- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Testedingung | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Nttfs4800ntwg | - - - |  | 2703 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 5A (TA), 32A (TC) | 4,5 V, 11,5 V. | 20mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 16.6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 964 PF @ 15 V | - - - | 860 MW (TA), 33,8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | KSD1621RTF | - - - | | 7138 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | KSD1621 | 500 MW | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 25 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 75 mA, 1,5a | 100 @ 100 mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NSS1C201LT1G | 0,5500 | | 7 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | NSS1C201 | 490 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 150mv @ 200 Ma, 2a | 120 @ 500 mA, 2V | 110 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Fqu13N06LTU-WS | 1.0700 | | 21 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Fqu13n06 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | N-Kanal | 60 v | 11a (TC) | 5v, 10V | 115mohm @ 5,5a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6.4 NC @ 5 V. | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 28 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | FDS6994s | - - - | | 8455 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench®, SyncFet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS69 | MOSFET (Metalloxid) | 900 MW | 8-soic | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6.9a, 8.2a | 21mohm @ 6.9a, 10V | 3v @ 250 ähm | 12nc @ 5v | 800PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD863F-AE | 0,1800 | | 15 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MGSF1N03LT3 | - - - | | 4761 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MGSF1 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 30 v | 1,6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 100mohm @ 1,2a, 10 V | 2,4 V @ 250 ähm | ± 20 V | 140 PF @ 5 V. | - - - | 420 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | FDPF041N06BL1-F154 | 1.9600 | | 990 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FDPF041 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-FDPF041N06BL1-F154 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 77a (TC) | 4.1MOHM @ 77A, 10V | 4v @ 250 ähm | 69 NC @ 10 V | ± 20 V | 5690 PF @ 30 V | - - - | 44.1W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Mun2114t1 | 0,0200 | | 78 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Mun2114 | 230 MW | SC-59 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | KSC1009YTA-ON | 0,0300 | | 32 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 800 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 140 v | 700 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 700mv @ 20 mA, 200 Ma | 120 @ 50 Ma, 2V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVTFS4823NWFTAG | - - - | | 5251 | 0.00000000 | Onsemi | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | NVTFS4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMMBT6520LT1 | 0,0700 | | 6 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJC1386ptf | - - - | | 2945 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FJC13 | 500 MW | SOT-89-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 20 v | 5 a | 500NA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mA, 4a | 80 @ 500 mA, 2V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2n5951 | - - - | | 6829 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 30 v | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2n5951 | 1KHz | Jfet | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | N-Kanal | 13 ma | - - - | - - - | 2 dB | 15 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NGTD21T65F2SWK | - - - | | 8030 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | NGTD21 | Standard | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | TRABENFELD STOPP | 650 V | 200 a | 1,9 V @ 15V, 45a | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | DTC123EM3T5G | 0,3100 | | 2828 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC123 | 260 MW | SOT-723 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250mv @ 5ma, 10 mA | 8 @ 5ma, 10V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | J300_D26Z | - - - | | 6183 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 25 v | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | J300 | - - - | Jfet | To-92-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | N-Kanal | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FQA24N50-on | 1.0000 | | 7811 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 500 V | 24a (TC) | 10V | 200mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 4500 PF @ 25 V. | - - - | 290W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1253T-Spa | - - - | | 9175 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | K. Loch | 3-ssip | 3-Spa | - - - | 2156-2SA1253T-Spa | 1 | - - - | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 300 @ 10 mA, 5V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EMX2DXV6T1G | - - - | | 8867 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMX2DXV6 | 357 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-emx2dxv6t1gtr | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4984T-TD-E | 0,1700 | | 8 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMBF5485_NB50012 | - - - | | 7043 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 25 v | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBF54 | 400 MHz | Jfet | SOT-23-3 | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 10 ma | - - - | - - - | 4db | 15 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NXH010P90MNF1PTG | 169.4400 | | 1800 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | NXH010 | Silziumkarbid (sic) | 328W (TJ) | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 488-NXH010P90MNF1PTG | Ear99 | 8541.29.0095 | 28 | 2 n-kanal (dual) Gemeinsame Quelle | 900V | 154a (TC) | 14mohm @ 100a, 15 V | 4,3 V @ 40 mA | 546.4nc @ 15V | 7007PF @ 450V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RFP30P05 | - - - | | 6314 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | RFP30 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 50 v | 30a (TC) | 65mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 170 NC @ 20 V | 3200 PF @ 25 V. | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8958B | 0,9400 | | 4 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS89 | MOSFET (Metalloxid) | 900 MW | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 6,4a, 4,5a | 26mohm @ 6.4a, 10V | 3v @ 250 ähm | 12nc @ 10v | 540PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 5LP01M-TL-H | - - - | | 7811 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 5LP01 | MOSFET (Metalloxid) | MCP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 50 v | 70 mA (TA) | 1,5 V, 4V | 23OHM @ 40 mA, 4V | - - - | 1,4 NC @ 10 V. | ± 10 V | 7.4 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
| NVTFS4823NWFTWG | - - - | | 4405 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NVTFS4823 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 10,5 MOHM @ 15a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 750 PF @ 12 V | - - - | 3.1W (TA), 21W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | EC4404C-TL | 0,0800 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SB631E | 0,2500 | | 10 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC237B_J35Z | - - - | | 2663 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC237 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15na | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 180 @ 2MA, 5V | 250 MHz |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)