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Transistoren (17799)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
MPSH10_D74Z onsemi MPSH10_D74Z - - -
RFQ
 ECAD 1773 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads MPSH10 350 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 - - - 25 v 50 ma Npn 60 @ 4ma, 10V 650 MHz - - -
P2N2222A onsemi P2N2222A - - -
RFQ
 ECAD 4901 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper P2N222 625 MW To-92 (to-226) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen P2N2222AOS Ear99 8541.21.0075 5.000 40 v 600 mA 10na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 300 MHz
2SD613E onsemi 2SD613E 0,6200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Onsemi * Schüttgut Aktiv Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1
NTMFS4C13NT1G onsemi NTMFS4C13NT1G 1.0500
RFQ
 ECAD 901 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NTMFS4 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1.500 N-Kanal 30 v 7.2a (TA), 38a (TC) 4,5 V, 10 V. 9.1mohm @ 30a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 15,2 NC @ 10 V. ± 20 V 770 PF @ 15 V - - - 750 MW (TA)
FMBM5401-SB74001 onsemi FMBM5401-SB74001 - - -
RFQ
 ECAD 8402 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 Fmbm5 700 MW Supersot ™ -6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 150 v 600 mA 50na (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50 mA 60 @ 10ma, 5V 300 MHz
BC847CDXV6T1G onsemi BC847CDXV6T1G 0,3800
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 BC847 500 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 4.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 600mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
BC557TAR onsemi BC557TAR - - -
RFQ
 ECAD 5030 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC557 500 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 110 @ 2MA, 5V 150 MHz
NTF3055L108T1G onsemi NTF3055L108T1G 0,9000
RFQ
 ECAD 2204 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa NTF3055 MOSFET (Metalloxid) SOT-223 (to-261) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 60 v 3a (ta) 5v 120 MOHM @ 1,5A, 5V 2v @ 250 ähm 15 NC @ 5 V ± 15 V 440 PF @ 25 V. - - - 1,3W (TA)
NVMFS5C604NLWFAFT1G onsemi NVMFS5C604NLWFAFT1G 5.7400
RFQ
 ECAD 1369 0.00000000 Onsemi Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NVMFS5 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 60 v 287a (TC) 4,5 V, 10 V. 1,2 Mohm @ 50a, 10 V 2v @ 250 ähm 52 NC @ 4,5 V ± 20 V 8900 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
MJE18006 onsemi MJE18006 - - -
RFQ
 ECAD 2122 0.00000000 Onsemi SwitchMode ™ Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MJE18 100 w To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 450 V 6 a 100 µA Npn 700mv @ 600 mA, 3a 6 @ 3a, 1V 14MHz
FSBCW30 onsemi FSBCW30 - - -
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 FSBCW3 500 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 32 v 500 mA 100NA (ICBO) PNP 300 mV @ 500 µA, 10 mA 215 @ 2MA, 5V - - -
FJP1943OTU onsemi FJP1943OTU - - -
RFQ
 ECAD 5821 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 FJP194 80 w To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 230 V 15 a 5 µA (ICBO) PNP 3v @ 800 mA, 8a 80 @ 1a, 5V 30 MHz
2N3962 onsemi 2N3962 - - -
RFQ
 ECAD 6911 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet - - - K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2N396 360 MW To-18 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 250 60 v 200 ma 10na PNP 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 1ma, 5V - - -
2N5038G onsemi 2n5038g 11.2700
RFQ
 ECAD 918 0.00000000 Onsemi - - - Tablett Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2n5038 140 w To-204 (to-3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 100 90 v 20 a - - - Npn 2,5 V @ 5a, 20a 20 @ 12a, 5V - - -
NJW0302G onsemi NJW0302G 3.1200
RFQ
 ECAD 1102 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 NJW0302 150 w To-3p-3l Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 30 250 V 15 a 10 µA (ICBO) PNP 1v @ 500 mA, 5a 75 @ 3a, 5v 30 MHz
2N4400TAR onsemi 2N4400TAR - - -
RFQ
 ECAD 2025 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 2N4400 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 40 v 600 mA - - - Npn 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 50 @ 150 mA, 1V - - -
2N5401TAR onsemi 2n5401tar - - -
RFQ
 ECAD 1262 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 2N5401 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 150 v 600 mA 50na (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50 mA 60 @ 10ma, 5V 400 MHz
MMBTA06 onsemi MMBTA06 - - -
RFQ
 ECAD 7739 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBTA06 350 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 80 v 500 mA 100na Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
2SC2812N6-CPA-TB-E onsemi 2SC2812N6-CPA-TB-E - - -
RFQ
 ECAD 7594 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2SC2812 200 MW 3-CP Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 5ma, 50 mA 200 @ 1ma, 6v 100 MHz
NDB4050 onsemi NDB4050 - - -
RFQ
 ECAD 7568 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab NDB405 MOSFET (Metalloxid) D²pak (to-263) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 50 v 15a (TC) 10V 100mohm @ 7,5a, 10 V 4v @ 250 ähm 17 NC @ 10 V ± 20 V 450 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
NTD4302G onsemi NTD4302G - - -
RFQ
 ECAD 7148 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 NTD43 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 30 v 8,4a (TA), 68a (TC) 4,5 V, 10 V. 10Mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 80 nc @ 10 v ± 20 V 2400 PF @ 24 V - - - 1,04W (TA), 75W (TC)
BF422ZL1G onsemi BF422ZL1G - - -
RFQ
 ECAD 3902 0.00000000 Onsemi - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) BF422 830 MW To-92 (to-226) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 250 V 50 ma - - - Npn 500 mv @ 2MA, 20 mA 50 @ 25ma, 20V 60 MHz
PN2222ATFR onsemi Pn2222atfr 0,3800
RFQ
 ECAD 398 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads PN2222 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 40 v 1 a 10NA (ICBO) Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 300 MHz
BD243CTU onsemi BD243CTU - - -
RFQ
 ECAD 2086 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BD243 65 w To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 100 v 6 a 700 ähm Npn 1,5 V @ 1a, 6a 15 @ 3a, 4V - - -
DTA115TET1G onsemi Dta115tet1g 0,1600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 Dta115 200 MW SC-75, SOT-416 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 250 mV @ 300 µA, 10 mA 160 @ 5ma, 10V 100 Kohms
MTW32N20E onsemi MTW32N20E - - -
RFQ
 ECAD 9350 0.00000000 Onsemi - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MTW32 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MTW32N20EOS Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 200 v 32a (TC) 10V 75mohm @ 16a, 10V 4v @ 250 ähm 120 nc @ 10 v ± 20 V 5000 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
MPS6515_D26Z onsemi MPS6515_D26Z - - -
RFQ
 ECAD 2836 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads MPS651 625 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 25 v 200 ma 50na (ICBO) Npn 500mv @ 5ma, 50 mA 250 @ 2MA, 10V - - -
NTMFS4823NT3G onsemi NTMFS4823NT3G - - -
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn, 5 Leads NTMFS4 MOSFET (Metalloxid) 5-DFN (5x6) (8-SoFL) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 30 v 6.9a (TA), 30a (TC) 4,5 V, 11,5 V. 10.6mohm @ 30a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 13 NC @ 11.5 V. ± 20 V 795 PF @ 15 V - - - 860 MW (TA), 32,5 W (TC)
BC183C onsemi BC183C - - -
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 Onsemi - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) BC183 350 MW To-92-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 30 v 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 120 @ 2MA, 5V 150 MHz
DTC123JET1 onsemi DTC123JET1 - - -
RFQ
 ECAD 7772 0.00000000 Onsemi - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 DTC123 200 MW SC-75, SOT-416 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 250 mV @ 300 µA, 10 mA 80 @ 5ma, 10V 2.2 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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