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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SB1123S-TD-EX-ON | - - - | ![]() | 4632 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJF15031 | - - - | ![]() | 8262 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MJF15 | 2 w | To-220fp | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MJF15031OS | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 150 v | 8 a | 10 µA | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 20 @ 4a, 2v | 30 MHz | ||||||||||||||||
![]() | EMH2603-TL-E | 0,2200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1624T-TD-E | 0,7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SD1624 | 500 MW | PCP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 2a | 200 @ 100 Ma, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||||
![]() | MPSH10_D74Z | - - - | ![]() | 1773 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPSH10 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | - - - | 25 v | 50 ma | Npn | 60 @ 4ma, 10V | 650 MHz | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | MJE18006 | - - - | ![]() | 2122 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MJE18 | 100 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 450 V | 6 a | 100 µA | Npn | 700mv @ 600 mA, 3a | 6 @ 3a, 1V | 14MHz | |||||||||||||||||
![]() | FSBCW30 | - - - | ![]() | 4531 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FSBCW3 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 32 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 215 @ 2MA, 5V | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | BC558ATA | - - - | ![]() | 4647 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC558 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MPS6602G | - - - | ![]() | 7009 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPS660 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MPS6602GOS | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 40 v | 1 a | 100na | Npn | 600mv @ 100 mA, 1a | 50 @ 500 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | MCH3245-TL-E | - - - | ![]() | 7342 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MCH3245 | 800 MW | 3-mcph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 260 MV @ 50 Ma, 1a | 200 @ 100 Ma, 2V | 420 MHz | |||||||||||||||||
![]() | FDMS015N04B | 3.1200 | ![]() | 3264 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | FDMS015 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 31,3a (TA), 100A (TC) | 10V | 1,5 MOHM @ 50a, 10V | 4v @ 250 ähm | 118 NC @ 10 V | ± 20 V | 8725 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||
![]() | FQB5N60CTM-WS | 1.4900 | ![]() | 763 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FQB5N60 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 600 V | 4,5a (TC) | 10V | 2,5OHM @ 2,25a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 30 v | 670 PF @ 25 V. | - - - | 100 W (TC) | |||||||||||||
![]() | 5HN02C-TB-E | 0,1000 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3906_J05Z | - - - | ![]() | 3568 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2N3906 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.500 | 40 v | 200 ma | - - - | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MSA1162GT1G | 0,1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MSA1162 | 200 MW | SC-59 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100na | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 2ma, 6v | 80MHz | |||||||||||||||||
![]() | NTMFS5C410NT1G | 6.0700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 46A (TA), 300A (TC) | 10V | 0,92 MOHM @ 50A, 10 V. | 3,5 V @ 250 ähm | 86 NC @ 10 V | ± 20 V | 6100 PF @ 25 V. | - - - | 3,9W (TA), 166W (TC) | |||||||||||||
![]() | Pn2222atfr | 0,3800 | ![]() | 398 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN2222 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 1 a | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | |||||||||||||||||
![]() | BD243CTU | - - - | ![]() | 2086 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BD243 | 65 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 6 a | 700 ähm | Npn | 1,5 V @ 1a, 6a | 15 @ 3a, 4V | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | Dta115tet1g | 0,1600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta115 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 100 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | MTW32N20E | - - - | ![]() | 9350 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MTW32 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MTW32N20EOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 200 v | 32a (TC) | 10V | 75mohm @ 16a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 5000 PF @ 25 V. | - - - | 180W (TC) | ||||||||||||
![]() | MPS6515_D26Z | - - - | ![]() | 2836 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPS651 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 25 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 50 mA | 250 @ 2MA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4823NT3G | - - - | ![]() | 1289 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 6.9a (TA), 30a (TC) | 4,5 V, 11,5 V. | 10.6mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 13 NC @ 11.5 V. | ± 20 V | 795 PF @ 15 V | - - - | 860 MW (TA), 32,5 W (TC) | ||||||||||||||
![]() | BC183C | - - - | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC183 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 120 @ 2MA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2n5038g | 11.2700 | ![]() | 918 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 2n5038 | 140 w | To-204 (to-3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | 90 v | 20 a | - - - | Npn | 2,5 V @ 5a, 20a | 20 @ 12a, 5V | - - - | |||||||||||||||||
![]() | NJW0302G | 3.1200 | ![]() | 1102 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | NJW0302 | 150 w | To-3p-3l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 30 | 250 V | 15 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 500 mA, 5a | 75 @ 3a, 5v | 30 MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2N4400TAR | - - - | ![]() | 2025 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4400 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 40 v | 600 mA | - - - | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 50 @ 150 mA, 1V | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | 2n5401tar | - - - | ![]() | 1262 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N5401 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 150 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 400 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | MMBTA06 | - - - | ![]() | 7739 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA06 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | 2SC2812N6-CPA-TB-E | - - - | ![]() | 7594 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SC2812 | 200 MW | 3-CP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 50 mA | 200 @ 1ma, 6v | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | NDB4050 | - - - | ![]() | 7568 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | NDB405 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 50 v | 15a (TC) | 10V | 100mohm @ 7,5a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 17 NC @ 10 V | ± 20 V | 450 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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