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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | FDD6630A | 0,7600 | ![]() | 5315 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD6630 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 21a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 35mohm @ 7.6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 7 NC @ 5 V | ± 20 V | 462 PF @ 15 V | - - - | 28W (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | PN3567_D26Z | - - - | ![]() | 7844 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN356 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 40 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 250mv @ 15ma, 150 mA | 40 @ 150 mA, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
NVATS68301PZT4G | - - - | ![]() | 8331 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | NVATS68301 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 31a (ta) | 10V | 75mohm @ 14a, 10V | 3,5 V @ 1ma | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 2850 PF @ 20 V | - - - | 84W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | CPH6445-TL-E | - - - | ![]() | 4029 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | CPH644 | MOSFET (Metalloxid) | 6-cph | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 3,5a (TA) | 117mohm @ 1,5a, 10 V | - - - | 6,8 nc @ 10 v | 310 PF @ 20 V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C404NLT1G | - - - | ![]() | 8079 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 49A (TA), 352A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 0,75 MOHM @ 50A, 10 V. | 2v @ 250 ähm | 181 NC @ 10 V. | ± 20 V | 12168 PF @ 25 V. | - - - | 3,9W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | MTP2P50E | - - - | ![]() | 6128 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MTP2P | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MTP2P50EOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 500 V | 2a (TC) | 10V | 6OHM @ 1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 1183 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | DTC114E | 0,0200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | DTC114 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 15.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUFA76645S3ST-F085 | - - - | ![]() | 1968 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101, Ultrafet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | HUFA76645 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 75a, 10V | 3v @ 250 ähm | 153 NC @ 10 V | ± 16 v | 4400 PF @ 25 V. | - - - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | BC32825 | - - - | ![]() | 2477 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BC328 | 625 MW | To-92-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 25 v | 800 mA | 100na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SMUN5211T3G | 0,3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Smun5211 | 202 MW | SC-70-3 (SOT323) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP32CTU | - - - | ![]() | 3738 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP32 | 2 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | TIP32CTU-NDR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 100 v | 3 a | 200 µA | PNP | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP050AN06A0 | 3.0400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FDP050 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 18A (TA), 80A (TC) | 6 V, 10V | 5mohm @ 80a, 10V | 4v @ 250 ähm | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 3900 PF @ 25 V. | - - - | 245W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FcPf20n60tydtu | - - - | ![]() | 8961 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Vollpackung, Geformete-Leads | FCPF20 | MOSFET (Metalloxid) | To-220F-3 (Y-Forming) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 98 NC @ 10 V. | ± 30 v | 3080 PF @ 25 V. | - - - | 39W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | FDMS86250 | 2.6800 | ![]() | 5760 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | FDMS86 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 6.7a (TA), 20a (TC) | 6 V, 10V | 25mohm @ 6.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 2330 PF @ 75 V | - - - | 2,5 W (TA), 96W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FQP47P06_NW82049 | - - - | ![]() | 8434 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP4 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 v | 47a (TC) | 10V | 26mohm @ 23.5a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 25 V | 3600 PF @ 25 V. | - - - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3904HLT1G | - - - | ![]() | 6963 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | - - - | MMBT3904 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
NTMSD6N303R2G | - - - | ![]() | 2823 | 0.00000000 | Onsemi | Fetky ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | NTMSD6 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 32mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 950 PF @ 24 V | Schottky Diode (Isolier) | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FJP3305H1TU | 1.2400 | ![]() | 157 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FJP3305 | 75 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 4 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 1a, 4a | 8 @ 2a, 5V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BC328TF | - - - | ![]() | 5051 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC328 | 625 MW | To-92-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 25 v | 800 mA | 100na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143TET1 | - - - | ![]() | 7366 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 200 MW | SC-75, SOT-416 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF7N60 | 2.8800 | ![]() | 8801 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet ™ | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FcPf7 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 3,5A, 10 V. | 5 V @ 250 ähm | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 920 PF @ 25 V. | - - - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | NTD4815NH-35G | - - - | ![]() | 9677 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | NTD48 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 30 v | 6,9a (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 11,5 V. | 15mohm @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 6,8 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 845 PF @ 12 V | - - - | 1,26W (TA), 32,6W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N5485 | - - - | ![]() | 9632 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 25 v | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2N5485 | 400 MHz | Jfet | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | N-Kanal | 10 ma | - - - | - - - | 4db | 15 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF9N90CT | 3.5300 | ![]() | 805 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Fqpf9 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 900 V | 8a (TC) | 10V | 1,4ohm @ 4a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 30 v | 2730 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | FDD86367 | 2.2500 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD863 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak (to-252) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 80 v | 100a (TC) | 10V | 4.2mohm @ 80A, 10V | 4v @ 250 ähm | 88 NC @ 10 V | ± 20 V | 4840 PF @ 40 V | - - - | 227W (TJ) | ||||||||||||||||||||
![]() | PZT2907AT1G | 0,4700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | PZT2907 | 1,5 w | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FJPF5200Rtu | - - - | ![]() | 6859 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FJPF52 | 50 w | To-220f-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 250 V | 17 a | 5 µA (ICBO) | Npn | 3v @ 800 mA, 8a | 55 @ 1a, 5v | 30 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Tf202thc-3-tl-hx | - - - | ![]() | 9953 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | Tf202 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMUN22234LT1G | 0,1300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMun2234 | 246 MW | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 80 @ 5ma, 10V | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n5772 | - - - | ![]() | 2409 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | 2n5772 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2N5772-NDR | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 15 v | 300 ma | 500NA | Npn | 500mV @ 3ma, 300 mA | 30 @ 30 Ma, 400mV | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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