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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Testedingung | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ntd4969nt4g | - - - |  | 2615 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NTD4969 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 9,4a (TA), 41A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 9 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 837 PF @ 15 V | - - - | 1,38W (TA), 26,3 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Mun5231dw1t1g | 0,2700 | | 9 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mun5231 | 250 MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250mv @ 5ma, 10 mA | 8 @ 5ma, 10V | - - - | 2.2ko | 2.2ko | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NSV40200UW6T1G | 0,3469 | | 2207 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | NSV40200 | 875 MW | 6-WDFN (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 300 mv @ 20 mA, 2a | 150 @ 1a, 2v | 140 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTP2955 | - - - | | 3987 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | NTP295 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 2.4a (TA) | 10V | 196mohm @ 12a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 2,4W (TA), 62,5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Dta124e | 0,0200 | | 60 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Dta124 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N5245_J35Z | - - - | | 6193 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 30 v | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N5245 | - - - | Jfet | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 15 Ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG330p | - - - | | 1659 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FDG330 | MOSFET (Metalloxid) | SC-88 (SC-70-6) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 110 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 7 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 477 PF @ 6 V. | - - - | 750 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FQP4P25 | - - - | | 7346 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP4 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 250 V | 4a (TC) | 10V | 2.1OHM @ 2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 30 v | 420 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DTA124EM3T5G | 0,0507 | | 6985 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta124 | 260 MW | SOT-723 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | KSB772YS | 0,6200 | | 7 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | KSB772 | 1 w | To-126-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 30 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | 160 @ 1a, 2v | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FQD8P10TM-F085 | 1.4100 | | 1665 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Fqd8p10 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 v | 6.6a (TC) | 10V | 530mohm @ 3,3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 30 v | 470 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMPQ2907A | 2.1000 | | 3337 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | MMPQ2907 | 1W | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 v | 600 mA | 20na (ICBO) | 4 PNP (Quad) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STD5406NT4G-VF01 | 0,5114 | | 3200 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-STD5406NT4G-VF01TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 12,2a (TA), 70A (TC) | 5v, 10V | 10Mohm @ 30a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 2500 PF @ 32 V | - - - | 3W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDY102PZ | 0,4900 | | 3738 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | FDY102 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 830 Ma (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 500MOHM @ 830 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 3.1 NC @ 4.5 V. | ± 8 v | 135 PF @ 10 V. | - - - | 625 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Nvd5c434nt4g | 3.5700 | | 5248 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NVD5C434 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 163a (TC) | 10V | 2,1 MOHM @ 50A, 10V | 4v @ 250 ähm | 80.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 5400 PF @ 25 V. | - - - | 117W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| RFP70N06 | 2.3800 | | 3857 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | RFP70 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 70a (TC) | 10V | 14mohm @ 70a, 10V | 4v @ 250 ähm | 156 NC @ 20 V | ± 20 V | 2250 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| HGTP20N60A4 | - - - | | 7933 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Hgtp20 | Standard | 290 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 390 V, 20A, 3OHM, 15 V. | - - - | 600 V | 70 a | 280 a | 2,7 V @ 15V, 20a | 105 µJ (EIN), 150 µJ (AUS) | 142 NC | 15ns/73ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA984KF-AA | 0,0800 | | 7 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4092_D26Z | - - - | | 7458 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN409 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 16PF @ 20V | 40 v | 15 mA @ 20 V | 2 V @ 1 na | 50 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NVMFS6B75NLWFT1G | - - - | | 3426 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS6 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 100 v | 7a (ta), 28a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 11.3 NC @ 10 V | ± 16 v | 740 PF @ 25 V. | - - - | 3,5 W (TA), 56 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Nsvumc5nt1g | 0,4000 | | 3 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | NSVUMC5 | 150 MW | SC-88A (SC-70-5/SOT-353) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Vororgannt | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 20 @ 5ma, 10V | - - - | 47kohms, 4.7kohms | 47kohms, 10kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MJD127G | 1.0600 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD127 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 100 v | 8 a | 10 µA | PNP - Darlington | 4v @ 80 Ma, 8a | 1000 @ 4a, 4V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NSBA124XDXV6T1G | 0,0698 | | 1432 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | NSBA124 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | - - - | 22kohm | 47kohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQD10N20CTM | - - - | | 2561 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FQD10N20 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 7.8a (TC) | 10V | 360 MOHM @ 3,9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 30 v | 510 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | HUF75309T3ST | - - - | | 9254 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | HUF75 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-4 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 55 v | 3a (ta) | 10V | 70 Mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 23 NC @ 20 V | ± 20 V | 352 PF @ 25 V. | - - - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMB3900an | - - - | | 8648 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMB3900 | MOSFET (Metalloxid) | 800 MW | 8-mlp, Mikrofet (3x1.9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 25 v | 7a | 23mohm @ 7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17nc @ 10v | 890pf @ 13v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DTC143Z | 0,0200 | | 40 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | DTC143 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBT1588LT3 | 0,0200 | | 870 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HUF75617D3 | - - - | | 8832 | 0.00000000 | Onsemi | Ultrafet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | HUF75 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 100 v | 16a (TC) | 10V | 90 MOHM @ 16A, 10V | 4v @ 250 ähm | 39 NC @ 20 V | ± 20 V | 570 PF @ 25 V. | - - - | 64W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C430NWFT1G | - - - | | 8530 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 185a (TC) | 10V | 1,7 MOHM @ 50A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 47 NC @ 10 V | ± 20 V | 3300 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 106W (TC) |
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