 80 v | 24a (TC) | 10V | 60MOHM @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 25 NC @ 10 V | ± 25 V | 750 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 75W (TC) | |||||||||||
 | 2SD1683s | - - - | | 7989 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | 2SD1683 | 1,5 w | To-126ml | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 200 | 50 v | 4 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 2a | 100 @ 100 mA, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||
 | FQP16N25C-F105 | - - - | | 9768 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDN86246 | 1.3600 | | 9 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FDN862 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 1,6a (ta) | 6 V, 10V | 261Mohm @ 1,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 5 NC @ 10 V | ± 20 V | 225 PF @ 75 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||||||
 | Ntlus4c12ntbg | - - - | | 1690 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | Ntlus4 | MOSFET (Metalloxid) | 6-udfn (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6.8a (ta) | 3,3 V, 10 V. | 9mohm @ 9a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1172 PF @ 15 V | - - - | 630 MW (TA) | ||||||||||
 | Nvmfd5877nlwft3g | - - - | | 2988 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NVMFD5877 | MOSFET (Metalloxid) | 3.2W | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6a | 39mohm @ 7.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 540PF @ 25V | Logikpegel -tor | ||||||||||||
 | MPSA56_D75Z | - - - | | 7182 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPSA56 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 80 v | 500 mA | 100na | PNP | 200mv @ 10ma, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | |||||||||||||||
 | MCH6101-tl-e | - - - | | 5524 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MCH6101 | 1 w | 6-mcph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 180 mv @ 15ma, 750 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 430 MHz | ||||||||||||||
 | MCH3382-TL-H | - - - | | 9469 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-3 Flache Leitungen | MCH33 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70FL/MCPH3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 198mohm @ 1a, 4,5 V. | - - - | 2,3 NC @ 4,5 V. | ± 9 v | 170 PF @ 6 V | - - - | 800 MW (TA) | |||||||||||
| 2N5551RL1 | - - - | | 2316 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | 2N5551 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 80 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||
 | NVTR0202PLT1G | 0,3900 | | 26 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NVTR0202 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 400 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 800MOHM @ 200 Ma, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 2.18 NC @ 10 V | ± 20 V | 70 PF @ 5 V. | - - - | 225 MW (TA) | ||||||||||
| MMBFJ310LT1 | - - - | | 4741 | 0.00000000 | Onsemi | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | MMBFJ3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | FDU6N50TU | - - - | | 4389 | 0.00000000 | Onsemi | Unifet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | FDU6 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | N-Kanal | 500 V | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 3a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 16.6 NC @ 10 V. | ± 30 v | 940 PF @ 25 V. | - - - | 89W (TC) | ||||||||||
| 2N4124TAR | - - - | | 9382 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4124 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 25 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 2MA, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||
| BCX799_J35Z | - - - | | 3610 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BCX799 | 625 MW | To-92-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 45 V | 500 mA | 10na | PNP | 600 mV @ 2,5 mA, 100 mA | 80 @ 10ma, 1V | - - - | |||||||||||||||
| BC556BTFR | 0,4100 | | 5 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC556 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||
| 2N4403TFR | 0,3600 | | 19 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4403 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 600 mA | - - - | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||
 | KSD1020YTA | - - - | | 5468 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Kurzkörper | KSD1020 | 350 MW | To-92s | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mV @ 70 mA, 700 mA | 120 @ 100 mA, 1V | 170 MHz | |||||||||||||||
| 2N4403_D81Z | - - - | | 1692 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4403 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 600 mA | - - - | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | |||||||||||||||
 | FDS7288N3 | - - - | | 3045 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soikale (0,154 ", 3,90 mm Breit) Exponiertebad | FDS72 | MOSFET (Metalloxid) | 8-SO FLMP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 20a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 20,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 69 NC @ 10 V | ± 20 V | 3300 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA) | |||||||||||
| FDFS6N548 | - - - | | 3537 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDFS6 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 10 V | ± 20 V | 700 PF @ 15 V | Schottky Diode (Isolier) | 1.6W (TA) | ||||||||||
| HUFA75329S3S | - - - | | 3118 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Hufa75 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 49a (TC) | 10V | 24MOHM @ 49A, 10V | 4v @ 250 ähm | 75 NC @ 20 V | ± 20 V | 1060 PF @ 25 V. | - - - | 128W (TC) | |||||||||||
 | IRF630B_FP001 | - - - | | 1027 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf63 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 v | 9a (TC) | 10V | 400 MOHM @ 4,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 30 v | 720 PF @ 25 V. | - - - | 72W (TC) | |||||||||||
| MPS750RLRP | - - - | | 3761 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | MPS750 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||
 | FQI7N10TU | - - - | | 6072 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Fqi7 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak (to-262) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 7.3a (TC) | 10V | 350MOHM @ 3.65A, 10V | 4v @ 250 ähm | 7,5 NC @ 10 V | ± 25 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 3,75W (TA), 40W (TC) |
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