- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Transistoren (17799)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCPF11N60T | 3.5600 |  | 1 | 0.00000000 | Onsemi | Superfet ™ | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | FCPF11 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 380MOHM @ 5.5A, 10V | 5 V @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 30 v | 1490 PF @ 25 V. | - - - | 36W (TC) | ||||||||||||
 | BC635_D27Z | - - - | | 1427 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC635 | 1 w | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150 mA, 2V | 100 MHz | |||||||||||||||||
 | MTW32N20E | - - - | | 9350 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MTW32 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MTW32N20EOS | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 200 v | 32a (TC) | 10V | 75mohm @ 16a, 10V | 4v @ 250 ähm | 120 nc @ 10 v | ± 20 V | 5000 PF @ 25 V. | - - - | 180W (TC) | |||||||||||
 | SSU1N60BTU-WS | - - - | | 7003 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | SSU1N60 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | N-Kanal | 600 V | 900 Ma (TC) | 10V | 12ohm @ 450 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 7,7 NC @ 10 V | ± 30 v | 215 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 28 W (TC) | ||||||||||||
| BC182_D26Z | - - - | | 9894 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC182 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 120 @ 2MA, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||
 | MJE5851 | - - - | | 2100 | 0.00000000 | Onsemi | SwitchMode ™ | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MJE58 | 80 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 350 V | 8 a | - - - | PNP | 5v @ 3a, 8a | 5 @ 5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||
 | MMBT2369 | - - - | | 6128 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT2369 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 15 v | 200 ma | 30 µA (ICBO) | Npn | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | - - - | |||||||||||||||||
 | NTMFS4825NFET1G | - - - | | 1323 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NTMFS4 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 17a (ta), 171a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2mohm @ 22a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 40,2 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 5660 PF @ 15 V | - - - | 950 MW (TA), 96,2W (TC) | |||||||||||||
| Fdn359an | 0,5400 | | 3078 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | FDN359 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2.7a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 46mohm @ 2,7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 7 NC @ 5 V | ± 20 V | 480 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||
 | MGB20N36CL | 1.2700 | | 734 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Emt1dxv6t1 | - - - | | 3478 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMT1 | 500 MW | SOT-563 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 60 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||
 | MMBT5550LT1 | - - - | | 3941 | 0.00000000 | Onsemi | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | MMBT5550 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| KSP75TA | - - - | | 7716 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | KSP75 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 40 v | 500 mA | 500NA | PNP - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | - - - | |||||||||||||||||
| 2N5772_D75Z | - - - | | 6717 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2n5772 | 350 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 15 v | 300 ma | 500NA | Npn | 500mV @ 3ma, 300 mA | 30 @ 30 Ma, 400mV | - - - | |||||||||||||||||
 | FQP20N06TSTU | - - - | | 9282 | 0.00000000 | Onsemi | QFET® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | FQP2 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 20A (TC) | 10V | 60MOHM @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 25 V | 590 PF @ 25 V. | - - - | 53W (TC) | |||||||||||||
| TIP31ATU | - - - | | 1218 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | TIP31 | 2 w | To-220-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 60 v | 3 a | 300 µA | Npn | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 10 @ 3a, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||
| 2N4400ta | - - - | | 3490 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4400 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 40 v | 600 mA | - - - | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 50 @ 150 mA, 1V | - - - | |||||||||||||||||
| MJE15031 | - - - | | 3509 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MJE15 | 50 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 150 v | 8 a | 100 µA | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 20 @ 4a, 2v | 30 MHz | ||||||||||||||||
 | FDS6375 | 0,9600 | | 2423 | 0.00000000 | Onsemi | Powertrench® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | FDS63 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 8a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 8a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 36 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 2694 PF @ 10 V. | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||||
| NVMFS5C628NLT1G | 2.9800 | | 1748 | 0.00000000 | Onsemi | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn, 5 Leads | NVMFS5 | MOSFET (Metalloxid) | 5-DFN (5x6) (8-SoFL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 60 v | 150a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,4 MOHM @ 50A, 10V | 2v @ 135 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 3600 PF @ 25 V. | - - - | 3,7W (TA), 110 W (TC) | ||||||||||||
 | NSTR1P02T1G | - - - | | 9322 | 0.00000000 | Onsemi | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| BC327RL1G | - - - | | 3215 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, Bis 92-3 Langer Körper (Gebildete Leitungen) | BC327 | 625 MW | To-92 (to-226) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 800 mA | 100na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 260 MHz | |||||||||||||||||
 | NTTFS008N04CTAG | 0,5279 | | 8978 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS008 | MOSFET (Metalloxid) | 8-WDFN (3,3x3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 14A (TA), 48A (TC) | 10V | 8,5 MOHM @ 15a, 10V | 3,5 V @ 30 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 625 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA), 38W (TC) | ||||||||||||
| NTP5863NG | - - - | | 2099 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | NTP586 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 97a (TC) | 10V | 7,8 MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 250 ähm | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 3200 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | |||||||||||||
 | SMUN5115DW1T1G | 0,4100 | | 1 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Smun5115 | 187MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 160 @ 5ma, 10V | - - - | 10kohm | - - - | |||||||||||||||
 | Nthl015n065Sc1 | 39.8800 | | 565 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Nthl015 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 488-nthl015N065SC1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 163a (TC) | 15 V, 18 V. | 18Mohm @ 75a, 18V | 4,3 V @ 25ma | 283 NC @ 18 V | +22V, -8v | 4790 PF @ 325 V. | - - - | 643W (TC) | |||||||||||
| KSC3073Ytu | - - - | | 8910 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | KSC3073 | 1 w | I-Pak | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 5.040 | 30 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 800mv @ 200 Ma, 2a | 120 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| Nttfs4c56ntwg | - - - | | 5121 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | NTTFS4 | - - - | 8-WDFN (3,3x3,3) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||
 | MJD128T4 | - - - | | 4520 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MJD12 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 120 v | 8 a | 5ma | PNP - Darlington | 4v @ 80 Ma, 8a | 1000 @ 4a, 4V | 4MHz | ||||||||||||||||
 | 2SB1215S-H | - - - | | 7862 | 0.00000000 | Onsemi | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | 2SB1215 | 1 w | Tp | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 100 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 500 mV @ 150 mA, 1,5a | 140 @ 500 mA, 5V | 130 MHz |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)