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Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBT3906_F080 | - - - |  | 2472 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT3906 | 350 MW | SOT-23-3 | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 v | 200 ma | - - - | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | FDMS8026s | 1.8600 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench®, SyncFet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | FDMS8026 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 19A (TA), 22A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,3 MOHM @ 19A, 10V | 3V @ 1ma | 37 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2280 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 41W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | NTMFS5C450NLT1G | 2.3300 | | 2 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 27a (TA), 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,8 MOHM @ 40A, 10V | 2v @ 250 ähm | 35 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 20 V | - - - | 3,7W (TA), 68W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | FDMQ86530L | 3.0800 | | 16 | 0.00000000 | Onsemi | Greenbridge ™ Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 12-WDFN Exponierte Pad | FDMQ86530 | MOSFET (Metalloxid) | 1,9W | 12-MLP (5x4,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 4 N-Kanal (Halbe Brücke) | 60 v | 8a | 17,5 Mohm @ 8a, 10V | 3v @ 250 ähm | 33nc @ 10v | 2295PF @ 30V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||
 | FDB9403_SN00268 | - - - | | 7393 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FDB9403 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | - - - | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 110a (TC) | 10V | 1,2 MOHM @ 80A, 10V | 4v @ 250 ähm | 213 NC @ 10 V | ± 20 V | 12700 PF @ 25 V. | - - - | 333W (TJ) | ||||||||||||||||||||||
 | FDMS2506SDC | - - - | | 4733 | 0.00000000 | Onsemi | Dual Cool ™, Powertrench®, Syncfet ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | FDMS25 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 25 v | 39a (TA), 49A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,45 MOHM @ 30a, 10V | 3V @ 1ma | 93 NC @ 10 V | ± 20 V | 5945 PF @ 13 V | - - - | 3.3W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | BS107Arl1 | - - - | | 8705 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | BS107 | MOSFET (Metalloxid) | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 250 mA (TA) | 10V | 6.4ohm @ 250 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 60 PF @ 25 V | - - - | 350 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
| FDB9503L-F085 | 5.3400 | | 9979 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | FDB9503 | MOSFET (Metalloxid) | D²pak (to-263) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P-Kanal | 40 v | 110a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,6 MOHM @ 80A, 10V | 3v @ 250 ähm | 255 NC @ 10 V | ± 16 v | 8320 PF @ 20 V | - - - | 333W (TJ) | |||||||||||||||||||||
| FDN5632N-F085 | 0,6700 | | 50 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FDN5632 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 1.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 82mohm @ 1,7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 475 PF @ 15 V | - - - | 1.1W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | FDMS9409-F085 | - - - | | 7923 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | FDMS94 | MOSFET (Metalloxid) | Power56 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 65a (TC) | 10V | 3,2 MOHM @ 65A, 10V | 4v @ 250 ähm | 62 NC @ 10 V | ± 20 V | 3130 PF @ 20 V | - - - | 100 W (TJ) | |||||||||||||||||||||
| 2N5401RLRM | - - - | | 6937 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | 2N5401 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 150 v | 600 mA | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | 2N5210RLRA | 0,0400 | | 36 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS7698 | 0,7800 | | 3 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | FDMS76 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PQFN (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 13,5a (TA), 22A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10MOHM @ 13.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24 nc @ 10 v | ± 20 V | 1605 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 29 W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | MPS8599g | - - - | | 2228 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | MPS859 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 80 v | 500 mA | 100na | PNP | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 100 @ 1ma, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| 2n5400 | - - - | | 9816 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | 2n5400 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 120 v | 600 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 40 @ 10ma, 5V | 400 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | FDA24N50F | 4.4800 | | 7220 | 0.00000000 | Onsemi | Unifet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | FDA24 | MOSFET (Metalloxid) | To-3pn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 2156-FDA24N50F | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 500 V | 24a (TC) | 10V | 200mohm @ 12a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 30 v | 4310 PF @ 25 V. | - - - | 270W (TC) | ||||||||||||||||||||
| 2N3906RLRM | - - - | | 6061 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 2N3906 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5461_D74Z | - - - | | 8501 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N5461 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 7pf @ 15V | 40 v | 2 ma @ 15 v | 1 V @ 1 µA | ||||||||||||||||||||||||||||
 | NTBG040N120SC1 | 24.3300 | | 760 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | NTBG040 | Sicfet (Silziumkarbid) | D2pak-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 1200 V | 60a (TC) | 20V | 56mohm @ 35a, 20V | 4,3 V @ 10 mA | 106 NC @ 20 V | +25 V, -15 V | 1789 PF @ 800 V | - - - | 357W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | TIG052TS-TL-E | - - - | | 8982 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | TIG052 | Standard | 8-tssop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | - - - | 400 V | 150 a | 5,5 V @ 2,5 V, 150a | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
 | CPH3322-TL-E | 0,1500 | | 222 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SFT1443-H | - - - | | 8178 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | SFT144 | MOSFET (Metalloxid) | Ipak/tp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 100 v | 9a (ta) | 4 V, 10V | 225mohm @ 3a, 10V | - - - | 9.8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 490 PF @ 20 V | - - - | 1W (TA), 19W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | FDD86369-F085 | 1.3600 | | 3605 | 0.00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | FDD86369 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 80 v | 90a (TC) | 10V | 7.9MOHM @ 80A, 10V | 4v @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 20 V | 2530 PF @ 40 V | - - - | 150W (TJ) | |||||||||||||||||||||
 | Ech8601m-tl-H | - - - | | 3871 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | Ech8601 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Ech | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 24 v | 8a (ta) | 23mohm @ 4a, 4,5 V. | 1,3 V @ 1ma | 7,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -Tor, 2,5 V. | |||||||||||||||||||||||||
 | Ftd2015-tl-e | 0,5400 | | 57 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFS4982NFT3G | - - - | | 6077 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4982 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 26,5a (TA), 207A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,3 Mohm @ 25a, 10V | 2,2 V @ 1ma | 84 NC @ 10 V | ± 20 V | 6000 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||||||||||||||
| KSC838YBU | - - - | | 3680 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | KSC838 | 250 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 30 v | 30 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 1ma, 10 mA | 120 @ 2MA, 12V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | NTMFS4833NST3G | - - - | | 5785 | 0.00000000 | Onsemi | Sensefet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | SO-8fl | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 v | 16a (ta), 156a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 86 NC @ 11.5 V. | ± 20 V | 5250 PF @ 12 V | - - - | 900 MW (TA), 86,2W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | NSV60601MZ4T3G | 0,6300 | | 2560 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | NSV60601 | 800 MW | SOT-223 (to-261) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 60 v | 6 a | 100NA (ICBO) | Npn | 300 MV @ 600 Ma, 6a | 120 @ 1a, 2v | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||
| NVBG045N065SC1 | 19.8400 | | 9129 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | Sicfet (Silziumkarbid) | D2pak-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 650 V | 62a (TC) | 15 V, 18 V. | 50mohm @ 25a, 18 V. | 4,3 V @ 8ma | 105 NC @ 18 V | +22V, -8v | 1890 PF @ 325 V. | - - - | 242W (TC) |
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