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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Ech8697r-tl-w | 0,6200 |  | 4 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | Ech8697 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | SOT-28FL/ECH8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 24 v | 10a | 11,6 MOHM @ 5A, 4,5 V. | - - - | 6nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -Tor, 2,5 V. | |||||||||||||||||||||||||||
 | EMH2308-TL-H | - - - | | 7162 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | EMH2308 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | 8-emh | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3a | 85mohm @ 3a, 4,5 V. | - - - | 4nc @ 4,5V | 320pf @ 10v | Logikpegel -Tor, 1,8 V Auftwerk | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Mch6606-tl-e | - - - | | 9032 | 0.00000000 | Onsemi | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | MCH6606 | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NDT02N60ZT3G | - - - | | 3466 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | NDT02 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 (to-261) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 600 V | 300 mA (TC) | 10V | 8ohm @ 700 mA, 10V | 4,5 V @ 50 µA | 7.4 NC @ 10 V | ± 30 v | 170 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| NDT03N40ZT3G | - - - | | 4863 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | NDT03 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 400 V | 500 Ma (TC) | 10V | 3.4ohm @ 600 mA, 10 V. | 4,5 V @ 50 µA | 6.6 NC @ 10 V | ± 30 v | 140 PF @ 50 V | - - - | 2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| Ndtl01n60zt3g | - - - | | 5410 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Ndtl01 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 600 V | 250 Ma (TC) | 10V | 15ohm @ 400 mA, 10V | 4,5 V @ 50 µA | 4,9 NC @ 10 V. | ± 30 v | 92 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | NTMFS5C612NLT3G | 5.0600 | | 2324 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 60 v | 36a (TA), 235a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,5 MOHM @ 50a, 10V | 2v @ 250 ähm | 91 nc @ 10 v | ± 20 V | 6660 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| NVMFS4C01NT3G | 2.1218 | | 2384 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 49a (TA), 319a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,9 MOHM @ 30a, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 139 NC @ 10 V | ± 20 V | 10144 PF @ 15 V | - - - | 3,84W (TA), 161W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| NVMFS4C01NWFT3G | 2.2347 | | 5209 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 49a (TA), 319a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,9 MOHM @ 30a, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 139 NC @ 10 V | ± 20 V | 10144 PF @ 15 V | - - - | 3,84W (TA), 161W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C410NLT3G | - - - | | 7556 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 40 v | 48a (TA), 315a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,9 MOHM @ 50a, 10 V. | 2v @ 250 ähm | 143 NC @ 10 V | ± 20 V | 8862 PF @ 25 V. | - - - | 3,8 W (TA), 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | Sft1443-tl-w | - - - | | 3598 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SFT1443 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak/tp-fa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 700 | N-Kanal | 100 v | 9a (ta) | 4 V, 10V | 225mohm @ 3a, 10V | 2,6 V @ 1ma | 9.8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 490 PF @ 20 V | - - - | 1W (TA), 19W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | FDMC6688p | - - - | | 2840 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | FDMC6688 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (3,3x3,3), Power33 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 14A (TA), 56a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 6,5 MOHM @ 14A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 61 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 7435 PF @ 10 V | - - - | 2,3 W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | FDMS86368-F085 | - - - | | 7187 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | FDMS86368 | MOSFET (Metalloxid) | Power56 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 80A (TC) | 10V | 4,5 MOHM @ 80A, 10V | 4v @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 4350 PF @ 40 V | - - - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | NDD03N40Z-1G | - - - | | 2777 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | NDD03 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 400 V | 2.1a (TC) | 10V | 3.4ohm @ 600 mA, 10 V. | 4,5 V @ 50 µA | 6.6 NC @ 10 V | ± 30 v | 140 PF @ 50 V | - - - | 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
| NDDL01N60Z-1G | - - - | | 5034 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | NDDL0 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 600 V | 800 mA (TA) | 10V | 15ohm @ 400 mA, 10V | 4,5 V @ 50 µA | 4,9 NC @ 10 V. | ± 30 v | 92 PF @ 25 V. | - - - | 26W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | NGTB15N120FL2WG | 5.3100 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | NGTB15 | Standard | 294 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 15a, 10ohm, 15 V. | 110 ns | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 30 a | 60 a | 2,4 V @ 15V, 15a | 1,2mj (EIN), 370 µJ (AUS) | 109 NC | 64ns/132ns | |||||||||||||||||||||||||
| NGTB20N120IHTG | 4.2251 | | 2767 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Nicht für Designs | NGTB20 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NGTB30N65IHL2WG | - - - | | 5598 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | NGTB30 | Standard | 300 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. | 430 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 60 a | 120 a | 2,2 V @ 15V, 30a | 200 µJ (AUS) | 135 NC | -/145ns | |||||||||||||||||||||||||
| NGTB40N65IHL2WG | - - - | | 4683 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | NGTB40 | Standard | 300 w | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | 465 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 80 a | 160 a | 2,2 V @ 15V, 40a | 360 µJ (AUS) | 135 NC | -/140ns | |||||||||||||||||||||||||
| NGTB50N60SWG | - - - | | 4504 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | NGTB50 | Standard | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 50A, 10OHM, 15 V. | 376 ns | TRABENFELD STOPP | 600 V | 100 a | 200 a | 2,6 V @ 15V, 50A | 600 µJ (AUS) | 135 NC | 70ns/144ns | ||||||||||||||||||||||||||
 | Nvgs4111pt1g | 0,7100 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | NVGS4111 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 60mohm @ 3.7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 750 PF @ 15 V | - - - | 630 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| NVMFS4C01NT1G | 4.9900 | | 9844 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 49a (TA), 319a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,9 MOHM @ 30a, 10 V. | 2,2 V @ 250 ähm | 139 NC @ 10 V | ± 20 V | 10144 PF @ 15 V | - - - | 3,84W (TA), 161W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| NVMFS5C604NLWFT1G | 6.1200 | | 5113 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 60 v | 40a (TA), 287a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,2 Mohm @ 50a, 10 V | 2v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 8900 PF @ 25 V. | - - - | 3,9W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | PCP1302-TD-H | - - - | | 7529 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | PCP1302 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-89/PCP-1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 60 v | 3a (ta) | 4 V, 10V | 266mohm @ 1,5a, 10V | 2,6 V @ 1ma | 6.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 262 PF @ 20 V | - - - | 3,5 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | SMMBFJ177LT1G | 0,4600 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SMMBFJ177 | 225 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 11pf @ 10v (VGS) | 30 v | 1,5 mA @ 15 V | 800 mv @ 10 na | 300 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| NDT03N40ZT1G | - - - | | 7209 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | NDT03 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 400 V | 500 Ma (TC) | 10V | 3.4ohm @ 600 mA, 10 V. | 4,5 V @ 50 µA | 6.6 NC @ 10 V | ± 30 v | 140 PF @ 50 V | - - - | 2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | NSM6056MT1G | 0,4600 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | NSM6056 | 380 MW | SC-74 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | - - - | NPN + Zener Diode (Isolier) | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | NSV12100UW3TCG | 0,3348 | | 5403 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-WDFN-Exponiertebad | NSV12100 | 740 MW | 3-WDFN (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 440mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 2V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| NSVBCP56-10T3G | 0,4300 | | 7 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | NSVBCP56 | 1,5 w | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 130 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | NSVMUN2112T1G | 0,0363 | | 8214 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSVMUN2112 | 230 MW | SC-59 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 10V | 22 Kohms | 22 Kohms |
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